1、選擇題
1. m層電子回遷到k層後，多餘的能量放出的特徵x射線稱（ b ）
a. kα；b. kβ；c. kγ；d. lα。
2. 當x射線發生裝置是cu靶，濾波片應選（ c ）
a． cu；b. fe；c. ni；d. mo。
3. 當電子把所有能量都轉換為x射線時，該x射線波長稱（ a ）
a. 短波限λ0；b. 激發限λk；c. 吸收限；d. 特徵x射線
4.當x射線將某物質原子的k層電子打出去後，l層電子回遷k層，多餘能量將另乙個l層電子打出核外，這整個過程將產生（ d ）
a. 光電子；b. 二次螢光；c. 俄歇電子；d. （a+c）
5.最常用的x射線衍射方法是（ b ）。
a. 勞厄法；b. 粉末法；c. 周轉晶體法；d. 德拜法。
6.射線衍射方法中，試樣為單晶體的是（d ）
a、勞埃法 b、周轉晶體法 c、平面底片照相法 d、 a和b
7.晶體屬於立方晶系，一晶面截x軸於a/2、y軸於b/3、z軸於c/4，則該晶面的指標為（ b）
a、(364) b、(234) c、(213) d、(468)
8.立方晶系中，指數相同的晶面和晶向（b ）
a、相互平行 b、相互垂直 c、成一定角度範圍 d、無必然聯絡
9.晶面指數（111）與晶向指數（111）的關係是（ c ）。
a. 垂直； b. 平行； c. 不一定。
10.在正方晶系中，晶面指數包括幾個晶面（ b ）。
a. 6； b. 4； c. 2 d. 1；。
11.用來進行晶體結構分析的x射線學分支是（ b ）
a.x射線透射學；b.x射線衍射學；c.x射線光譜學；d.其它
12、對於簡單點陣結構的晶體，系統消光的條件是（ a ）
a、不存在系統消光 b、h+k為奇數 c、h+k+l為奇數 d、h、k、l為異性數
13、立方晶系晶面的多重性因子為（ d ）
a、2 b、3 c、4 d、6
14、洛倫茲因子中，第一幾何因子反映的是（ a ）
a、晶粒大小對衍射強度的影響 b、參加衍射晶粒數目對衍射強度的影響
c、衍射線位置對衍射強度的影響 d、試樣形狀對衍射強度的影響
15、洛倫茲因子中，第二幾何因子反映的是（ b ）
a、晶粒大小對衍射強度的影響 b、參加衍射晶粒數目對衍射強度的影響
c、衍射線位置對衍射強度的影響 d、試樣形狀對衍射強度的影響
16、洛倫茲因子中，第三幾何因子反映的是（ c ）
a、晶粒大小對衍射強度的影響 b、參加衍射晶粒數目對衍射強度的影響
c、衍射線位置對衍射強度的影響 d、試樣形狀對衍射強度的影響
17、對於底心斜方晶體，產生系統消光的晶面有（ c ）
a、112 b、113 c、101 d、111
18、對於麵心立方晶體，產生系統消光的晶面有（ c ）
a、200 b、220 c、112 d、111
19、熱振動對x-ray衍射的影響中不正確的是（e ）
a、溫度公升高引起晶胞膨脹 b、使衍射線強度減小 c、產生熱漫散射 d、改變布拉格角 e、熱振動在高衍射角所降低的衍射強度較低角下小
20、衍射儀的測角儀在工作時，如試樣表面轉到與入射線成30度角時，計數管與入射線成多少度角?（b）
a. 30度； b. 60度； c. 90度。
21、不利於提高德拜相機的解析度的是（ d ）。
a. 採用大的相機半徑； b. 採用x射線較長的波長； c. 選用大的衍射角；d.選用面間距較大的衍射面。
22、德拜法中有利於提高測量精度的底片安裝方法是（ c ）
a、正裝法 b、反裝法 c、偏裝法 d、以上均可
23、樣品臺和測角儀機械連動時，計數器與試樣的轉速關係是（ b ）
a、1﹕1 b、2﹕1 c、1﹕2 d、沒有確定比例
24、關於相機解析度的影響因素敘述錯誤的是（ c ）
a、相機半徑越大，解析度越高 b、θ角越大，解析度越高
c、x射線波長越小，解析度越高 d、晶面間距越大，解析度越低
25、粉末照相法所用的試樣形狀為（ c ）
a、塊狀 b、分散 c、圓柱形 d、任意形狀
26、低角的弧線接近中心孔，高角線靠近端部的底片安裝方法為（ a ）
a、正裝法 b、反裝法 c、偏裝法 d、任意安裝都可
27、以氣體電離為基礎製造的計數器是（ d）
a、正比計數器 b、蓋革計數器 c、閃爍計數器 d、a和b
28、利用x射線激發某種物質會產生可見的螢光，而且螢光的多少與x射線強度成正比的特性而製造的計數器為（ c ）
a、正比計數器 b、蓋革計數器 c、閃爍計數器 d、鋰漂移矽檢測器
29、測定鋼中的奧氏體含量，若採用定量x射線物相分析，常用方法是（ c ）。
a. 外標法；b. 內標法；c. 直接比較法；d. k值法。
30、x射線物相定性分析時，若已知材料的物相可以查（ c ）進行核對。
a. 哈氏無機數值索引；b. 芬克無機數值索引；c.戴維無機字母索引；d. a或b。
31、pdf卡片中，資料最可靠的用（ b ）表示
a、i b、★ c、○ d、c
32、pdf卡片中，資料可靠程度最低的用（ c ）表示
a、i b、★ c、○ d、c
