2 多數載流子為空穴，少數載流子為電子；故p型半導體也稱空穴型半導體；
3、 結論：
1 雜質使半導體中出現了可以運動的電子或空穴。
2 n、p型半導體都呈現電中性；
四、 pn結的形成及特性：
1、 pn結的形成：p型和n型半導體結合在一起後，在交介面形成的特殊導電薄層；
1 pn結的內電場：方向由n區（帶正電）指向p區（帶負電）；
2 擴散運動、漂移運動；
3 pn結是個高阻區；（載流子在此區很少）
2、 pn結的單向導電性：p184 圖8.6
1 外加正向電壓（p正n負）時，反向削弱內電場，pn結導通（正向電阻很小，形成電流）；
正向電壓必須大於內電場電壓，pn結才能導通，形成正向電流（p→n）
2 外加反向電壓（p負n正）時，同向增強內電場，pn結不導通（反向電阻很大，電流很小）；
3、 pn結的擊穿特性：
反向電壓達到一定數值時，反向電流急速增加，產生電擊穿。
五、 半導體二極體：
1、 二極體的結構：
1 經特殊封裝後有兩個引出電極的pn結；
2 分類： a. 按製造材料分：矽二極體、鍺二極體等；
b. 按pn結接觸面大小分：點接觸型、面接觸型（允許流過較大電流）；
c. 按用途分：普通二極體、整流二極體、穩壓二極體、光敏二極體等；
2、 二極體的伏安特性：二極體兩端電壓(橫柚)與流過的電流(縱柚)間的關係曲線；p186 圖8.10
1 正向偏置時的特性：正嚮導通性
死區 → 閾門電壓（矽二極體約0.5v，鍺0.1v）→ 正向壓降（矽二極體約0.7v，鍺0.3v）
2 反向偏置時的特性：反向截止性；
反向漏電流很小，矽二極體的反向電流比鍺二極體小
3 反向擊穿性：當反向電壓大於擊穿電壓時，反向電流將急劇增大；
電擊穿（穩壓二極體）、熱擊穿（二極體損壞）
3、 二極體的主要引數：
1 最大整流電流iom：二極體長期工作允許通過的最大正向平均電流。
2 最高反向電壓urm：保證二極體不被反向擊穿的最高反向工作電壓；（通常為擊穿電壓的一半或三分之二）
3 最大反向電流irm：加最高反向電壓時的最大反向電流值。(irm越小，單向導電性越好)；
4、 常用的特殊二極體：
1 穩壓二極體：面接觸型二極體
a. 工作在反向擊穿區，反向電流變化很大，電壓卻變化很小（穩定）；
b. 擊穿可逆（一般通過串聯乙個限流電阻保證功率損耗不超過允許值）；
c. 主要引數：穩壓電壓uz、穩定電流iz、最大耗散功率pm；pm = uz izm（最大穩定電流）
2 發光二極體led：
a. 材料：砷化鎵、磷化鎵等；
b. 在正向電流時可發光，電能光能；
六、 課堂小結：
1、 掌握半導體的基礎知識；
2、 掌握pn結單向導電特性；
3、 掌握二極體的伏安特性；
4、 掌握穩壓二極體的穩壓原理。
半導體發光二極體燈具介紹
半導體發光二極體燈具即led light emitting diode 燈具，是一種半導體固體發光器件。它是利用固體半導體晶元作為發光材料，在半導體中通重載流子發生復合放出過剩的能量而引起光子發射，直接發出紅 黃 藍 綠 青 橙 紫 白色的光。led照明產品就是利用led作為光源製造出來的照明器具。...
半導體雷射二極體工作原理
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