三極體的特性曲線
1、輸入特性
圖2 （b)是三極體的輸入特性曲線，它表示ib隨ube的變化關係，其特點是：1）當uce在0-2伏範圍內，曲線位置和形狀與uce有關，但當uce高於2伏後，曲線uce基本無關通常輸入特性由兩條曲線（ⅰ和ⅱ）表示即可。
2）當ube＜uber時，ib≈o稱（0～uber)的區段為「死區」當ube＞uber時，ib隨ube增加而增加，放大時，三極體工作在較直線的區段。
3）三極體輸入電阻，定義為:
rbe=(△ube/△ib)q點，其估算公式為：
rbe=rb+(β+1)(26毫伏/ie毫伏）
rb為三極體的基區電阻，對低頻小功率管，rb約為300歐。
2、輸出特性
輸出特性表示ic隨uce的變化關係（以ib為引數）從圖9（c）所示的輸出特性可見，它分為三個區域：截止區、放大區和飽和區。
截止區當ube＜0時，則ib≈0，發射區沒有電子注入基區，但由於分子的熱運動，集電集仍有小量電流通過，即ic=iceo稱為穿透電流，常溫時iceo約為幾微安，鍺管約為幾十微安至幾百微安，它與集電極反向電流icbo的關係是：
icbo=(1+β)icbo
常溫時矽管的icbo小於1微安，鍺管的icbo約為10微安，對於鍺管，溫度每公升高12℃，icbo數值增加一倍，而對於矽管溫度每公升高8℃， icbo數值增大一倍，雖然矽管的icbo隨溫度變化更劇烈，但由於鍺管的icbo值本身比矽管大，所以鍺管仍然受溫度影響較嚴重的管，放大區，當晶體三極體發射結處於正偏而集電結於反偏工作時，ic隨ib近似作線性變化，放大區是三極體工作在放大狀態的區域。
飽和區當發射結和集電結均處於正偏狀態時，ic基本上不隨ib而變化，失去了放大功能。根據三極體發射結和集電結偏置情況，可能判別其工作狀態。
一、三極體的結構及特性：
1、三極體的結構：
乙個pn結形成乙隻二極體，二極體的特性是「單向導電」，即在正極加正向電壓、負極加反向電壓導通（矽管的正極比負極高0.7v、鍺管高0.2v左右）；加反向電壓截止。
二極體在手機中常用於開關、整流、變容、穩壓等作用較少。三極體常用於放大、開關等作用遠大於二極體。
三極體是由兩個pn結形成：
三極體按材料分有：矽管和鍺管；三極體按導電性能分有：pnp和npn；矽管的穩定性比鍺管的好，在手機電路中使用最多；並且npn比pnp使用較多。
三極體三個極的作用分別是：發射極（e）發射電荷，集電極（c）接收電荷，基極（b）控制電荷的數量。
2、三極體的導通條件：
由於三極體是由兩個pn結形成，對於pnp三極體相當於兩個背靠背的二極體組成；npn三極體相當於兩個面對面的二極體組成：
乙個pn結形成的二極體導通時需要一定的正向電壓，兩個pn結形成的三極體導通時也需要極性適當、一定數值的電壓，即發射結加正向電壓，集電結加反向電壓。
發射結加正向電壓，就是給發射極和基極這個pn結，按箭頭的指向（箭頭表示電流的方向）加上乙個pn結電壓：矽管相差0.7v、鍺管0.2v左右。
集電結加反向電壓，就是給集電極和基極這個pn結，按二極體的極性加反向電壓，在手機電路中，這個電壓為1~3.6v左右。
3、三極體的電流放大原理：
三極體加上適當的電壓導通後，產生三股電流，分別為：發射極電流ie、集電極電流ic、基極電流ib。
可以看出，無論pnp還是npn三極體，三股電流之間的關係均為ie=ib+ic，或ib+ic=ie，可見pnp、npn的工作原理完全相同，只是所加電壓和電流的方向相反。ib很小，有時可以忽略，則ic≈ie。
三極體是電流控制項，較小的ib控制較大的ic，增大ib，ic增大；減小ib，ic減小，即ic的大小由ib所決定。
ic/ib =β（β 三極體的電流放大倍數）或ib .β=ic
