單元1半導體器件

2023-01-25 21:54:02 字數 3704 閱讀 7310

(3學時——第1~3學時)

主要內容:半導體器件、pn結、二極體、三極體、場效電晶體。

教學重點:二極體、三極體、場效電晶體。

教學難點:三極體、場效電晶體特性。

教學方法:複習總結式。啟發式教學、**式教學。

教學手段:理論、實際應用相結合,必要時採用對**輔助教學。

第一部分知識點

一.半導體知識

1、半導體分類

分為本徵半導體、雜質半導體兩大類,其中雜誌半導體又分為n型半導體和p型半導體兩類。

2、半導體內載流子

半導體具有電子和空穴兩種載流子,本徵半導體內電子和空穴數目相同(均較少),雜誌半導體內某種載流子較多(摻雜形成)、另一種載流子較少(n型半導體內部有大量電子、少量空穴,主要靠電子導電;p型半導體內部有大量空穴、少量電子,主要靠空穴導電)

二.pn結

1、pn結的形成

多子擴散(在p、n結合部形成內電場ei)、少子漂移,內電場阻礙多子擴散、利於少子漂移,當擴散與漂移相對平衡,形成pn結。

pn結別名:耗盡層、勢壘區、電位壁壘、阻擋層、內電場、空間電荷區等。

2、pn結性質——單向導電性

(1)正嚮導通

pn結外加正向電壓(正向偏置)——p接 +、n接 - ,內電場被削弱,多子擴散容易進行,形成較大正向電流(正向電阻較小)。

正偏電壓為0.7v(si管)或0.2v(ge管)——不要超過!

(2)反向截止

pn結外加反向電壓(反向偏置)——p接 -、n接 +,內電場被加強,多子擴散難以進行,利於少子漂移,形成較小反向電流(反向電阻較大)。

當電壓超過某個值(約零點幾伏),全部少子參與導電,形成「反向飽和電流is」。

反偏電壓最高可達幾千伏。

三.二極體

1、二極體結構

用外殼將pn結封閉,引出2根極線,就構成了二極體。

2、二極體伏安特性

即i=f(u)。

正向電流較大(正向電阻較小),反向電流較小(反向電阻較大)。

門限電壓(死區電壓)uγ(si管約為0.5v、ge管約為0.1v)

反向擊穿電壓ubr(可高達幾千伏)

二極體所加正向電壓為0.7v(si管)或0.2v(ge管)——當作已知量!過大則燒壞管子。

二極體電壓電流方程(近似):i=is(equ/kt-1)= is(eu/ut-1)

其中,ut≈26mv

3、理想二極體

正偏時視為短路、反偏時視為開路。

4、二極體引數

最大整流(正向)電流 if、最大反向電壓ur (通常規定ur = ubr /2)、反向飽和電流is等。

5、特殊二極體——穩壓二極體

工作於反向擊穿狀態的二極體。穩壓管中電流變化較大時,其電壓基本不變。

主要引數:穩壓值uz、最高工作電流izmax、最低工作電流izmin等。

四、三極體

1、三極體結構及符號

由三塊半導體構成,分為npn型和pnp型兩種。三極體含有三極、兩結、三區。其中,發射區高摻雜,基區較薄且低摻雜,集電區一般摻雜。

2、三極體的三種組態(三種接法)

共發射極組態共基極組態共集電極組態

3、三極體各極電流關係

在保證三極體的發射結正偏、集電結反偏。

ie=ic+ib

ic=βib+(1+β)icbo=βib+iceo≈βib

4、伏安特性曲線(以共發射極npn管為例)

(1)輸入特性曲線

ube = f(ib,uce)

(2)輸出特性曲線

ic = g(ib,uce)

5、三極體三種狀態

放大狀態——發射結正偏、集電結反偏

飽和狀態——兩結均正偏(存在飽和壓降uces)

截止狀態——兩結均反偏

6、三極體主要引數

四.場效電晶體(field effect transistor)

