IGBT模組的原理測量以及判斷方法

2021-03-04 01:28:39 字數 1691 閱讀 7904

3、觸發端子的電阻測量也正常了,一般情況下認為模組基本上是好的。但此時宣布模組絕無問題,似乎尚為時過早。見後敘。

二、離線測量:

1、此法常用於大功率單、雙模組和新購進整合式模組的的測量。

將單、雙管模組脫開電路後(或為新購進的模組),可採用測量場效電晶體子(mosfet) 方法來測試了。mosfet的柵陰極間有乙個結電容的存在,故由此決定了極高的輸入阻抗和電荷保持功能。可利用此一特點有效地檢測igbt管子的好壞。

方法是:將指標式萬用表打到x10k檔,黑表接c極,紅錶筆接e極,此時所測量電阻值近乎無窮大;搭好錶筆不動,用手指將c極與g極碰一下並拿開,指示由無窮大阻值降為200k左右;過幾十秒鐘甚至於更長一點的時間,再測一下c、e間電阻(仍是黑錶筆接c極),仍能保護200k左右的電阻不變;搭好錶筆不動,用手指短接一下g、e極,c、e極之間的電阻又重新變為接近無窮大。

(當然,e極搭黑筆,c極搭紅筆,是乙隻二極體的正向電阻的阻值了。如呈開路狀態,說明igbt管子也是壞的了。以下將此一測量過程略去。)

實際上,用手指碰一下c、g,是給柵、陰結電容充電,拿開手指後,因此電容無放電迴路,故電容上的電荷能保持一段時間。此電容上的充電電壓,為正向激勵電壓,使igbt管子出現微導通,c、e之間的電阻減小;第二次用手指短接g、e時,提供了電容的放電通路,隨著電荷的洩放,igbt的激勵電壓消失,管子變為截止,c、e之間的電阻又趨於無窮大。

手指相當於乙隻阻值為kω級的電阻,提供柵陰極結電容充、放電的通路;因igbt管子的導通需較高的正向激勵電壓(10v以上),所以用萬錶的x10k檔,此檔位內部電池供電為9v或12v,以滿足igbt管子激勵電壓的幅度。

對觸發端子的測量,還可以配合電容表測其容量,以增加判斷的準確度。往往功率容量大的模組,兩端子間的電容值也稍大。

2、下面為雙管模組cm100du-24h和skm75gb128de,及整合式模組fp24r12ke3,用mf47c指標式萬用表,×10k檔測量得出的資料:

cm200y-24nf模組:主端子c1,c2e1 e2 觸發端子c1 e1 c2 e2;觸發後為c、e電阻為250k;

用電容表200nf檔測量為36.7nf,反測(黑筆搭g端子,紅筆搭e端子)為50 nf。skm75gb128de 主端子同上,觸發後c、e電阻為250k;

觸發端子電容:正測4.1 nf,反測12.3 nf。

fp24r12ke3 整合模組,也可採用此法,觸發後為c、e電阻為200k左右;

觸發端子電容正測6.9 nf,反測10.1 nf。

三、**測量或離線測量之後的上電測量,才能最後確定模組的好壞:

修復一台37kw東元變頻器,檢查為逆變模組損壞,型號為cm100du-24h。購得一塊相同型的模組,走了一遍離線測量的所有「程式」,確認模組無問題後,裝機試驗。三相輸出電壓很不平衡,徹底檢查驅動電路確認無故障後,將三相u、v、w輸出對三相供電的零線測量(用指標式萬用表直流500v檔),u相,w相直流成分為零.

而v相約有300v的直流負壓。由此判斷:v相下管導通良好,而上管導通不良,致使v相對零線有負電壓輸出。

而v相上管,恰巧就是新換上的模組。另購乙隻cm100du-24h更換後,三相輸出正常。管子的故障,是內部moseft管子正常,因而**或離線測量均正常。

而內部輸出管c、e極間導通內阻變大。說明了一件事,即使是細緻測量後,認為是好的逆變模組,也不能百分之百斷定就是沒有問題的。萬用表的測量判斷能力畢竟是有限的。

對接入電路上電後反映出的問題,不要存有先入之見,認為模組不可能是壞的,從而造成對故障的誤斷,使檢修走入彎路!

IGBT模組工作原理及其注意事項

1.在使用模組時,盡量不要用手觸控驅動端子部分,當必須要觸控模組端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電後,再觸控 2.在用導電材料連線模組驅動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模組 3.盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓,但柵極...

IGBT模組的材料引數

目前,功率器件和模組均採用引線鍵合的互連工藝和平面封裝結構。圖1為普通igbt模組的解剖圖。圖1 igbt模組結構示意圖 從上圖本文可以看出,igbt模組共由7層結構構成,大致可以分成三部分 晶元,dbc和基板。每部分之間由焊錫連線而成。本文知道igbt是在閘流體的基礎上發展而來,但與傳統的閘流體相...

IGBT的工作原理

igbt的工作原理是什麼?igbt的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在igbt的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則mosfet導通,這樣pnp電晶體的集電極與基極之間成低阻狀態而使得電晶體導通 若igbt的柵極和發射極之間電壓為0v,則mosfet截止,切斷pnp電晶體基極電流的供給,使得電晶體截...