mos場效電晶體電源開關電路。
這是該裝置的核心，在介紹該部分工作原理之前，先簡單解釋一下mos 場效電晶體的工作原理。
mos 場效電晶體也被稱為mos fet， 既metal oxide semiconductor field effect
transistor（金屬氧化物半導體場效電晶體）的縮寫。它一般有耗盡型和增強型兩種。本文使用的為增強型mos
場效電晶體，其內部結構見圖5。它可分為npn型pnp型。npn型通常稱為n溝道型，pnp型也叫p溝道型。
由圖可看出，對於n溝道的場效電晶體其源極和漏極接在n型半導體上，同樣對於p溝道的場效電晶體其源極和漏極則接在p型半導體上。我們知道一般三極體是由輸入的電流控制輸出的電流。但對於場效電晶體，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效電晶體的原因。
為解釋mos
場效電晶體的工作原理，我們先了解一下僅含有乙個p—n結的二極體的工作過程。如圖6所示，我們知道在二極體加上正向電壓（p端接正極，n端接負極）時，二極體導通，其pn結有電流通過。這是因為在p型半導體端為正電壓時，n型半導體內的負電子被吸引而湧向加有正電壓的p型半導體端，而p型半導體端內的正電子則朝n型半導體端運動，從而形成導通電流。
同理，當二極體加上反向電壓（p端接負極，n端接正極）時，這時在p型半導體端為負電壓，正電子被聚集在p型半導體端，負電子則聚集在n型半導體端，電子不移動，其pn結沒有電流通過，二極體截止。
對於場效電晶體（見圖7），在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時場效電晶體處與截止狀態（圖7a）。當有乙個正電壓加在n溝道的mos
場效電晶體柵極上時，由於電場的作用，此時n型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而湧向柵極，但由於氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個n溝道之間的p型半導體中（見圖7b），從而形成電流，使源極和漏極之間導通。我們也可以想像為兩個n型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當於為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。圖8給出了p溝道的mos
場效電晶體的工作過程，其工作原理類似這裡不再重複。
下面簡述一下用c-mos場效電晶體（增強型mos
場效電晶體）組成的應用電路的工作過程（見圖9）。電路將乙個增強型p溝道mos場效電晶體和乙個增強型n溝道mos場效電晶體組合在一起使用。當輸入端為低電平時，p溝道mos場效電晶體導通，輸出端與電源正極接通。
當輸入端為高電平時，n溝道mos場效電晶體導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，p溝道mos場效電晶體和n溝道mos場效電晶體總是在相反的狀態下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。
同時由於漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0v，通常在柵極電壓小於1到2v時，mos場效電晶體既被關斷。不同場效電晶體其關斷電壓略有不同。也正因為如此，
使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。
由以上分析我們可以畫出原理圖中mos場效電晶體電路部分的工作過程（見圖10）。工作原理同前所述。
按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和p溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效電晶體又可分成耗盡型與增強型。結型場效電晶體均為耗盡型，絕緣柵型場效電晶體既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應電晶體可分為結場效應電晶體和mos場效應電晶體。而mos場效應電晶體又分為n溝耗盡型和增強型；p溝耗盡型和增強型四大類。見下圖。
二、場效應三極體的型號命名方法
現行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極體相同，第三位字母j代表結型場效電晶體，o代表絕緣柵場效電晶體。第二位字母代表材料，d是p型矽，反型層是n溝道；c是n型矽p溝道。
例如,3dj6d是結型n溝道場效應三極體，3do6c 是絕緣柵型n溝道場效應三極體。
第二種命名方法是cs××#，cs代表場效電晶體，××以數字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規格。例如cs14a、cs45g等。
三、場效電晶體的引數
場效電晶體的引數很多，包括直流引數、交流引數和極限引數，但一般使用時關注以下主要引數：
1、i dss — 飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效電晶體中，柵極電壓u gs=0時的漏源電流。
2、up — 夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效電晶體中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。
3、ut — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。
4、gm — 跨導。是表示柵源電壓u gs — 對漏極電流i d的控制能力，即漏極電流i d變化量與柵源電壓ugs變化量的比值。gm 是衡量場效電晶體放大能力的重要引數。
5、buds — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓ugs一定時，場效電晶體正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限引數，加在場效電晶體上的工作電壓必須小於buds。
6、pd** — 最大耗散功率。也是一項極限引數，是指場效電晶體效能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效電晶體實際功耗應小於pd**並留有一定餘量。
7、id** — 最大漏源電流。是一項極限引數，是指場效電晶體正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效電晶體的工作電流不應超過id**
幾種常用的場效應三極體的主要引數
四、場效電晶體的作用
1、場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2、場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、場效電晶體可以用作可變電阻。
4、場效電晶體可以方便地用作恆流源。
5、場效電晶體可以用作電子開關。
五、場效電晶體的測試
1、結型場效電晶體的管腳識別：
場效電晶體的柵極相當於電晶體的基極，源極和漏極分別對應於電晶體的發射極和集電極。將萬用表置於r×1k檔，用兩錶筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數kω時，則這兩個管腳為漏極d和源極s（可互換），餘下的乙個管腳即為柵極g。
對於有4個管腳的結型場效電晶體，另外一極是遮蔽極（使用中接地）。
2、判定柵極
用萬用表黑錶筆碰觸管子的乙個電極，紅錶筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬於n溝道場效電晶體，黑錶筆接的也是柵極。
