場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。一般的電晶體是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型電晶體,而fet僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109ω）、雜訊小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
一、場效電晶體的分類
場效電晶體分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效電晶體（jfet）因有兩個pn結而得名，絕緣柵型場效電晶體（jgfet）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效電晶體中，應用最為廣泛的是mos場效電晶體，簡稱mos管（即金屬-氧化物-半導體場效電晶體mosfet）；此外還有pmos、nmos和vmos功率場效電晶體，以及最近剛問世的πmos場效電晶體、vmos功率模組等。
按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和p溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效電晶體又可分成耗盡型與增強型。結型場效電晶體均為耗盡型，絕緣柵型場效電晶體既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應電晶體可分為結場效應電晶體和mos場效應電晶體。而mos場效應電晶體又分為n溝耗盡型和增強型；p溝耗盡型和增強型四大類。見下圖。
二、場效應三極體的型號命名方法
現行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極體相同，第三位字母j代表結型場效電晶體，o代表絕緣柵場效電晶體。第二位字母代表材料，d是p型矽，反型層是n溝道；c是n型矽p溝道。
例如,3dj6d是結型n溝道場效應三極體，3do6c 是絕緣柵型n溝道場效應三極體。
第二種命名方法是cs××#，cs代表場效電晶體，××以數字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規格。例如cs14a、cs45g等。
三、場效電晶體的引數
場效電晶體的引數很多，包括直流引數、交流引數和極限引數，但一般使用時關注以下主要引數：
1、i dss — 飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效電晶體中，柵極電壓u gs=0時的漏源電流。
2、up — 夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效電晶體中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。
3、ut — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。
4、gm — 跨導。是表示柵源電壓u gs — 對漏極電流i d的控制能力，即漏極電流i d變化量與柵源電壓ugs變化量的比值。gm 是衡量場效電晶體放大能力的重要引數。
5、buds — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓ugs一定時，場效電晶體正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限引數，加在場效電晶體上的工作電壓必須小於buds。
6、pd** — 最大耗散功率。也是一項極限引數，是指場效電晶體效能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效電晶體實際功耗應小於pd**並留有一定餘量。
7、id** — 最大漏源電流。是一項極限引數，是指場效電晶體正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效電晶體的工作電流不應超過id**
幾種常用的場效應三極體的主要引數
四、場效電晶體的作用
1、場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2、場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、場效電晶體可以用作可變電阻。
4、場效電晶體可以方便地用作恆流源。
5、場效電晶體可以用作電子開關。
五、場效電晶體的測試
1、結型場效電晶體的管腳識別：
場效電晶體的柵極相當於電晶體的基極，源極和漏極分別對應於電晶體的發射極和集電極。將萬用表置於r×1k檔，用兩錶筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數kω時，則這兩個管腳為漏極d和源極s（可互換），餘下的乙個管腳即為柵極g。
對於有4個管腳的結型場效電晶體，另外一極是遮蔽極（使用中接地）。
2、判定柵極
用萬用表黑錶筆碰觸管子的乙個電極，紅錶筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬於n溝道場效電晶體，黑錶筆接的也是柵極。
製造工藝決定了場效電晶體的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，並不影響電路的正常工作，所以不必加以區分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。
注意不能用此法判定絕緣柵型場效電晶體的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。
3、估測場效電晶體的放大能力
將萬用表撥到r×100檔，紅錶筆接源極s，黑錶筆接漏極d，相當於給場效電晶體加上1.5v的電源電壓。這時表針指示出的是d-s極間電阻值。
然後用手指捏柵極g，將人體的感應電壓作為輸入訊號加到柵極上。由於管子的放大作用，uds和id都將發生變化，也相當於d-s極間電阻發生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經損壞。
由於人體感應的50hz交流電壓較高，而不同的場效電晶體用電阻檔測量時的工作點可能不同，因此用手捏柵極時表針可能向右擺動，也可能向左擺動。少數的管子rds減小，使表針向右擺動，多數管子的rds增大，表針向左擺動。無論表針的擺動方向如何，只要能有明顯地擺動，就說明管子具有放大能力。
