1：：把萬用表打到歐姆檔
紅筆接d,黑筆接s,有一定電阻值(非0非無窮)
黑筆接d,紅筆接s,此時電阻無窮大.
(因為uds>0時,有id.uds<0時,無id)
這樣就可判斷d,s.餘下那個為g柵極
2：：判斷個屁呀,場效電晶體的管腳定義是世界統一的,從左到右依次為:g,d,s極.
⊙ 手機充電保護端常用場效電晶體 mosfet，推薦型號有： （dfn3*2 封裝） aon4703 ⊙ 充電器、電動玩具、mp4、***、可攜式***、數碼相框、鋰電池等場效電晶體 mosfet，推薦型號有： （sot-23 封裝） single-n 溝道 ao3400 、ao3402 、ao3406 、ao3414 、ao3424 ； single-p 溝道 ao3401 、ao3407 、ao3409 、ao3413、ao3415 、ao3423 ； （soic-8 封裝） single-n 溝道 ao4406 、ao4408、 ao4410 、ao4420 、ao4430 、ao4474 、 ao4456 、ao4468； single-p溝道 ao4405 、ao4407 、ao4409 、 ao4411 、ao4413 、ao4419 、ao4421 、ao4423 、 ao4425 、ao4429、ao4459 ； dual-n 溝道 ao4806 、ao4812 、ao4822、ao4826 、ao4828 、ao9926b ； dual-p 溝道 ao4801 、ao4803 、ao4805 、ao4821 ； （tssop-8 封裝） dual-n 溝道 ao8810 、ao8814 、ao8820 、ao8822 ； （sc70-3 封裝） dual-n 溝道 ao7400 、ao7402 ； dual-p 溝道 ao7401 、ao7405 、ao7407 ； ⊙夜晶顯示器、可攜式***、數碼相框等屏用高壓條，常用場效電晶體 mosfet，推薦型號有：
n+p 溝道 ao4604 、ao4606 、ao4619、ao4620、； ⊙電腦主機板、顯示卡、電動工具、電動玩具、鋰電池等常用場效電晶體 mosfet，推薦型號有： （to-252 封裝） single-n 溝道aod422、aod442、aod444、 aod452 、aod464、aod472 、aod480、ao484 single-p 溝道aod403 、aod407、aod413、ao417 ⊙數碼相框、dvb、通訊網路交換機常用電源 ic，推薦型號有： aoz1010ai 、aoz1013ai 、aoz1014ai 、 aoz1016ai
型號廠家用途構造溝道v111(v) ixing(a) pdpch(w) waixing
1 2sj11 東芝dc, lf a, jchop p 20 -10m 100m 4-2
2 2sj12 東芝dc, lf a,j chop p 20 -10m 100m 4-2
3 2sj13 東芝dc, lf a, jchop p 20 -100m 600m 4-35
4 2sj15 富士通dc, lf a j p 18 -10m 200m 4-1
5 2sj16 富士通dc, lf a j p 18 -10m 200m 4-1
6 2sj17 c-mic j p 20 0.5m 10m 4-47
7 2sj18 lf pa j(v) p 170 -5 63 4-45
8 2sj19 nec lf d j(v) p 140 -100m 800m 4-41
9 2sj20 nec lf pa j(v) p 100 -10 100 4-42
10 2sj22 c-mic j p 80 0.5m 50m
場效電晶體
根據三極體的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐，屬於電壓控制型器件。
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1.概念:
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體.由多數載流子參與導電,也稱為單極型電晶體.它屬於電壓控制型半導體器件.
特點:具有輸入電阻高（100mω～1 000mω）、雜訊小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬、熱穩定性好等優點,現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者.
作用:場效電晶體可應用於放大.由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.
場效電晶體可以用作電子開關.
場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效電晶體可以用作可變電阻.場效電晶體可以方便地用作恆流源.
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2.場效電晶體的分類:
場效電晶體分結型、絕緣柵型(mos)兩大類
按溝道材料:結型和絕緣柵型各分n溝道和p溝道兩種.
按導電方式:耗盡型與增強型,結型場效電晶體均為耗盡型,絕緣柵型場效電晶體既有耗盡型的,也有增強型的。
場效應電晶體可分為結場效應電晶體和mos場效應電晶體,而mos場效應電晶體又分為n溝耗盡型和增強型;p溝耗盡型和增強型四大類.
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3.場效電晶體的主要引數 :
idss — 飽和漏源電流.是指結型或耗盡型絕緣柵場效電晶體中,柵極電壓ugs=0時的漏源電流.
up — 夾斷電壓.是指結型或耗盡型絕緣柵場效電晶體中,使漏源間剛截止時的柵極電壓.
ut — 開啟電壓.是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓.
gm — 跨導.是表示柵源電壓ugs — 對漏極電流id的控制能力,即漏極電流id變化量與柵源電壓ugs變化量的比值.gm 是衡量場效電晶體放大能力的重要引數.
bvds — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓ugs一定時,場效電晶體正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項極限引數,加在場效電晶體上的工作電壓必須小於bvds.
