1、 脈衝寬度調製（pwm）調光法
這種調光控制法是利用調節高頻逆變器中功率開關管的脈衝占空比，從而實現燈輸出功率的調節。半橋逆變器的最大占空比為0.5，以確保半橋逆變器中的兩個功率開關管之間有乙個死時間，以避免兩個功率開關管由於共態導通而損壞。
這種調光控制法能使功率開關管導通時工作在零電壓開關（zvs）狀態，關斷瞬間需採用吸收電容以達到zcs工作條件，這樣即可進入zvs工作方式，這是它的優點，同時emi和功率開關管的電應力可以明顯降低，然而，如果脈衝占空比太小，以致電感電流不連續，將會失去zvs工作特性，並且由於供電直流電壓較高，而使功率開關管上的電應力加大，這種不連續電流導通狀態將導致電子鎮流器的工作可靠性降低並加大emi輻射。
除了小的脈衝占空比外，當燈電路發生故障時，也會出現功率開關管的不連續電流工作狀態，當燈負載出現開路故障時，電感電流將流過諧振電容，由於這個電容的容量較小，所以阻抗較大，而在這個諧振電容上產生較高的電壓。除非兩個功率開關管有吸收保護電路，否則這時功率開關管將承受很大的電壓應力。
2、 改變半橋逆變器供電電壓調光法
利用改變半橋逆變器供電電壓的方法實現調光有以下優點：
① 利用調節半橋逆變器供電電壓來實現調光。
② 脈衝占空比（約0.5）固定，使半橋逆變器工作在軟開關工作狀態，並可在鎮流電感電流連續的工作條件下實現寬調光範圍的調光（這也可使開關控制電路簡化）。
③ 由於開關工作頻率固定，所以可以針對給定的螢光燈型號簡化控制電路設計。
④ 由於開關工作頻率剛好大於諧振頻率，所以可以降低無功功率和提高電路工作效率。
⑤ 由於開關工作頻率固定，所以可以比較方便地確定燈負載匹配電路中無源器件的引數。
⑥ 可在較寬的燈功率範圍內（5%~100%）保持zvs工作條件。
⑦ 在很低的半橋逆變器供電電壓下，電子鎮流器電路將會失去較開關特性，會出現鎮流電感電流不連續的工作狀態。然而在直流供電電壓很低的情況下，這種工作狀態不再是個問題，這時功率開關管的電應力和損耗都將很小，即使工作在硬開關，在低直流供電電壓情況下（如20v）也不會產生太多的emi輻射。
⑧ 可實現平滑和幾乎線性的燈功率調節控制特性。
⑨ 可得到低功率解決方案，半橋逆變器的供電電壓可以選得很低（如5%~100%的調光範圍對應30~120v），這樣可採用低電壓電容和低耐電壓值的功率mosfet。
⑩ 由於半橋逆變器工作在恆頻狀態，所以可採用簡單的ac/dc控制即可實現調光。
11燈電流近似和dc變換器的直流供電電壓成正比，調光幾乎和逆變器的輸出電壓成正比，調光特性曲線如圖1所示。
3、 脈衝調頻調光法
脈衝調頻調光法（pfm）也是常用的調光方法。如果高頻交流電子鎮流器的開關工作頻率增加，則鎮流電感的阻抗增加，這樣流過鎮流電感的電流就會下降，導致流過燈負載的電流下降，從而實現調光。圖2為4英呎40w螢光燈脈衝調頻調光法的調光特性曲線（脈衝占空比d=0.