本方法也適用於測mos管。為了保護mos場效電晶體，必須用手握住螺釘旋具絕緣柄，用金屬桿去碰柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極上，將管子損壞。
mos管每次測量完畢，g-s結電容上會充有少量電荷，建立起電壓ugs，再接著測時表針可能不動，此時將g-s極間短路一下即可。
目前常用的結型場效電晶體和mos型絕緣柵場效電晶體的管腳順序如下圖所示。
六、常用場效用管
1、mos場效電晶體
即金屬-氧化物-半導體型場效電晶體，英文縮寫為mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），屬於絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015ω）。它也分n溝道管和p溝道管，符號如圖1所示。
通常是將襯底（基板）與源極s接在一起。根據導電方式的不同，mosfet又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：
當vgs=0時管子是呈截止狀態，加上正確的vgs後，多數載流子被吸引到柵極，從而「增強」了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當vgs=0時即形成溝道，加上正確的vgs時，能使多數載流子流出溝道，因而「耗盡」了載流子，使管子轉向截止。
以n溝道為例，它是在p型矽襯底上製成兩個高摻雜濃度的源擴散區n+和漏擴散區n+，再分別引出源極s和漏極d。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。圖1（a）符號中的前頭方向是從外向電，表示從p型材料（襯底）指身n型溝道。
當漏接電源正極，源極接電源負極並使vgs=0時，溝道電流（即漏極電流）id=0。隨著vgs逐漸公升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的n型溝道，當vgs大於管子的開啟電壓vtn（一般約為+2v）時，n溝道管開始導通，形成漏極電流id。
國產n溝道mosfet的典型產品有3do1、3do2、3do4（以上均為單柵管），4do1（雙柵管）。它們的管腳排列（底檢視）見圖2。
mos場效電晶體比較「嬌氣」。這是由於它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（u=q/c），將管子損壞。因此了廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內，使g極與s極呈等電位，防止積累靜電荷。
管子不用時，全部引線也應短接。在測量時應格外小心，並採取相應的防靜電感措施。
mos場效電晶體的檢測方法
（1）．準備工作
測量之前，先把人體對地短路後，才能摸觸mosfet的管腳。最好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然後拆掉導線。
（2）．判定電極
將萬用表撥於r×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極g。交換錶筆重測量，s-d之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑錶筆接的為d極，紅錶筆接的是s極。
日本生產的3sk系列產品，s極與管殼接通，據此很容易確定s極。
（3）．檢查放大能力（跨導）
將g極懸空，黑錶筆接d極，紅錶筆接s極，然後用手指觸控g極，表針應有較大的偏轉。雙柵mos場效電晶體有兩個柵極g1、g2。為區分之，可用手分別觸控g1、g2極，其中表針向左側偏轉幅度較大的為g2極。
目前有的mosfet管在g-s極間增加了保護二極體，平時就不需要把各管腳短路了。
mos場效應電晶體使用注意事項。
mos場效應電晶體在使用時應注意分類，不能隨意互換。mos場效應電晶體由於輸入阻抗高（包括mos積體電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下規則：
（1）. mos器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑膠袋裝。也可用細銅線把各個引腳連線在一起，或用錫紙包裝
（2）.取出的mos器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。
（3）. 焊接用的電烙鐵必須良好接地。
（4）. 在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再mos器件焊接完成後在分開。
（5）. mos器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。
（6）.電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。
（7）. mos場效應電晶體的柵極在允許條件下，最好接入保護二極體。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極體是否損壞。
2、vmos場效電晶體
vmos場效電晶體（vmosfet）簡稱vmos管或功率場效電晶體，其全稱為v型槽mos場效電晶體。它是繼mosfet之後新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了mos場效電晶體輸入阻抗高（≥108w）、驅動電流小（左右0.
1μa左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200v）、工作電流大（1.5a～100a）、輸出功率高（1～250w）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由於它將電子管與功率電晶體之優點集於一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。
眾所周知，傳統的mos場效電晶體的柵極、源極和漏極大大致處於同一水平面的晶元上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。vmos管則不同，從左下圖上可以看出其兩大結構特點:第一，金屬柵極採用v型槽結構；第二，具有垂直導電性。
由於漏極是從晶元的背面引出，所以id不是沿晶元水平流動，而是自重摻雜n+區（源極s）出發，經過p溝道流入輕摻雜n-漂移區，最後垂直向下到達漏極d。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由於在柵極與晶元之間有二氧化矽絕緣層，因此它仍屬於絕緣柵型mos場效電晶體。
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