3、絕緣柵雙極電晶體的熱阻測試。測量絕緣柵雙極電晶體在特定電壓、電流和持續脈衝下的熱阻。該方法用來測試乙個加熱脈衝的結的熱響應時間。
特別地，該試驗可測試直流熱阻，這要求持續脈衝和加熱功率大小的恰當選擇。
4、 gaas的熱阻測試。測量mosfet在特定電壓、電流和脈衝寬度下的熱阻。以柵源二極體的壓降為溫敏引數。該方法主要針對封裝好的器件。
5、橋式整流器的熱阻測試。
6、熱阻（集電極關斷電流法）。本試驗測量特定條件下器件的熱阻。該方法主要用於測量具有較大熱響應時間的鍺器件。
7、電晶體的穩態和瞬態熱阻測試。本試驗測量電晶體的熱效能。測試方法類似於老化和壽命試驗中結溫的測量。
8、熱阻（直流前置電壓降,發射極, 連續法）。本試驗測量特定條件下器件的熱阻。
9、熱阻（前置電壓降，集電極結, 二極體法）。本試驗測量特定條件下器件的熱阻。該方法主要用於測量具有較大熱響應時間的鍺器件。
10、熱響應時間。測量結溫變化達到最終值90%所需要的時間，結溫變化是在器件參考點溫度保持不變的情況下，由於功耗的階躍變化造成的。
11、熱時間常數。測量結溫變化達到最終值63.2%所需要的時間。
12、熱阻，通用。測量穩態條件下，指定結的單位功耗的溫公升或環境溫度。測試熱阻的裝置應滿足器件使用手冊的最低要求。
13、垂直功率mosfet的熱阻測試（漏源電壓法）。測量mosfet在特定電壓、電流和持續脈衝下的熱阻。以對溫度敏感的源漏二極體電壓作為溫敏引數。
該方法主要針對具有較長熱響應時間的增強型功率mosfet。
14、半導體閘流管熱阻測試。測試特定條件下半導體閘流管的熱阻。
bs iec 60747-1定義了一般元器件的熱衰減因子、等效熱網路、瞬態熱阻，並規定了測試方法中的熱條件。通常情況下，熱條件的控制程度只有當被測效能明顯依賴於溫度時才需要。如果從激勵源工作到測試的時間加倍後，在充許誤差內沒有引起結果的明顯變化，需考慮到熱平衡。
對於環境溫度額定的器件，當環境溫度低於半導體器件時，如果器件各層周圍的環境溫度大體一致，可採用自然冷卻條件。應在器件的殼以下大約5倍於殼的直徑處測量環境溫度，且不小於10mm。測量應在乙個尺寸適當的無反射壁的腔體內進行。
在器件可能被放置的任何乙個地方，腔體應能維持所規定的溫度，且誤差在內。如果不會使器件降溫，且在正常對流下較大腔體內可獲得相同的結果，腔體內空氣輕微的攪動是允許的。注意：
該測量方法的可重複性很大程度上決定於腔體的造型。對於殼溫額定的器件，測量應在殼——環境熱阻相比結——殼熱阻盡可能小的條件下進行。注意：
這一條件可通過將器件放置在可自動調溫的大塊金屬或油槽裡獲得。對於強制冷卻的器件，測量應嚴格按照資料手冊規定的條件進行。
iec 60747-8 規定了分離元器件——場效應電晶體穩態和瞬態結殼熱阻的測試電路。如果使用的絕緣材料具有變化的溫度係數，如鈹二極體，則該測量手段不可用。有兩種測量途徑：
一是冷卻法。反向二極體的前置電壓作為溫敏引數在固定的參考電流下測量。必須注意的是當測量反向二極體的前置電壓時，源漏通道不導通。
二是加熱法。測試電路和要求與冷卻法相同，測試程式不同。
bs iec 60747-9規定了分離元器件——igbt的結到殼熱阻和瞬態結到殼熱阻的測試電路。
jesd51-1 積體電路熱測試方法－電測試方法（單一半導體器件）。本標準規定了一種單晶元半導體器件的熱特性引數電學測試方法，測試方法利用了電流一定、二極體正向電壓隨結溫成線性變化的關係，適用於熱測試晶元和功能積體電路器件。測試方法侷限於單晶元封裝（測試晶元或者功能晶元）。
任何半導體器件的熱特性在不同的溫度和功率耗散下，都不是乙個常量，因此，通常要求熱測試在接近真實的應用環境下進行。
