半導體製造工藝
npn高頻小功率電晶體製造的工藝流程為：
外延片——編批——清洗——水汽氧化——一次光刻——檢查——清洗——幹氧氧化——硼注入——清洗——udo澱積——清洗——硼再擴散——二次光刻——檢查——單結測試——清洗——幹氧氧化——磷注入——清洗——鋁下cvd——清洗——發射區再擴散——三次光刻——檢查——雙結測試——清洗——鋁蒸發——四次光刻——檢查——氫氣合金——正向測試——清洗——鋁上cvd——檢查——五次光刻——檢查——氮氣烘焙——檢查——中測——中測檢查——粘片——減薄——減薄後處理——檢查——清洗——背面蒸發——貼膜——劃片——檢查——裂片——外觀檢查——綜合檢查——入中間庫。
pnp小功率電晶體製造的工藝流程為：
外延片——編批——擦片——前處理——一次氧化——qc檢查（tox）——一次光刻——qc檢查——前處理——基區csd塗覆——csd預澱積——後處理——qc檢查（r□）——前處理——基區氧化擴散——qc檢查（tox、r□）——二次光刻——qc檢查——單結測試——前處理——pocl3預澱積——後處理（p液）——qc檢查——前處理——發射區氧化——qc檢查（tox）——前處理——發射區再擴散（r□）——前處理——鋁下cvd——qc檢查（tox、r□）——前處理——hcl氧化——前處理——氫氣處理——三次光刻——qc檢查——追擴散——雙結測試——前處理——鋁蒸發——qc檢查（tal）——四次光刻——qc檢查——前處理——氮氣合金——氮氣烘焙——qc檢查（ts）——五次光刻——qc檢查——大片測試——中測——中測檢查（——粘片——減薄——減薄後處理——檢查——清洗——背面蒸發——貼膜——劃片——檢查——裂片——外觀檢查）——綜合檢查——入中間庫。
gr平面品種（小功率三極體）工藝流程為：
編批——擦片——前處理——一次氧化——qc檢查（tox）——一次光刻——qc檢查——前處理——基區幹氧氧化——qc檢查（tox）——一gr光刻（不腐蝕）——gr硼注入——濕法去膠——前處理——gr基區擴散——qc檢查（xj、r□）——硼注入——前處理——基區擴散與氧化——qc檢查（xj、tox、r□）——二次光刻——qc檢查——單結測試——前處理——發射區幹氧氧化——qc檢查（tox）——磷注入——前處理——發射區氧化和再擴散——前處理——pocl3預澱積（r□）——後處理——前處理——鋁下cvd——qc檢查（tox）——前處理——氮氣退火——三次光刻——qc檢查——雙結測試——前處理——鋁蒸發——qc檢查（tal）——四次光刻——qc檢查——前處理——氮氣合金——氮氣烘焙——正向測試——五次光刻——qc檢查——大片測試——中測編批——中測——中測檢查——入中間庫。
雙基區節能燈品種工藝流程為：
編批——擦片——前處理——一次氧化——qc檢查（tox）——一次光刻——qc檢查——前處理——基區幹氧氧化——qc檢查（tox）——一硼注入——前處理——基區擴散——後處理——qc檢查（xj、r□）——前處理——基區csd塗覆——csd預澱積——後處理——qc檢查（r□）——前處理——基區氧化與擴散——qc檢查（xj、tox、r□）——二次光刻——qc檢查——單結測試——磷注入——前處理——發射區氧化——前處理——發射區再擴散——前處理——pocl3預澱積（r□）——後處理——前處理——hcl退火、n2退火——三次光刻——qc檢查——雙結測試——前處理——鋁蒸發——qc檢查（tal）——四次光刻——qc檢查——前處理——氮氫合金——氮氣烘焙——正向測試（ts）——外協作（ts）——前處理——五次光刻——qc檢查——大片測試——測試ts——中測編批——中測——中測檢查——入中間庫。
變容管製造的工藝流程為：
外延片——編批——擦片——前處理——一次氧化——qc檢查——n+光刻——qc檢查——前處理——幹氧氧化——qc檢查——p+注入——前處理——n+擴散——p+光刻——qc檢查——硼注入1——前處理——cvd（lto）——qc檢查——硼注入2——前處理——lpcvd——qc檢查——前處理——p+擴散——特性光刻——電容測試——是否再加擴——電容測試——......（直到達到電容測試要求）——三次光刻——qc檢查——前處理——鋁蒸發——qc檢查（tal）——鋁反刻——qc檢查——前處理——氫氣合金——氮氣烘焙——大片測試——中測——電容測試——粘片——減薄——qc檢查——前處理——背面蒸發——綜合檢查——入中間庫。
