igbt模組損壞的原因
igbt在使用過程中經常受到容性或感性負載的衝擊，承受過負荷甚至負載短路等，可能導致igbt損壞。igbt模組在使用時的損壞原因主要有以下幾種情況。
(1)過電流損壞
①鎖定效應。 igbt為復合器件，其內有乙個寄生閘流體，在規定的漏極電流範圍內，npn的正偏壓不足以使npn電晶體導通，當漏極電流大到一定程度時，這個正偏壓足以使npn電晶體開通，進而使npn或pnp電晶體處於飽和狀態，於是寄生閘流體開通，柵極失去了控制作用，便發生了鎖定效應。igbt發生鎖定效應後，集電極電流過大，造成了過高的功耗而導致器件損壞。
②長時間過流執行。igbt模組長時間過流執行是指igbt的執行指標達到或超出rbsoa（反偏安全工作區）所限定的電流安全邊界（如選型失誤、安全係數偏小等），出現這種情況時，電路必須能在電流到達rbsoa限定邊界前立即關斷器件，才能達到保護器件的目的。
③短路超時(>10us)。短路超時是指igbt所承受的電流值達到或超出scsoa（短路安全工作區）所限定的最大邊界，比如4-5倍額定電流時，必須在10us之內關斷igbt。如果此時igbt所承受的最大電壓也超過器件標稱值， igbt必須在更短的時間內被關斷。
(2)過電壓損壞和靜電損壞
igbt在關斷時，由於逆變電路中存在電感成分，關斷瞬間產生尖峰電壓，如果尖峰電壓超過igbt器件的最高峰值電壓，將造成igbt擊穿損壞。igbt過電壓損壞可分為集電極-柵極過電壓、柵極-發射極過電壓、高du/dt過壓電等。大多數過電壓保護的電路設計都比較完善，但是對於由高du/dt所導致的過電壓故障，基本上都是採用無感電容或者rcd結構吸收電路。
由於吸收電路設計的吸收容量不夠而造成igbt損壞，對此可採用電壓鉗位，往往在集電極-柵極兩端並接齊納二極體，採用柵極電壓動態控制，當集電極電壓瞬間超過齊納二極體的鉗位電壓時，超出的電壓將疊加在柵極上（公尺勒效應起作用），避免了igbt因受集電極發射極過電壓而損壞。
採用柵極電壓動態控制可以解決過高的du/dt帶來的集電極發射極瞬間過電壓問題，但是它的弊端是當igbt處於感性負載執行時，半橋結構中處於關斷的igbt，由於其反併聯二極體（續流二極體）的恢復，其集電極-發射極兩端的電壓急劇上公升，從而承受瞬間很高的du/dt。多數情況下，該du/dt值要比igbt正常關斷時的集電極-發射極電壓上公升率高，由於公尺勒電容( cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產生乙個瞬間電流，流向柵極驅動電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導致柵極-發射極電壓uge值的公升高，甚至超過igbt的開通門限電壓uge(th)值。
出現惡劣的情況就是使igbt被誤觸發導通，導致變換器的橋臂短路。
(3)過熱損壞
過熱損壞一般指使用中igbt模組的結溫正超過晶元的最大溫度限定，目前應用的igbt器件還是以tjmax=150℃的npt技術為主流的，為此在igbt模組應用中其結溫應限制在該值以下。
IGBT損壞原因
損壞的解決對策 過電流損壞 為了避免igbt發生擎住效應而損壞，電路設計中應保證igbt的最大工作電流應不超過igbt的idm值，同時注意可適當加大驅動電阻rg的辦法延長關斷時間，減小igbt的di dt。驅動電壓的大小也會影響igbt的擎住效應，驅動電壓低，承受過電流時間長，igbt必須加負偏壓，...
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1 過熱容易損壞集電極,電流過大引起的瞬時過熱及其主要原因,是因散熱不良導致的持續過熱均會使igbt損壞。如果器件持續短路 大電流產生的功耗將引起溫公升，由於晶元的熱容量小，其溫度迅速上公升，若晶元溫度超過矽本徵溫度，器件將失去阻斷能力，柵極控制就無法保護，從而導致igbt失效。實際應用時，一般最高...