DDR走線規則

2022-11-15 14:27:05 字數 1850 閱讀 7014

1.時鐘訊號

(1) 差分布線,差分阻抗100歐姆,差分線誤差±5mil。

(2) 與其它訊號的間距要大於25mil,而且是指edge to edge的間距

(3) clk等長,誤差±10mil。

2.資料訊號:

(1) 資料訊號分為八組,每組單獨分開走線,第一組為ddr_dq[0:7]、ddr_dqsp0、ddr_dqsn0、ddr_dqm0,以此類推,同組訊號在同一層走線。

(2) dq和dqm為點對點佈線,

(3) dqs為差分布線。差分線誤差±5mil,差分阻抗100歐姆。

(4) 組內間距要大於12mil,而且是指edge to edge的間距,同組內dq與dqm以dqs為基準等長,誤差±5mil。

(5) dqs與ddr2_clkp等長,誤差±5mil。

(6) 不同組訊號間距:大於20mil(edge to edge的間距)

(7) ddr_ckn/p之間的併聯100歐姆電阻,需要放置在訊號一分二的分叉地方

(8) 盡可能減少過孔

(9) 疊層設計的時候,最好將每一層阻抗線寬,控制在差不多寬度

(10) 訊號走線長度,不超過2500mil

3.控制訊號和位址訊號:

(1) 組內間距要大於12mil,而且是指edge to edge的間距

(2) 所有控制線須等長,誤差±10mil。

(3 不同組訊號間距:大於20mil(edge to edge的間距)

4.其它訊號

ddr_vref走線寬度20mil以上。

無論是pcb上使用晶元還是採用dimm條,ddr和ddrx(包括ddr2,ddr4等)相對與傳統的同步sdram的讀寫,我認為主要困難有三點:

1,時序。由於ddr採用雙沿觸發,和一般的時鐘單沿觸發的同步電路,在時序計算上有很大不同。ddr之所以雙沿觸發,其實是在晶元內部做了時鐘的倍頻(因為按照耐奎斯特準則,時鐘頻率應該至少是訊號頻率的2倍),對外看起來,資料位址速率和時鐘一樣。

為了保證能夠被判決一組訊號較小的相差skew,ddr對資料dq訊號使用分組同步觸發dqs訊號,所以ddr上要求時序同步的是dq和dqs之間,而不是一般資料和時鐘之間。另外,一般訊號在測試最大和最小飛行時間tflight時,使用的是訊號沿通過測試電平vmeas與低判決門限vinl和和高門限vinh之間來計算,為保證足夠的setup time和hold time,控制飛行時間,對訊號本身沿速度不作考慮。而ddr由於電平低,只取乙個中間電平vref做測試電平,在計算setup time和hold time時,還要考量訊號變化沿速率slew rate,在計算setup time和hold time時要加上額外的slew rate的補償。

這個補償值,在ddr專門的規範或者晶元資料中都有介紹。

2,匹配。drr採用sstl電平,這個特殊buffer要求外接電路提供上拉,值為30~50ohm,電平vtt為高電平一半。這個上拉會提供buffer工作的直流電流,所以電流很大。

此外,為了抑制反射,還需要傳輸線阻抗匹配,串連電阻匹配。這樣的結果就是,在ddr的資料訊號上,兩端各有10~22ohm的串連電阻,靠近ddr端乙個上拉;位址訊號上,發射端乙個串連電阻,靠近ddr端乙個上拉。

3,電源完整性。ddr由於電平擺幅小(如sstl2,為2.5v,sstl1,為1.

8v),對參考電壓穩定度要求很高,特別是vref和vtt,提供ddr時鐘的晶元內部也常常使用模擬鎖相環,對參考電源要求很高;由於vtt提供大電流,要求電源阻抗足夠低,電源引線電感足夠小;此外,ddr同步工作的訊號多,速度快,同步開關雜訊比較嚴重,合理的電源分配和良好的去耦電路十分必要。

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