igbt的工作原理是什麼?
igbt的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在igbt的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則mosfet導通,這樣pnp電晶體的集電極與基極之間成低阻狀態而使得電晶體導通;若igbt的柵極和發射極之間電壓為0v,則mosfet截止,切斷pnp電晶體基極電流的供給,使得電晶體截止。
由此可知,igbt的安全可靠與否主要由以下因素決定：
——igbt柵極與發射極之間的電壓;
——igbt集電極與發射極之間的電壓;
——流過igbt集電極－發射極的電流;
——igbt的結溫。
如果igbt柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則igbt不能穩定正常地工作,如果過高超過柵極－發射極之間的耐壓則igbt可能永久性損壞;同樣,如果加在igbt集電極與發射極允許的電壓超過集電極－發射極之間的耐壓,流過igbt集電極－發射極的電流超過集電極－發射極允許的最大電流,igbt的結溫超過其結溫的允許值,igbt都可能會永久性損壞。
絕緣柵極雙極型電晶體（igbt）
IGBT工作原理
igbt 的工作原理是什麼?igbt 的等效電路如圖1所示。由圖1可知 知，若在igbt 的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則mosfet 導通，這樣pnp 電晶體的集電極與基極之間成低阻狀態而使得電晶體導通 若igbt 的柵極和發射極之間電壓為0v，則mosfet 截止，切斷pnp 電晶體 基極電...
IGBT的工作原理和工作特性
igbt的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給pnp電晶體提供基極電流，使igbt導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使igbt關斷。igbt的驅動方法和mosfet基本相同，只需控制輸入極n一溝道mosfet，所以具有高輸入阻抗特性。當mosfet的溝道形成後，從p 基極注入...
IGBT的工作原理和工作特性
igbt的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給pnp電晶體提供基極電流，使igbt導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使igbt關斷。igbt的驅動方法和mosfet基本相同，只需控制輸入極n一溝道mosfet，所以具有高輸入阻抗特性。當mosfet的溝道形成後，從p 基極注入...
IGBT的工作原理和工作特性
igbt的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給pnp電晶體提供基極電流，使igbt導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使igbt關斷。igbt的驅動方法和mosfet基本相同，只需控制輸入極n一溝道mosfet，所以具有高輸入阻抗特性。當mosfet的溝道形成後，從p 基極注入...
IGBT的工作原理和工作特性
uds on uj1 udr idroh 2 14 式中 uj1 ji 結的正向電壓，其值為 0.7 iv udr 擴充套件電阻 rdr 上的壓降 roh 溝道電阻。通態電流 ids 可用下式表示 ids 1 bpnp imos 2 15 式中 imos 流過 mosfet 的電流。由於 n 區存在...