SiO2和SiN的研究

2022-12-02 11:42:05 字數 566 閱讀 1956

siox 降低介面態,與矽更好匹配

sinx這方面不夠

想做好鈍化先sio2後sin

想做比較好的光學性質反之。。

我覺得熱生長sio2的鈍化效果要更好。從鈍化機理上看,熱生長形成一層緻密的sio2,這樣表面的懸掛健可以完全的被鈍化,而且這種鈍化效果時間基本上是永久的,除非sio2被破壞。而sinx:

h的鈍化機理完全是依靠h,所以h的含量決定鈍化的好壞,但h是會逃逸的,在燒結有大量的h會逃逸,所以通常元件會在2年後有一定的效率衰減,就是這個原因。

首先,任何高效的晶矽電池都用了sio2做鈍化,熱氧化sio優點就是熱穩定性好,包括背面鈍化!如perl。pecvd鍍sio2不知道氣體源用啥!

以前看文獻也認為燒結會使h逃逸,少子壽命降低,今天剛鍍膜sin後拿到爐子(centrotherm)裡走了一遍(不印刷),測量燒結前後少子壽命和反向飽和,少子變大,飽和變小!即使在燒第二遍,少子和飽和與第一次燒結也沒太大變化。我覺得快燒的這個過程並不像文獻說的那樣,文獻裡高溫下h逃逸主要是指退火處理(時間較長)。

但也有文獻指出:與時間(高溫段)少子的降低更取決與峰值溫度。所以還是要根據具體裝置和工藝而定。

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