mos場效電晶體電源開關電路。
這是該裝置的核心，在介紹該部分工作原理之前，先簡單解釋一下mos 場效電晶體的工作原理。
mos 場效電晶體也被稱為mos fet， 既metal oxide semiconductor field effect
transistor（金屬氧化物半導體場效電晶體）的縮寫。它一般有耗盡型和增強型兩種。本文使用的為增強型mos
場效電晶體，其內部結構見圖5。它可分為npn型pnp型。npn型通常稱為n溝道型，pnp型也叫p溝道型。
由圖可看出，對於n溝道的場效電晶體其源極和漏極接在n型半導體上，同樣對於p溝道的場效電晶體其源極和漏極則接在p型半導體上。我們知道一般三極體是由輸入的電流控制輸出的電流。但對於場效電晶體，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效電晶體的原因。
為解釋mos
場效電晶體的工作原理，我們先了解一下僅含有乙個p—n結的二極體的工作過程。如圖6所示，我們知道在二極體加上正向電壓（p端接正極，n端接負極）時，二極體導通，其pn結有電流通過。這是因為在p型半導體端為正電壓時，n型半導體內的負電子被吸引而湧向加有正電壓的p型半導體端，而p型半導體端內的正電子則朝n型半導體端運動，從而形成導通電流。
同理，當二極體加上反向電壓（p端接負極，n端接正極）時，這時在p型半導體端為負電壓，正電子被聚集在p型半導體端，負電子則聚集在n型半導體端，電子不移動，其pn結沒有電流通過，二極體截止。
對於場效電晶體（見圖7），在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時場效電晶體處與截止狀態（圖7a）。當有乙個正電壓加在n溝道的mos
場效電晶體柵極上時，由於電場的作用，此時n型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而湧向柵極，但由於氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個n溝道之間的p型半導體中（見圖7b），從而形成電流，使源極和漏極之間導通。我們也可以想像為兩個n型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當於為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。圖8給出了p溝道的mos
場效電晶體的工作過程，其工作原理類似這裡不再重複。
下面簡述一下用c-mos場效電晶體（增強型mos
場效電晶體）組成的應用電路的工作過程（見圖9）。電路將乙個增強型p溝道mos場效電晶體和乙個增強型n溝道mos場效電晶體組合在一起使用。當輸入端為低電平時，p溝道mos場效電晶體導通，輸出端與電源正極接通。
當輸入端為高電平時，n溝道mos場效電晶體導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，p溝道mos場效電晶體和n溝道mos場效電晶體總是在相反的狀態下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。
同時由於漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0v，通常在柵極電壓小於1到2v時，mos場效電晶體既被關斷。不同場效電晶體其關斷電壓略有不同。也正因為如此，
使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。
由以上分析我們可以畫出原理圖中mos場效電晶體電路部分的工作過程（見圖10）。工作原理同前所述。
場效電晶體工作原理
場效應電晶體 field effect transistor縮寫 fet 簡稱場效電晶體。一般的電晶體是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型電晶體,而fet僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高...
場效電晶體工作原理
場效電晶體工作原理.txt32因為愛心，流浪的人們才能重返家園 因為愛心，疲憊的靈魂才能活力如初。渴望愛心，如同星光渴望彼此輝映 渴望愛心，如同世紀之歌渴望永遠被唱下去。場效應電晶體 field effect transistor縮寫 fet 簡稱場效電晶體。一般的電晶體是由兩種極性的載流子，即多數...
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