DDR2走線規則

2022-08-22 00:48:04 字數 1658 閱讀 3093

疊層設定:

1、對於同一組資料線及其對應的dqstrobe線,如dq[7:0]、dm0與dqs0、dqs0#,應布在同一層,以減小訊號skew。

2、ddr2訊號線的參考平面最好是選擇地平面(尤其是時鐘線),如果基於成本考慮,不得不選用電源層作為參考面,則ddr2供電電源平面需包圍整個ddr2走線範圍,且邊緣要留有餘量,電源與地平面間的阻抗在整個頻寬範圍內要足夠低。

線長匹配:

1、走線增加乙個過孔,大概相當於增加了90mil的傳輸線長度。2、對於走線長度應把封裝內部引線長度計算在內。

3、各訊號線的長度匹配如下表:(控制線:cs、cke、odt;命令線:address、bankaddress、ras、cas、we;資料線:dq、dm)

訊號類別

最小長度

最大長度

控制線時鐘線長度-500mil時鐘線長度-0命令線

時鐘線長度-500mil時鐘線長度+500mil資料strobe線

時鐘線長度-250mil

時鐘線長度+250mil資料線-資料strobe線(同一資料組)

strobe長度-220milstrobe長度-180mil

4、時鐘訊號差分對的長度差應控制在5mil以內。

5、在能夠滿足佈線空間的情況下,走線長度越短越好,一般控制在5000mil以內,可以以時鐘線作為參考線。

串擾:1、對於蛇行走線,各線段之間的間距應至少為走線寬度的兩倍(邊沿到邊沿)。2、ddr2訊號線與非ddr2訊號線之間的間距應大於25mil。

3、時鐘、dqs等差分線與其它ddr2訊號線的間距應大於20mil。

4、同一組命令線,同一組控制線或同一組資料線間的走線間距應大於走線寬度1.5倍(最好2倍以上),而不同組間的訊號線間距應大於走線寬度的2倍(最好3倍以上)。

5、在扇出線區域,由於空間限制,不能滿足走線寬度和間距要求時,可適當減小走線寬度及減小走線間距,但該扇出線長度應小於500mil。

6、扇出線過孔應盡量靠近焊盤,如有可能,最好打焊盤孔。7、每條訊號線的過孔數最好不要超過兩個。

8、vref參考電壓線要有足夠低的阻抗,且與其它ddr2訊號線的間距大於25mil。

阻抗匹配:

1、ddr2800訊號走線單端阻抗應設定成50ω

2、對於控制命令線、時鐘線要進行阻抗匹配,可採用源端串聯匹配或末端併聯匹配。(源端匹配具有較小的驅動功率,但上公升沿時間是末端匹配的兩倍,且一般驅動器的hi和lo驅動電阻不一樣,較難得到精確的匹配阻值,源端匹配一般只適合於點對點拓撲)。

3、對於單端訊號線,源端端接電阻加驅動電阻值等於走線阻抗;而末端端接電阻等於走線阻抗,端接電壓為ddr2供電電壓的一半,通常需使用專用的ddr2端接穩壓電源,在整個頻寬範圍內具有低阻抗,高動態響應能力等效能。

4、clock、datastrobe等差分訊號線應盡量設計成緊耦合差分對,即差分對內間距應小於走線寬度。走線應對稱,如同時改變線寬,同時打過孔等。

5、對於clock差分訊號線,如有兩個負載,則各分支線長度應盡量短且對稱,每條分支線末端用200ω電阻進行併聯端接。

6、併聯端接電阻的走線長度應控制在250mil以內。對於點對點拓撲的末端端接電阻,應放在接收器後面。

對於控制命令線,如有多個負載,應採用星型連線,各分支線長度應短且對稱,並在分支點進行阻抗匹配,阻值等於走線阻抗。(如圖:其中l2大於250mil,小於1500mil;l3小於250mil;各分支對稱段的長度偏差應小於50mil)

DDR走線規則

1 時鐘訊號 1 差分布線,差分阻抗100歐姆,差分線誤差 5mil。2 與其它訊號的間距要大於25mil,而且是指edge to edge的間距 3 clk等長,誤差 10mil。2 資料訊號 1 資料訊號分為八組,每組單獨分開走線,第一組為ddr dq 0 7 ddr dqsp0 ddr dqs...

如何從外觀上區分DDR與DDR2的記憶體

ddr和ddr2記憶體相信大家都會很熟悉,現在以ddr2為核心技術的記憶體各方達到成熟而成為主流。效能方面比起上一代ddr來也提高了一倍。而 方面主要是因為ddr記憶體逐漸退出了市場,商家的庫存量相對於注流的ddr2來說要少,所以ddr記憶體 上要比ddr2要高出一些。下面就言歸正傳吧,給大家介紹一...

DDR和DDR2,DDR3的區別

ddr和ddr2,ddr3的區別以及如何從外觀上分辨出來 記憶體現在有三種ddr,ddr2,ddr3.三種有什麼不同呢.怎麼從外觀上來分辨呢.sdram在乙個時鐘週期內只傳輸一次資料,它是在時鐘的上公升期進行資料傳輸 而ddr記憶體則是乙個時鐘週期內傳輸兩次資料,它能夠在時鐘的上公升期和下降期各傳輸...