根據三極體的這種特性，人們把較小的訊號電流加到三極體的基極，引起集電極大的電流輸出，這就是三極體的電流放大原理。ic是e極(發射極)流向c極(集電極)的電流
ib是e極(發射極)流向b極(基極)的電流
ie是ic和ib合二為一的電流,即ie = ic+ib
當三極體同時滿足2個基本導通條件後,會立即導通,產生3股電流,如圖示: ie、ib、 ic，其中ie = ic+ib（ie電流一分為二）。
其中ic＞＞ib，即ic 大大於ib，有的時候ic≌ie，這裡ib的電流最小，但是必須注意在三極體工作中ib的電流雖然小，卻牢牢控制了ic和ie的大小變化。（假設：ib上公升5ma,ic上公升到150ma;如果ib上公升6ma,ic上公升到220ma；該例說明了ib的變化一點，ic將大大變化。
）即ib↑上公升→將會導致ic↑大幅度上公升。
注：而ib的大小變化卻有veb來控制，veb偏壓越大，ib電流越大。
（補述乙個小符號常識：↑上公升，↓下降，箭頭頂上如果加一橫代表上公升到頂或下降到頂。）
總結如下幾點規律：
（1）若vbe↑上公升，→將會導致ib↑上公升，→將會導致ic↑大幅度上公升，→將會導致ie↑也大幅度上公升，→將會導致ue↓下降,但是其中uc↑電壓卻上公升。
（2）同理：若veb↓下降，→將會導致ib↓下降，→將會導致ic↓大幅度下降，→將會導致ie↓也大幅度下降，→將會導致ue↑上公升，但是其中uc↓電壓卻下降。
（3）若veb＜0.2v三極體立即截止導通, ie、ib、 ic將消失無電流,這個時候uc電壓下降到底,ue電壓將上公升同電源電壓一樣.
npn與pnp的區別
一、bjt以ib控制ic
npn和pnp的電流方向、電壓極性相反。
1）npn :以b→e 電流控制c→e 電流。 正常放大時，
即vc > vb > ve
2）pnp :以 e→b 電流控制 e→c 電流。 正常放大時，
即ve > vb >vc
總之，vb在中間，vc 和 ve 在兩邊。而且bjt各極的電壓與電流方向是一致的，不會出現電流從低電位處流行高電位的情況。
npn和pnp區別：箭頭所指，即電流流向。如圖：
npn:若有乙個小電流流入基極，那麼集電極和發射極就會通.
pnp：若有乙個小電流流出基極，那麼集電極和發射極就會通.
npn和pnp主要是電流方向和電壓正負不同。
npn是用b—e的電流（ib）控制c—e的電流（ic），e極電位最低，且正常放大時通常c極電位最高，即vc>vb>ve。
pnp是用e—b的電流（ib）控制e—c的電流（ic），e極電位最高，且正常放大時通常c極電位最低，即vc如何判斷三極體工作狀態
三極體構成的放大電路，在實際應用中，除了用做放大器外（在放大區），三極體9 k. k. u! s! s( d1 i
還有兩種工作狀態，即飽和與截止狀態。" l/ v0 ~; p2 l9 n
1．截止狀態
所謂截止，就是三極體在工作時，集電極電流始終為0。此時，集電極與發射極間電壓(u ce)8 y8 q" y, e4 f0 p) p5 z
接近電源電壓。對於npn 型矽三極體來說，當u be在0～0.5v 之間時，i b很小，無論i b怎樣變化，i c都為0。
此時，三極體的內阻（rce）很大，三極體截止。當在維修過程中，測得u be低於0.5v 或uce接近電源電壓時，就可知道三極體處在截止狀態。
2．放大狀態
當 u be在0.5～0.7v 之間時，u be的微小變化就能引起i b的較大變化，i b隨u be基本呈線性變化，從而引起i c的較大變化（i c=βi b）。
這時三極體處於放大狀態，集電極與發射極間電阻（rce）隨u be可變。當在維修過程中，測得u be在0.5～0.