45）。
脈衝調頻調光法的侷限性。
① 調光範圍由調頻範圍決定，如果調頻範圍不大，則螢光燈功率調節範圍也不大。
② 為了實現在低螢光燈燈功率工作條件下實現調光，則調頻範圍應很寬（即從25~50khz）。由於磁芯的工作頻率範圍、驅動電路、控制電路等原因都可能很限制螢光燈的調節範圍。
③ 調頻範圍內不易實現軟開關。輕載時，不能實現軟開關，並使功率開關管上的電壓應力加大。硬開關的瞬態過渡是emi輻射的主要**。
④ 如果半橋逆變器不工作在軟開關工作狀態，則會導致逆變器的損耗加大，工作效率降低。
⑤ 開關工作頻率在紅外遙控的工作頻率範圍內時，螢光燈將發射低電平的紅外線，如果調頻範圍很寬，其他的紅外遙控裝置如電視機等將會受到影響。
⑥ 燈工作電流近似反比於逆變器的開關工作頻率，調光與開關頻率之間不是線性關係。
⑦ 當燈管發生開路故障時，電子鎮流器電路將出現電流不連續工作狀態（dcm），特別是當開關頻率很低時。
4、 脈衝調相調光法
利用調節半橋逆變器中兩個功率開關管的導通相位的方法來調節螢光燈輸出功率，從而達到調光的目的（ir的專利技術，如ir2159/ir21591/ir21592就是採用脈衝調相調光法調光的積體電路的積體電路控制晶元）。脈衝調相法調光曲線如圖3所示。
脈衝調相調光控制法主要有以下特點：
① 可調光至1%的燈亮度。
② 可在任意調光設定值下啟動電子鎮流器電路。
③ 可應用於多燈應用（如燈的群控）場合。
④ 調光相位-燈功率關係線性好。
5、 可控矽相控調光法
由於可控矽相控（斬波法）調光具有體積小、**合理和調光功率控制範圍寬的優點，所以可控矽相控調光法是目前使用最為廣泛的調光方法，可控矽調光法可以將螢光燈的光輸出在50%~100%的範圍內調節。但是在螢光燈的電感鎮流應用場合，由於螢光燈電路需用到乙隻「啟輝器」，但是當螢光燈電感鎮流電路在供電電壓較低的應用場合會產生螢光燈啟動困難的問題，這就限制了螢光燈可控矽相控調光的調光範圍。可控矽相控前沿觸發的調光工作波形原理如圖4所示。
電子鎮流器可控矽前沿觸發的相控調光工作原理框圖如圖5所示。
應用可控矽相控工作原理，通過控制可控矽的導通角，將電網輸入的正弦波電壓斬掉一部分，以降低輸出電壓的平均值，達到控制燈電路供電電壓，從頁實現調光。
可控矽相控調光對照明系統的電壓調節速度快，調光精度高，調光引數可以分時段實時調整。由於調光電路主要是電子元件組成，相對來說體積小、裝置質量輕、成本低。但是可控矽相控調光由於是工作在斬波方式，電壓無法實現正弦波輸出，由此出現大量諧波，形成對電網系統的諧波汙染，危害極大，尤其是不能用於有電容補償的電路中。
可控矽相控調光是採用相位控制的方法來實現調光的。對普通反向阻斷型的可控矽，其閘流特性表現為當可控矽加上正向陽極電壓的同時，又加上適當的正向柵極控制電壓時，可控矽就導通；這一導通即使在撤去柵極控制電壓後仍將維持，一直到加上反向陽極電壓或可控矽陽極電流小於可控矽自身的維持電流後才會關斷。
從圖4所示的可控矽前沿觸發的相控調光工作波形原理圖可以看出，在正弦交流電過零後的某一時刻t1（或某一相位wt1），在可控矽的柵極上加一正觸發脈衝，使可控矽觸發導通，根據可控矽的開關特性，這一導通將維持到正弦波的正半周結束。所以在正弦波的正半周（即0~π區間）中，0~wt1範圍內可控矽不導通，這一範圍叫做可控矽的控制角，可控矽控制角常用α表示；而在wt1~π的相位區間可控矽導通，這一範圍（見圖4中的斜線部分）稱為可控矽的導通角，常用φ表示。同樣在正弦交流電的負半周，對處於反向聯接的另乙隻可控矽（相對於兩個單向可控矽的反向併聯而言），在t2時刻（即相位角wt2） 施加觸發脈衝，使其導通。
如此周而復始，對正弦波的每一半週期控制其導通，獲得相同的導通角。如果改變觸發脈衝的觸發時間（或相位），即改變可控矽導通角 φ（或控制角α）的大小。導通角越大電路的輸出電壓越高，相應燈負載的發光越亮。
可見，在可控矽調光電路中，電路輸出的電壓波形已經不再是正弦波了，除非調光電路工作在全導通狀態，即導通角為180° （或導通相位為π）。正是由於正弦波波形被破壞了，調光電路輸出電壓的有效值發生了變化，實現了照明調光，但是由於正弦波波形被破壞，在電路中產生了許多高次諧波，而其中只有基波電壓、電流成分才做功，而高次諧波電壓、電流不做功，產生了大量的無功功率，使電源的利用率、功率因數下降，並且會由於高次諧波的引入，又會產生大量的高頻諧波干擾。所以可控矽調光法是一種較老，但又較為成熟的調光控制方法，在大功率照明調光控制應用場合中有它的優勢。
可控矽相控調光的典型應用電路原理如圖6所示。
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