製造工藝決定了場效電晶體的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，並不影響電路的正常工作，所以不必加以區分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。
注意不能用此法判定絕緣柵型場效電晶體的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。
3、估測場效電晶體的放大能力
將萬用表撥到r×100檔，紅錶筆接源極s，黑錶筆接漏極d，相當於給場效電晶體加上1.5v的電源電壓。這時表針指示出的是d-s極間電阻值。
然後用手指捏柵極g，將人體的感應電壓作為輸入訊號加到柵極上。由於管子的放大作用，uds和id都將發生變化，也相當於d-s極間電阻發生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經損壞。
由於人體感應的50hz交流電壓較高，而不同的場效電晶體用電阻檔測量時的工作點可能不同，因此用手捏柵極時表針可能向右擺動，也可能向左擺動。少數的管子rds減小，使表針向右擺動，多數管子的rds增大，表針向左擺動。無論表針的擺動方向如何，只要能有明顯地擺動，就說明管子具有放大能力。
本方法也適用於測mos管。為了保護mos場效電晶體，必須用手握住螺釘旋具絕緣柄，用金屬桿去碰柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極上，將管子損壞。
mos管每次測量完畢，g-s結電容上會充有少量電荷，建立起電壓ugs，再接著測時表針可能不動，此時將g-s極間短路一下即可。
目前常用的結型場效電晶體和mos型絕緣柵場效電晶體的管腳順序如下圖所示。
六、常用場效用管
1、mos場效電晶體
即金屬-氧化物-半導體型場效電晶體，英文縮寫為mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），屬於絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015ω）。它也分n溝道管和p溝道管，符號如圖1所示。
通常是將襯底（基板）與源極s接在一起。根據導電方式的不同，mosfet又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：
當vgs=0時管子是呈截止狀態，加上正確的vgs後，多數載流子被吸引到柵極，從而「增強」了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當vgs=0時即形成溝道，加上正確的vgs時，能使多數載流子流出溝道，因而「耗盡」了載流子，使管子轉向截止。
以n溝道為例，它是在p型矽襯底上製成兩個高摻雜濃度的源擴散區n+和漏擴散區n+，再分別引出源極s和漏極d。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。圖1（a）符號中的前頭方向是從外向裡，表示從p型材料（襯底）指身n型溝道。
當漏接電源正極，源極接電源負極並使vgs=0時，溝道電流（即漏極電流）id=0。隨著vgs逐漸公升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的n型溝道，當vgs大於管子的開啟電壓vtn（一般約為+2v）時，n溝道管開始導通，形成漏極電流id。
國產n溝道mosfet的典型產品有3do1、3do2、3do4（以上均為單柵管），4do1（雙柵管）。它們的管腳排列（底檢視）見圖2。
mos場效電晶體比較「嬌氣」。這是由於它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（u=q/c），將管子損壞。因此了廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內，使g極與s極呈等電位，防止積累靜電荷。
管子不用時，全部引線也應短接。在測量時應格外小心，並採取相應的防靜電感措施。
mos場效電晶體的檢測方法
（1）．準備工作
測量之前，先把人體對地短路後，才能摸觸mosfet的管腳。最好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然後拆掉導線。
（2）．判定電極
將萬用表撥於r×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極g。交換錶筆重測量，s-d之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑錶筆接的為d極，紅錶筆接的是s極。
日本生產的3sk系列產品，s極與管殼接通，據此很容易確定s極。
（3）．檢查放大能力（跨導）
將g極懸空，黑錶筆接d極，紅錶筆接s極，然後用手指觸控g極，表針應有較大的偏轉。雙柵mos場效電晶體有兩個柵極g1、g2。為區分之，可用手分別觸控g1、g2極，其中表針向左側偏轉幅度較大的為g2極。
目前有的mosfet管在g-s極間增加了保護二極體，平時就不需要把各管腳短路了。
mos場效應電晶體使用注意事項。
mos場效應電晶體在使用時應注意分類，不能隨意互換。mos場效應電晶體由於輸入阻抗高（包括mos積體電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下規則：
（1）. mos器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑膠袋裝。也可用細銅線把各個引腳連線在一起，或用錫紙包裝
（2）.取出的mos器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。
（3）. 焊接用的電烙鐵必須良好接地。
（4）. 在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再mos器件焊接完成後在分開。
（5）. mos器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。
（6）.電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。
（7）. mos場效應電晶體的柵極在允許條件下，最好接入保護二極體。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極體是否損壞。
場效電晶體的具體原理簡介
場效電晶體屬於電壓控制項，這一特點類似於電子管，但它的構造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型電晶體相比，場效電晶體具有如下特性。1 場效電晶體是電壓控制器件，它通過vgs來控制id 2 場效電晶體的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。3 它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好 4 它...
場效電晶體總結
一 n溝道emos場效電晶體 1 結構 2 工作原理 工作條件 pn結必須反偏 含零偏 源極一般與襯底相連，所以vds必須為正值。工作過程 1 溝道的形成 vgs 0 指向襯底的電場 吸引電子,排斥空穴 空間電荷 b圖 vgs 電子薄層 n nn 導電溝道 n c圖 開始形成溝道的vgs為開啟電壓 ...
場效電晶體詳細
一 場效管的作用 場效管和三極體一樣都能實現訊號的控制和放大，但它與三極體的工作原理不一樣 場效管也有三隻腳，分別是控制極柵極 g極 源極 s極 漏極 d極 場效管與三極體三隻引腳的對應關係 柵極 g 對應基極 b 源極 s 對應發射極 e 漏極 d 對應集電極 c 二 場效管的分類 主機板中的場效...