jesd51-2定義了自然散熱環境下，結－空氣熱阻的測試方法，規定待測smt封裝器件需要組裝在標準測試板上，測試時需將測試板水平放置在靜止空氣箱中防止外來氣氛的干擾。
jesd51-3標準用於測試低熱導率pcb板條件下的器件結－空氣熱阻特性，可用於晶元間封裝熱效能的比較，該標準只適用於引腳間距大於0.35mm的有引腳表面組裝器件，不適用於通孔插裝、bga或插座類器件。
jesd51-4標準定義了引線鍵合型別的半導體晶元的熱阻測試要求，從而使該類非標準測試晶元之間的測試結果差異達到最小。
jesd51-5 標準規定了對直接粘結到pcb上的封裝型別晶元的測試pcb的要求。
jesd51-6 標準定義了結－頂熱特性引數和結－板熱特性引數，規定了強制風冷熱測試環境的要求及其測試方法。
jesd51-7標準用於測試高熱導率pcb板條件下的器件結－空氣熱阻特性，不適用於通孔插裝、bga或插座類器件。
jesd51-8 標準介紹了含兩層銅測試板的結板熱阻的測試方法，該標準不適用於具有非對稱熱流路徑的封裝器件和在封裝一側安裝散熱器的封裝器件。
jesd51-9 標準規定了bga、lga兩種晶元封裝熱測試pcb板的要求，不適用於包含插座或pga的bga器件。
jesd51-10 標準規定了dip和sip封裝器件熱測試pcb板的要求。
jesd51-11 標準規定了pga晶元封裝器件熱測試pcb板的要求。
jesd51-12標準總體介紹了jesd51系列標準定義的電子器件熱特性值的使用方法。以前的定義的參考點表面為器件表面的主要散熱通道，可能是器件的外殼頂部表面，也可能是外殼的底部表面。該標準進一步明確了外殼頂部表面的結殼熱阻定義為，同時詳細說明了結頂熱特性引數和結板熱特性引數的含義。
jesd51-13標準主要對半導體器件熱測試中的常用術語進行了詳細定義。
jesd51-14標準定義了一種新的熱阻測試方法，即具有單一熱傳導路徑的半導體器件結殼熱阻的瞬態熱測試介面法，該標準是在jesd15委員會對半導體封裝器件的熱學表徵技術進行了深入而廣泛地研究討論之後通過的，針對功率型半導體器件的結殼熱阻的熱瞬態測試方法與傳統的穩態測量方法相比，這種新的測試方法具有更高的測試精度和重複性。
jesd51-31標準針對多晶元組件的特點，對上述jesd51系列標準規定的單晶元條件下的熱測試環境進行了適當修正，該標準將多晶元封裝器件分成兩大類，一類是熱源晶元相對於封裝中心位置在x-y方向對稱的封裝器件；另一類是有源晶元或熱源非對稱分布的封裝器件。關於多晶元組件熱測試嚮導的編制工作jesd15委員會正在準備階段。
熱阻的計算方法
首先確定要散熱的電子元器件，明確其工作引數，工作條件，尺寸大小，安裝方式，選擇散熱器的底板大小比元器件安裝面略大一些即可，因為安裝空間的限制，散熱器主要依靠與空氣對流來散熱，超出與元器件接觸面的散熱器，其散熱效果隨與元器件距離的增加而遞減。對於單肋散熱器，如果所需散熱器的寬度在表中空缺，可選擇兩倍或...
熱阻和結溫詳細概念和設計指導
一般，熱阻公式中，tcmax tj p rjc的公式是在假設散熱片足夠大而且接觸足夠良好的情況下才成立的，否則還應該寫成 tcmax tj p rjc rcs rsa rjc表示晶元內部至外殼的熱阻，rcs表示外殼至散熱片的熱阻，rsa表示散熱片的熱阻，沒有散熱片時，tcmax tj p rjc r...
工作標準 熱控
目次前言 ii 1 範圍 1 2 規範性引用檔案 1 3 崗位職責 2 4 崗位技能 2 5 工作目標 2 6 工作內容 3 7 檢查與考核 5 為了規範裝置工程部熱控高階主管崗位的工作，不斷提高本崗位工作績效，制定本標準。本標準由標準化管理委員會提出。本標準由人力資源部歸口。本標準起草單位 裝置工...