p+擴散時間越長，相同條件下電容越小。
穩壓管（n襯底）製造的工藝流程為：
外延片——編批——擦片——前處理——一次氧化——qc檢查——p+光刻——qc檢查——前處理——幹氧氧化——qc檢查——硼注入——前處理——鋁下udo——qc檢查——前處理——p+擴散——特性光刻——擴散測試（反向測試）——前處理——是否要p+追擴——三次光刻——qc檢查——前處理——鋁蒸發——qc檢查（tal）——四次光刻——qc檢查——前處理——氮氣合金——氮氣烘焙——大片測試——中測。
p+擴散時間越長，相同條件下反向擊穿電壓越高。
肖特基二極體基本的製造工藝流程為：
編批——擦片——前處理——一次氧化——qc檢查（tox）——p+光刻——qc檢查——硼注入——前處理——p+擴散與氧化——qc檢查（xj，r□，tox）——三次光刻——qc檢查——前處理——鉻濺射前泡酸——鉻濺射——qc檢查（tcr）——先行片熱處理——先行片後處理——特性檢測（先行片：vbr，ir）——熱處理——後處理——特性測試（vbr，ir）——前處理——鈦/鋁蒸發——qc檢查（tal）——四次光刻——qc檢查——前處理——氮氣合金先行（vbr，ir）——氮氣合金——特性測試（vbr，ir）——大片測試——中測——反向測試（抗靜電測試）——中測檢驗——如中轉庫。
目錄外延 6
氣相外延生長機理 6
外延層的雜質分布 6
外延系統和工藝過程 7
外延質量和檢驗 7
三擴 8
清洗處理 8
前處理 9
腐蝕 9
預澱積 9
中處理 9
主擴散 9
後處理 10
氧化 10
檢驗 10
修片 10
編批打標 10
氧化 11
一、二氧化矽結構 11
二、二氧化矽性質 11
三、二氧化矽應用 11
四、二氧化矽薄膜的製備 12
五、氧化裝置 14
六、二氧化矽薄膜質量 14
擴散 15
csd塗源擴散（硼源） 15
pocl3擴散 15
離子注入再擴散 16
先行片 16
結特性引數異常 17
重要的工藝引數 17
擴散質量 17
離子注入 18
正面蒸鋁 20
一、前處理 20
二、正面蒸鋁 20
三、合金化 21
四、正面蒸鋁後qc檢驗 22
光刻 22
前處理 22
塗膠 23
對版** 24
顯影 24
顯影後檢查 24
後烘堅膜 24
刻蝕 25
cvd 28
一、apcvd：常壓cvd 29
二、lpcvd：低壓cvd 29
三、pecvd：等離子增強cvd 30
鈍化 32
清洗 33
自動清洗 33
手動清洗 33
中測 33
晶元後工序（減薄、背蒸） 34
磨拋 34
一、減薄 34
二、拋光 35
三、去蠟、清洗 35
四、檢驗 36
背蒸 36
一、前處理 36
二、背蒸 36
半導體製造技術題庫詳解
以下是我們36位同學合作的結果，請大家務必珍惜。23 題 36 1 分別簡述rvd和gild的原理，它們的優缺點及應用方向。答 快速氣相摻雜 rvd,rapid vapor phase doping 是一種摻雜劑從氣相直接向矽中擴散 並能形成超淺結的快速摻雜工藝。原理是利用快速熱處理過程 rtp 將...
PCB板製造工藝流程
pcb板的分類 1 按層數分 單面板 雙面板 多層板 2 按鍍層工藝分 熱風整平板 化學沉金板 全板鍍金板 熱風整平 金手指3 化學沉金 金手指4 全板鍍金 金手指5 沉錫 沉銀 osp板 各種工藝多層板流程 熱風整平多層板流程 開料 內層影象轉移 內層磨板 內層貼膜 菲林對位 顯影 蝕刻 褪膜 a...
壓力容器製造工藝流程
2007年4月，公司因取 壓力容器製造許可證 需試製一台壓力容器。公司決定試製一台自用的儲氣罐，規格 1000 2418 10，設計壓力1.78mpa，設計溫度40 屬二類壓力容器。通過該壓力容器的試製，對壓力容器的製造工藝流程有了更深的了解。工藝流程 下料 成型 焊接 無損檢測 組對 焊接 無損檢...