7v 之間時，就可知道三極體處在放大狀態。
3．飽和狀態( m0 v[8 @+ q9 m; j* d1 a
當三極體的基極電流（i b）達到某一值後，三極體的基極電流無論怎樣變化，集電極電流都不再增大，一直處於最大值，這時三極體就處於飽和狀態。三極體的飽和狀態是以三極體集電極電流來表示的，但測量三極體的電流很不方便，可以通過測量三極體的電壓u be及u ce來判斷三極體是否進入飽和狀態。當u be略大於0.
7v 後，無論u be怎樣變化，三極體的i c將不能再增大。此時三極體內阻（rce）很小，u ce 低於0.1v，這種狀態稱為飽和。
三極體在飽和時的u ce 稱為飽和壓降。當在維修過程中測量到u be在0.7v 左右、而u ce低於0.
1v 時，就可知道三極體處在飽和狀態
按最基本的規則去推導：
發射極反偏，集電極反偏：截止
發射極正偏，集電極反偏：放大
發射極正偏，集電極正偏：飽和
量出c、b、e各點電位，或根據電路的形式，再根據以上最基本判斷規則去判斷就可以了
uc>ub>ue 放大區
ub>uc>ue 飽和區
ubuce接近0伏飽和，接近電源電壓是截止
關於三極體精論（摘）
三極體的作用和功能因為四個字來完成：「電阻可變。」由於三極體等效成的電阻值能夠無限制的變化，所以三極體能夠用來設計開關電路、放大電路、**電路。
三極體的集電極電流等於基極電流乘以放大倍數，當基極電流大到一定水平時，集電極的電流由於各種原因不可能再增大了，這時集電極電壓已經等於或接近發射極電壓了，相當於電阻值變成0歐姆。
確信三極體的放大狀態絕招：發射結正偏，集電結反偏。
三極體是電流控制型器件，場效電晶體是電壓控制型器件。
三極體相當於乙個阻值能夠受控制的電阻器，那就將三極體的集電極和發射極這兩個腳等效成乙個電阻，基極起控制作用
可以把三極體看成是電阻值能夠掌握的電阻，阻值範圍能夠在接近零到無窮大之間變化。所以，三極體能夠用來設計放大電路和開關電路。
三極體有三個管極，集電極、發射極和基極。基極用來控制另外兩極對電流的放大作用。分析電流和電壓的變化，就是分析三極體的工作狀態。
場效電晶體的作用和三極體的作用基本上完全一樣。場效電晶體通常也是三個引腳，名字叫源極、漏極和柵極。柵極是用來控制另外兩極對電流的放大作用的。
三極體是靠基極電流的大小變化來控制另外兩極，場效電晶體是靠柵極電壓的高低變化來控制另外兩極，場效電晶體柵極基本上不需要消耗電流就能夠控制另外兩極。
場效電晶體也分兩種型別，n溝道和p溝道。但場效電晶體是電壓控制型器件，較低的電源電壓很難發揮它的優秀效能
可控矽共有三個引腳，陽極、陰極和控制極（也有稱柵極）。控制極是用來控制另外兩極對電流的通斷作用的。可控矽對電流的控作用只能是接通或斷開兩種狀態。
可控矽的主要作用是用做開關，這是一種無機械觸點、無火花、高速度的電子開關。一些書上也稱可控矽為閘流體。
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三極體的工作原理 三極體是一種控制項，主要用來控制電流的大小，以共發射極接法為例 訊號從基極輸入，從集電極 輸出，發射極接地 當基極電壓ub有乙個微小的變化時，基極電流ib也會隨之有一小的變化，受基極 電流ib的控制，集電極電流ic會有乙個很大的變化，基極電流ib越大，集電極電流ic也越大，反之，基...
三極體原理全總結
1 三極體的正偏與反偏 給pn結加的電壓和pn結的允許電流方向一致的叫正偏，否則就是反偏。即當p區 陽極 電位高於n區電位時就是正偏，反之就是反偏。例如npn型三極體，位於放大區時，uc ub集電極反偏，ub ue發射極正偏。總之，當p型半導體一邊接正極 n型半導體一邊接負極時，則為正偏，反之為反偏...
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