IGBT的檢測方法

2021-03-04 05:31:07 字數 690 閱讀 6267

igbt的定義:

igbt是絕緣門極雙極型電晶體(isolated gate bipolar transistor)的代號。也稱為絕緣門極電晶體。由於igbt內具有寄生閘流體,所以也稱作絕緣門極閘流體。

由於它將功率場效電晶體(mosfet)和功率電晶體(gtr)的優點集於一身,既具有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好和驅動電路簡單的優點,又有通態電壓低、耐壓高的優點。因此,很適合作焊接電源的逆變開關用。給逆變焊接電源的發展帶來更廣闊前景。

絕緣門極雙極型電晶體本質上是乙個場效應電晶體。只是在漏極和漏區之間多了乙個p型層。因此,國際電工委員會iec規定:

源極引出的電極端子(含電極端)稱為發射極e,漏極引出的電極端稱為集電極c。

n溝道igbt的圖形符號如下:

igbt的開關作用是通過施加正向柵極電壓形成溝道,給pnp電晶體提供基極電流,使其開通。反之,施加反向柵極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使其關斷。

移去igbt的連線,觀察igbt的外觀是否有損壞。

檢查igbt的g1-e1和g2-e2之間是否導通,如果導通,則igbt損壞。

● 用9v電池給門極g(+)和發射極e(-)施加正電壓,測量集電極c和發射極e的導通情況。

● 用9v電池給門極g(+)和發射極e(-)施加反向電壓,以使igbt關斷。

● 用指標式萬用表測量e1~c1、e2~c2間的導通情況,應為e1→c1、e2→c2方向單嚮導通。

IGBT管檢測方法

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