mosfet：金屬-氧化層-半導體-場效電晶體，簡稱金屬氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, mosfet）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數位電路的場效電晶體（field-effect transistor）。mosfet依照其「通道」的極性不同，可分為n-type與p-type的mosfet，通常又稱為nmosfet與pmosfet，其他簡稱尚包括nmos fet、pmos fet、nmosfet、pmosfet等。
igbt：igbt(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極型電晶體，是由bjt(雙極型三極體)和mos(絕緣柵型場效電晶體)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點。gtr飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;mosfet驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
igbt綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600v及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
igbt是insulated gate bipolar transistor（絕緣柵雙極型電晶體）的縮寫，igbt是由mosfet和雙極型電晶體復合而成的一種器件，其輸入極為mosfet，輸出極為pnp電晶體，它融和了這兩種器件的優點，既具有mosfet器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介於mosfet與功率電晶體之間，可正常工作於幾十khz頻率範圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中佔據了主導地位。
igbt（絕緣柵雙極電晶體）模組的引數： 集電極、發射極間電壓（符號：vces）：柵極、發射極間短路時的集電極，發射極間的最大電壓。
igbt（絕緣柵雙極電晶體）模組的引數： 柵極發極間電壓（符號：vges ）：集電極、發射極間短路時的柵極，發射極間最大電壓。
igbt（絕緣柵雙極電晶體）模組的引數： 集電極電流（符號：ic ）：集電極所允許的最大直流電流。
igbt（絕緣柵雙極電晶體）模組的引數： 耗散功率（符號：pc）：單個igbt所允許的最大耗散功率。
igbt（絕緣柵雙極電晶體）模組的引數： 結溫（符號：tj）：元件連續工作時晶元溫廈。
igbt（絕緣柵雙極電晶體）模組的引數： 關斷電流（符號：ices ）：柵極、發射極間短路，在集電極、發射極間加上指定的電壓時的集電極電流。
igbt（絕緣柵雙極電晶體）模組的引數： 漏電流（符號：iges ）：集電極、發射極間短路，在柵極、集電極間加上指定的電壓時的柵極漏電流。
igbt（絕緣柵雙極電晶體）模組的引數： 飽和壓降（符號：v ce（sat） ）：在指定的集電極電流和柵極電壓的情況下，集電極、發射極間的電壓。
igbt（絕緣柵雙極電晶體）模組的引數： 輸入電容（符號：clss ）：
集電極、發射極間處於交流短路狀態，在柵極、發射極間及集電極、發射極間加上指定電壓時，柵極、發射極間的電容。贊同
MOSFET與IGBT的應用區別
mosfet與igbt power mosfet優點是高頻特性十分優秀 mosfet可以工作到幾百khz，上mhz，以至幾十mhz，射頻領域的產品 驅動簡單 電壓型驅動 抗擊穿性妤 沒有雪崩效應 power mosfet的弱點是高耐壓化後之功率損失激增。缺點是耐高壓的器件，導通電阻大 在高壓大電流場...
MOSFET用作開關時的特性與計算方法
4.9功率型mosfet用作開關 the power mosfet used as a switch 4.9.1概論 introduction 雖然場效應電晶體 field effect transistor fet 應用於電路設計上己有許多年了，而近年來功率型金屬氧化半導體場效應電晶體 metal...
Begoingto與will的區別
語法 一般將來時態 a.be going to 與will的區別 1.相同點 都可以表示將要發生的事，將要去做的事。2.不同點 1 be going to 表近期，眼下就要發生的事情 will 表將來時間則較遠一些。2 be going to 表根據主觀判斷將來肯定要發生的事 will 表客觀上將來...