華僑大學 2012 積體電路分析與設計試卷a
班級姓名學號成績
一．填空題（每空1分，共10分）
1、與其它型別的電晶體相比，mos器件的尺寸很容易按比例____（縮小、增大），cmos電路被證明具有____（較低、較高）的製造成本。
2、放大應用時，通常使mos管工作在____（飽和區、線性區），電流受柵源過驅動電壓控制，我們定義____（跨導、電導）來表示電壓轉換電流的能力。
3、λ為溝長調製效應係數，對於較長的溝道，λ值____（較大、較小）。
4、源跟隨器主要應用是起到___ ___（電壓緩衝器、電平移動）的作用。
5、共源共柵放大器結構的乙個重要特性就是____（輸出阻抗、輸入阻抗）很高，因此可以做成___ ___（恆定電流源、恆定電壓源）。
6、由於_尾電流源輸出阻抗為___ ___（有限值、無限值）或___ ___（電路完全對稱、電路不完全對稱）等因素，共模輸入電平的變化會引起差動輸出的改變。
二．簡答（每題2分，共10分）
1、什麼是nmos管的溝道調製效應？寫出nmos管的具有溝道調製效應漏極電流的計算公式。
2、什麼是體效應？體效應會對電路產生什麼影響？
3、 「mos器件即使沒有傳輸電流也可能導通」，這種說法正確麼？為什麼？
4、帶有源極負反饋的共源極放大電路相對於基本共源極電路有什麼優點？
5、什麼是亞閾值導電效應？
三．畫圖題（每題10分，共20分）
1、對於下圖電路。畫出關於的函式曲線草圖，從0變化到5v。其中：λ=γ=0,vth=0.7v。
2、畫出nmos帶有負反饋電阻rs的共源放大器考慮溝道調製效應、襯底效應的低頻小訊號等效電路(不包括nmos負載電阻rd)。
四．分析計算題（共60分）
1、對於下圖所示電路。計算小訊號電壓增益，其中，(w/l)1=40/1,(w/l)2=10/1, id1=id2=1ma，μncox=50μa/v2，ro1=ro2=20kω(忽略m2 的襯底效應)。（10分）
2、採用電流源負載的共源放大器如下圖所示，其中：m2和m3的尺寸相同，假設在忽略溝道調製效應和襯底效應條件下，流過m2和m3的電流相同，如果mos管的λn=0.1，λp=0.
2, kn=50μa/v2，求該電路的跨導、輸出電阻和小訊號增益。（10分）
3、在下圖所示的採用二極體連線負載的差動對電路中，，，λn=0.1，λp=0.2，差動對的引數為：
(w/l)1,2=50/0.5，(w/l)3,4=10/0.5，iss=0.
5ma，iss由nmos來提供，(w/l)ss=50/0.5。（共20分，每題10分）求：
a）求電路的小訊號差動增益
b）若m3管和m4管的溝道寬度失配，分別為w3=10m和w4=11m，那麼電路的共模抑制比(cmrr)為多少？
4、寫出下圖共源共柵電流源的低頻小訊號輸出電阻和最小輸出電壓（假設：所有mos管的尺寸相同）。（20分）
《積體電路原理與設計》重點內容總結
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