場效電晶體的輸入端pn結處於反偏或絕緣狀態,具有很高的輸入電阻(這一點與三極體相反),同時,還具有雜訊低、熱穩定性好、抗輻射性強、便於整合等優點。

1、場效電晶體結構與分類

場效電晶體利用導電溝道進行工作,利用柵源電壓控制漏極電流。

場效電晶體分為結型場效電晶體和絕緣柵型場效電晶體兩大類。

2、場效電晶體與三極體區別

1.場效電晶體的柵極b、源極s、漏極d分別與三極體的基極b、發射極e、集電極c相對應。

2.三極體輸入pn結正偏,出入電阻較小;場效電晶體輸入pn結反偏或柵極絕緣,輸入電阻遠大於三極體(柵極電流基本為0);

3.三極體為雙極型管(電子、空穴兩種載流子參與導電);場效電晶體為單極型管(只有電子或空穴一種載流子參與導電)。

4.三極體是電流—電流控制器件(基極電流ib控制集電極電流ic,即ic=βib);場效電晶體是電壓—電流控制器件(柵源電壓ugs控制漏極電流id,即id=gmugs);漏極無電流。

5.場效電晶體的源極和漏極是對稱的,可交換使用——使用時比三極體靈活。

6.場效電晶體除和三極體一樣可作為放大器件、可控開關等以外,還可作為壓控可變線性電阻。

3、場效電晶體主要引數

開啟電壓ugs(th)、夾斷電壓ugs(off)或up、飽和漏極電流id(sat)、低頻跨導gm等。

第二部分題目分析

題1:判斷下列二極體處於導通還是截止狀態,並求出a點電位(設兩管均為理想二極體)。(中科院2023年試題)

解:假設d1、d2均不導通,,使得設d1反偏截止、d2正偏導通。

d2導通,則ua=0v

要點:二極體優先導通。

題2:圖示電路中,穩壓管udz1=5v、udz2=7v,二者正向壓降均為0.7v。試根據ui波形,作出uo波形。(中山大學2023年試題)

解:若0<ui<10v,則um<5v,兩穩壓管均反向截止,uo=ui/2;

若ui>10v,則um>5v,使穩壓管dz1處於穩壓狀態,uo=udz1=5v;

若-1.4v<ui<0v,則|um|<0.7v,兩穩壓管均反向截止,uo=ui/2;

若ui<-1.4v,則|um|>0.7v,兩穩壓管均正嚮導通,uo=-0.7v.

uo波形對應如圖。

要點:穩壓管處於正偏,相當於正偏二極體;穩壓管反偏電壓小於穩壓值,相當於反向截止二極體;只有穩壓管反偏電壓高於穩壓值時,其處於穩壓狀態。

題3:設圖示三極體均為矽管,試判斷各三極體工作狀態。(浙江大學2023年試題)

解:(a):若b、e間導通,ub至少需要0.7+0.7+0.4=1.8v,故b、e間處於截止狀態,三極體處於截止狀態。

(b):假設b、e間導通,ue=6-0.7=5.3v,則ie≈ic=5.3ma,uc=12-5.3×3=-3.9v<ub,故三極體處於飽和狀態。

(c):假設b、e間導通,ub=0.7+3.6=4.3v,則ub>uc,故三極體處於飽和狀態。

要點:根據三極體各極電位判斷其工作狀態。

abc)

題4:簡述場效電晶體與雙極性三極體的電極相對關係,並計較二者的效能和應用(中科院2023年試題)。

(1)極性對應關係:場效電晶體s、g、d極分別於三極體e、b、c極對應;

(2)效能和應用:

①場效電晶體柵極電流基本為零、三極體基極有一定電流;三極體適用於電流選取大小不等的場合,且三極體適合於放大倍數較大的場所。

②場效電晶體是多子導電,三極體導電既有多子、又有少子;少子易受外界因素影響。故在外界環境變化較劇烈情況下,採用場效電晶體較合適。

③場效電晶體漏極、源極可交換使用,且耗盡型管子柵源電壓可正可負,比三極體使用靈活。

④場效電晶體和三極體均可用於放大或作為可控開關,場效電晶體還可作為可控電阻使用。

要點:三極體和場效電晶體對比。

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