●在300k下，si在價帶中的有效態密度為2,66x,而gaas為7x，求出空穴的有效質量，並與自由電子質量比較。
●畫出在77k，300k,及600k時摻雜個/的as原子的si簡化能帶圖，標示出費公尺能級且使用本徵作參考量。
●求出在300k時摻入下列摻雜情形下電子空穴濃度及費公尺能級。
●對一半導體而言，其具有一固定的遷移率比b=/>1,且與雜質濃度無關，求其最大的電阻率並以本徵電阻率及遷移率比表示。
●給定乙個未知摻雜的晶樣品，霍耳測量提供了以下資訊：
ω=0.05cm,a=1.6x,i=2.5ma,磁場為30nt(1t=wb/),若測出的霍耳電壓為10mv,求半導體樣品的霍耳係數，導體型態，多子濃度，電阻率及遷移率。
●線性緩變si結，其摻雜梯度為，計算內建電勢及4v反向偏壓的結電容（t=300k）。
對一理想突變p-n結，其=，當外加正偏壓1v時，求出中性區（n區）沒單位面積儲存的少子、中性區的長度為1μm, 5μm.
●對一理想突變p-n結，其=，當外加正偏壓1v時，求出中性區（n區）沒單位面積儲存的少子、中性區的長度為1μm, =5μm.
●設計一-n si突變結二極體，其反向擊穿電壓為130v，正偏電流在時為2.2ma,設
●一p-n-p電晶體其射，基，集電極摻雜濃度分別為，基區寬度為1.0μm,且器件截面積為0.2,當射基結正偏0.
5v且反向偏壓5v時，求（a)中性區基區寬度。（b）射基結的少數載流子濃度。
●一理想mos二極體的d=5nm, ,試找出使si表面變為本徵si所需的外加偏壓以及在介面處的電場強度。
●若一長溝道mosfet的l=1um,z=10um,
試求●一p溝道的多晶si-si-si mosfet其
●將澱積於n型si襯底上，形成理想肖特基二極體，若
●求0偏時的勢壘高度，耗盡區以及最大電場。
●若一gaas mesfet 的
●對一兩邊摻雜濃度都為的gaas的隧道二極體，利用突變結近似和假設，求在0.25v正偏下，耗盡電容與耗盡寬度。
●對突變p-n二極體雪崩產生空間電荷引起耗盡區內電場改變形成乙個漸增的電阻，稱為空間電荷電阻rsc,大小為
對si imatt 二極體求
rsc . b)電流密度為時，求外加直流電壓總值。
常用半導體器件題解
一 判斷下列說法是否正確，用 和 表示判斷結果填入空內。1 在n型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為p型半導體。2 因為n型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。3 pn結在無光照 無外加電壓時，結電流為零。4 處於放大狀態的電晶體，集電極電流是多子漂移運動形成的。5 結型場效電晶體外加...
單元1半導體器件
3學時 第1 3學時 主要內容 半導體器件 pn結 二極體 三極體 場效電晶體。教學重點 二極體 三極體 場效電晶體。教學難點 三極體 場效電晶體特性。教學方法 複習總結式。啟發式教學 式教學。教學手段 理論 實際應用相結合，必要時採用對 輔助教學。第一部分知識點 一 半導體知識 1 半導體分類 分...
半導體發光器件led常識
半導體發光器件包括半導體發光二極體 簡稱led 數碼管 符號管 公尺字管及點陣式顯示屏 簡稱矩陣管 等。事實上，數碼管 符號管 公尺字管及矩陣管中的每個發光單元都是乙個發光二極體。一 半導體發光二極體工作原理 特性及應用 一 led發光原理 發光二極體是由 族化合物，如gaas 砷化鎵 gap 磷化...