33、將所需物相的純物質另外單獨標定，然後與多項混合物中待測相的相應衍射線強度相比較而進行的定量分析方法稱為（ a ）
a、外標法 b、內標法 c、直接比較法 d、k值法
34、在待測試樣中摻入一定含量的標準物質，把試樣中待測相的某根衍射線條強度與摻入試樣中含量已知的標準物質的某根衍射線條相比較，從而獲得待測相含量的定量分析方法稱為（ b ）
a、外標法 b、內標法 c、直接比較法 d、k值法
35、 透射電子顯微鏡中可以消除的像差是（ b ）。
a．球差 ；b. 像散 ；c. 色差。
36、由於電磁透鏡中心區域和邊緣區域對電子折射能力不同而造成的像差稱為（ a ）
a、球差 b、像散 c、色差 d、背散
37、由於透鏡磁場非旋轉對稱而引起的像差稱為（ b ）
a、球差 b、像散 c、色差 d、背散
38、由於入射電子波長的非單一性造成的像差稱為（ c ）
a、球差 b、像散 c、色差 d、背散
39、製造出世界上第一台透射電子顯微鏡的是（ b ）
a、德布羅意 b、魯斯卡 c、德拜 d、布拉格
40、透射電鏡中電子槍的作用是（ a ）
a、電子源 b、會聚電子束 c、形成第一副高解析度電子顯微影象 d、進一步放大物鏡像
41、透射電鏡中聚光鏡的作用是（ b ）
a、電子源 b、會聚電子束 c、形成第一副高解析度電子顯微影象 d、進一步放大物鏡像
42、透射電鏡中物鏡的作用是（ c ）
a、電子源 b、會聚電子束 c、形成第一副高解析度電子顯微影象 d、進一步放大物鏡像
43、透射電鏡中電中間鏡的作用是（ d ）
a、電子源 b、會聚電子束 c、形成第一副高解析度電子顯微影象 d、進一步放大物鏡像
44、能提高透射電鏡成像襯度的光闌是（b ）
a、第二聚光鏡光闌 b、物鏡光闌 c、選區光闌 d、索拉光闌
45、物鏡光闌安放在（ c ）
a、物鏡的物平面 b、物鏡的像平面 c、物鏡的背焦面 d、物鏡的前焦面
46、選區光闌在tem鏡筒中的位置是（ b ）
a、物鏡的物平面 b、物鏡的像平面 c、物鏡的背焦面 d、物鏡的前焦面
47、電子衍射成像時是將（ a ）
a、中間鏡的物平面與與物鏡的背焦面重合 b、中間鏡的物平面與與物鏡的像平面重合 c、關閉中間鏡 d、關閉物鏡
48、透射電鏡成形貌像時是將（ b ）
a、中間鏡的物平面與與物鏡的背焦面重合 b、中間鏡的物平面與與物鏡的像平面重合 c、關閉中間鏡 d、關閉物鏡
49、為了減小物鏡的球差，往往在物鏡的背焦面上安放乙個（ b ）
a、第二聚光鏡光闌 b、物鏡光闌 c、選區光闌 d、索拉光闌
50、若h-800電鏡的最高解析度是0.5nm，那麼這台電鏡的有效放大倍數是（ c ）。
a. 1000；b. 10000；c. 40000；d.600000。
51、單晶體電子衍射花樣是（ a ）。
a. 規則的平行四邊形斑點；b. 同心圓環；c. 暈環；d.不規則斑點。
52、 薄片狀晶體的倒易點形狀是（ c ）。
a. 尺寸很小的倒易點；b. 尺寸很大的球；c. 有一定長度的倒易杆；d. 倒易圓盤。
53、 當偏離向量s<0時，倒易點是在厄瓦爾德球的（ a ）。
a. 球面外；b. 球面上；c. 球面內；d. b+c。
54、 能幫助消除180不唯一性的複雜衍射花樣是（ a ）。
a. 高階勞厄斑；b. 超結構斑點；c. 二次衍射斑；d. 孿晶斑點。
55、 菊池線可以幫助（ d ）。
a. 估計樣品的厚度；b. 確定180不唯一性；c. 鑑別有序固溶體；d. 精確測定晶體取向。
56、 如果單晶體衍射花樣是正六邊形，那麼晶體結構是（ d ）。
a. 六方結構；b. 立方結構；c. 四方結構；d. a或b。
57、有一倒易向量為g 2a 2b c ，與它對應的正空間晶面是（ c ）。
a. （210）；b. （220）；c. （221）；d. （110）；。
58、將某一衍射斑點移到螢光屏中心並用物鏡光欄套住該衍射斑點成像，這是（ c ）。
a. 明場像；b. 暗場像；c. 中心暗場像；d.弱束暗場像。
59、 當t=5s/2時，衍射強度為（ d ）。
a.ig=0；b. ig<0；c. ig>0；d. ig=imax。
60、 已知一位錯線在選擇操作反射g1=（110）和g2=（111）時，位錯不可見，那麼它的布氏向量是（ b ）。
a. b=（0 -1 0）；b. b=（1 -1 0）；c. b=（0 -1 1）；d. b=（0 1 0）。
61、 當第二相粒子與基體呈共格關係時，此時的成像襯度是（ c ）。
a. 質厚襯度；b. 衍襯襯度；c. 應變場襯度；d. 相位襯度。
62、當第二相粒子與基體呈共格關係時，此時所看到的粒子大小（ b ）。
a. 小於真實粒子大小；b. 是應變場大小；c. 與真實粒子一樣大小；d. 遠遠大於真實粒子。
63、中心暗場像的成像操作方法是（ c ）。
a．以物鏡光欄套住透射斑；b．以物鏡光欄套住衍射斑；c．將衍射斑移至中心並以物鏡光欄套住透射斑。
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