pd** — 最大耗散功率,也是一項極限引數,是指場效電晶體效能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率.使用時,場效電晶體實際功耗應小於pd**並留有一定餘量.
id** — 最大漏源電流.是一項極限引數,是指場效電晶體正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流.場效電晶體的工作電流不應超過id**
cds---漏-源電容
cdu---漏-襯底電容
cgd---柵-漏電容
cgs---漏-源電容
ciss---柵短路共源輸入電容
coss---柵短路共源輸出電容
crss---柵短路共源反向傳輸電容
d---占空比（占空係數，外電路引數）
di/dt---電流上公升率（外電路引數）
dv/dt---電壓上公升率（外電路引數）
id---漏極電流（直流）
idm---漏極脈衝電流
id(on)---通態漏極電流
idq---靜態漏極電流（射頻功率管）
ids---漏源電流
id**---最大漏源電流
idss---柵-源短路時，漏極電流
ids(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流）
ig---柵極電流（直流）
igf---正向柵電流
igr---反向柵電流
igdo---源極開路時，截止柵電流
igso---漏極開路時，截止柵電流
igm---柵極脈衝電流
igp---柵極峰值電流
if---二極體正向電流
igss---漏極短路時截止柵電流
idss1---對管第一管漏源飽和電流
idss2---對管第二管漏源飽和電流
iu---襯底電流
ipr---電流脈衝峰值（外電路引數）
gfs---正向跨導
gp---功率增益
***---共源極中和高頻功率增益
gpg---共柵極中和高頻功率增益
gpd---共漏極中和高頻功率增益
ggd---柵漏電導
gds---漏源電導
k---失調電壓溫度係數
ku---傳輸係數
l---負載電感（外電路引數）
ld---漏極電感
ls---源極電感
rds---漏源電阻
rds(on)---漏源通態電阻
rds(of)---漏源斷態電阻
rgd---柵漏電阻
rgs---柵源電阻
rg---柵極外接電阻（外電路引數）
rl---負載電阻（外電路引數）
r(th)jc---結殼熱阻
r(th)ja---結環熱阻
pd---漏極耗散功率
pdm---漏極最大允許耗散功率
pin--輸入功率
pout---輸出功率
ppk---脈衝功率峰值（外電路引數）
to(on)---開通延遲時間
td(off)---關斷延遲時間
ti---上公升時間
ton---開通時間
toff---關斷時間
tf---下降時間
trr---反向恢復時間
tj---結溫
tjm---最大允許結溫
ta---環境溫度
tc---管殼溫度
tstg---貯成溫度
vds---漏源電壓（直流）
vgs---柵源電壓（直流）
vgsf--正向柵源電壓（直流）
vgsr---反向柵源電壓（直流）
vdd---漏極（直流）電源電壓（外電路引數）
vgg---柵極（直流）電源電壓（外電路引數）
vss---源極（直流）電源電壓（外電路引數）
vgs(th)---開啟電壓或閥電壓
v（br）dss---漏源擊穿電壓
v（br）gss---漏源短路時柵源擊穿電壓
vds(on)---漏源通態電壓
vds(sat)---漏源飽和電壓
vgd---柵漏電壓（直流）
vsu---源襯底電壓（直流）
vdu---漏襯底電壓（直流）
vgu---柵襯底電壓（直流）
zo---驅動源內阻
η---漏極效率（射頻功率管）
vn---雜訊電壓
aid---漏極電流溫度係數
ards---漏源電阻溫度係數
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4.結型場效電晶體的管腳識別:
判定柵極g:將萬用表撥至r×1k檔,用萬用表的負極任意接一電極,另乙隻錶筆依次去接觸其餘的兩個極,測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等,則負錶筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.
漏極和源極互換,若兩次測出的電阻都很大,則為n溝道;若兩次測得的阻值都很小,則為p溝道.
判定源極s、漏極d:
在源-漏之間有乙個pn結,因此根據pn結正、反向電阻存在差異,可識別s極與d極.用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,此時黑錶筆的是s極,紅錶筆接d極.
場效電晶體終極知識
場效電晶體 百科名片 場效應電晶體 field effect transistor縮寫 fet 簡稱場效電晶體。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高 108 109 雜訊小 功耗低 動態範圍大 易於整合 沒有二次擊穿現象 安全工作區域寬等優點，現已成為...
場效電晶體總結
一 n溝道emos場效電晶體 1 結構 2 工作原理 工作條件 pn結必須反偏 含零偏 源極一般與襯底相連，所以vds必須為正值。工作過程 1 溝道的形成 vgs 0 指向襯底的電場 吸引電子,排斥空穴 空間電荷 b圖 vgs 電子薄層 n nn 導電溝道 n c圖 開始形成溝道的vgs為開啟電壓 ...
場效電晶體詳細
一 場效管的作用 場效管和三極體一樣都能實現訊號的控制和放大，但它與三極體的工作原理不一樣 場效管也有三隻腳，分別是控制極柵極 g極 源極 s極 漏極 d極 場效管與三極體三隻引腳的對應關係 柵極 g 對應基極 b 源極 s 對應發射極 e 漏極 d 對應集電極 c 二 場效管的分類 主機板中的場效...