uds(on) ＝ uj1 ＋ udr ＋ idroh （ 2 － 14 ）
式中 uj1 —— ji 結的正向電壓，其值為 0.7 ～ iv ；
udr ——擴充套件電阻 rdr 上的壓降；
roh ——溝道電阻。
通態電流 ids 可用下式表示：
ids=(1+bpnp)imos(2 － 15 ）
式中 imos ——流過 mosfet 的電流。
由於 n+ 區存在電導調製效應，所以 igbt 的通態壓降小，耐壓 1000v 的 igbt 通態壓降為 2 ～ 3v 。
igbt 處於斷態時，只有很小的洩漏電流存在。
2 ．動態特性 igbt 在開通過程中，大部分時間是作為 mosfet 來執行的，只是在漏源電壓 uds 下降過程後期， pnp 電晶體由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。 td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上公升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間 ton 即為 td(on)tri 之和。
漏源電壓的下降時間由 tfe1 和 tfe2 組成，如圖 2 － 58 所示
igbt 在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。因為 mosfet 關斷後， pnp 電晶體的儲存電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間， td(off) 為關斷延遲時間， trv 為電壓 uds(f) 的上公升時間。實際應用中常常給出的漏極電流的下降時間 tf 由圖 2 － 59 中的 t(f1) 和 t(f2) 兩段組成，而漏極電流的關斷時間
t(off)=td(off)+trv 十 t(f) （ 2 － 16 ）
式中， td(off) 與 trv 之和又稱為儲存時間。
IGBT的工作原理和工作特性
igbt的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給pnp電晶體提供基極電流，使igbt導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使igbt關斷。igbt的驅動方法和mosfet基本相同，只需控制輸入極n一溝道mosfet，所以具有高輸入阻抗特性。當mosfet的溝道形成後，從p 基極注入...
IGBT的工作原理和工作特性
igbt的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給pnp電晶體提供基極電流，使igbt導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使igbt關斷。igbt的驅動方法和mosfet基本相同，只需控制輸入極n一溝道mosfet，所以具有高輸入阻抗特性。當mosfet的溝道形成後，從p 基極注入...
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igbt的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給pnp電晶體提供基極電流，使igbt導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使igbt關斷。igbt的驅動方法和mosfet基本相同，只需控制輸入極n一溝道mosfet，所以具有高輸入阻抗特性。當mosfet的溝道形成後，從p 基極注入...