半導體器件:
二極體：二極體是由pn結構成的，具有單向導電性，正嚮導通；反向截至。
pn結的電流是p向n流。
矽二極體的死區電壓為0.5v左右，
鍺二極體的死區電壓為0.1v~0.2v。
矽二極體的導通電壓約0.6v~0.7v，
鍺二極體的導通電壓約0.2v~0.3v。
二極體的電壓與電流變化不成線性關係，所以二極體屬於非線性器件。
三極體：三極體是由兩個緊靠在一起的pn結組成的，按材料的不同分為pnp型和npn型。
三極體有三個引腳，分別為發射極（e）、基極(b)、集電極（c）。
一般常用的三極體有80系列的，8050（npn），8550(pnp)。
90系列的，9012、9015為pnp外，其餘都為npn。
電流放大電路：
三極體的電流分配關係式：ie=ib+ic，也就是發射極電流=基極電流+集電極電流。
集電極電流的變化是基極電流變化量的59倍。
三極體的電流放大實際上是基極較小電流的變化，控制集電極電流較大的變化。
三極體的放大電路分為1共集電極放大、2共基極放大、3共發射極放大。
因為三極體也是pn結構成的，所以也是非線性器件，矽管導通電壓也為0.7v,鍺管為0.2v。
三極體的三種狀態：1放大（發射結正偏，集電結反偏）。
npn:ic>ib>ie pnp:ie>ib>ic
2飽和（發射結和集電結都正偏）。
3截至（發射結和集電結都反偏）。
正偏：電流p向n流。
反偏：電流n向p流。
三極體是電流控制器件，就是輸入電流控制輸出電流的半導體器件。
三極體的輸出特性曲線如圖：
三極體的檢測：用數字萬用表測量時，先把萬用表的檔位調到導通擋上，然後用錶筆分別測量每兩個引腳。 只要想著電流是p向n流的。
場效電晶體：是利用輸入電壓來控制輸出電流的器件，稱為電壓控制型器件，它可分為結型和絕緣柵型兩大類。
場效電晶體有三個電極，分別是漏極（d）、
源極（s）和柵極（g）。它們的d極和s極可交換使用。
結型場效電晶體可分為p溝道和n溝道兩種。
絕緣柵型場效電晶體可分為增強型和耗盡型，它們也可分為n溝道和p溝道。
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