三極體的工作原理
三極體是一種控制項，主要用來控制電流的大小，以共發射極接法為例（訊號從基極輸入，從集電極
輸出，發射極接地），當基極電壓ub有乙個微小的變化時，基極電流ib也會隨之有一小的變化，受基極
電流ib的控制，集電極電流ic會有乙個很大的變化，基極電流ib越大，集電極電流ic也越大，反之，基
極電流越小，集電極電流也越小，即基極電流控制集電極電流的變化。但是集電極電流的變化比基極電流
的變化大得多，這就是三極體的放大作用。ic 的變化量與ib變化量之比叫做三極體的放大倍數β（β=δic
/δib, δ表示變化量。），三極體的放大倍數β一般在幾十到幾百倍。
三極體在放大訊號時，首先要進入導通狀態，即要先建立合適的靜態工作點，也叫建立偏置 ，否則會放
大失真。
在三極體的集電極與電源之間接乙個電阻，可將電流放大轉換成電壓放大：當基極電壓ub公升高時，ib變大，
ic也變大，ic 在集電極電阻rc的壓降也越大，所以三極體集電極電壓uc會降低，且ub越高，uc就越低，
δuc=δub。僅供參考，請參考有關書籍。
三極體的作用一設計反相器管
我們知道三極體相當於一條通道，在這條通道上電流出發的那一端叫做源極，而電流到達的那一端叫做
漏極，控制電流通斷的那個電極叫做柵極，那麼柵極需要帶上什麼樣的電壓才表示通道導通呢？一般情
況下，柵極對源極的電壓為0v時，表示關斷，柵極上帶 0.7v以上的電壓時，表示導通，應該注意柵極
電壓是對源極而言的。
上述的 mos三極體我們叫它 n型 mos管，對應的，還有一種 p型 mos 管， p型 mos管的特性正好完
全相反，電流從漏極出發到達源極，柵極帶上比漏極低於0.7v以下的電壓時， mos管導通。
如果規定只能用一種型別的 mos管，我們也能設計出積體電路來，想當初的半導體工藝只適合於做 n型
一種型別的 mos管，那時侯的積體電路大部分是nmos積體電路，我們熟悉的早期的 z80、8048等，都
是用 nmos工藝製造的。後來，發展了在同乙個晶元上做兩種不同型別 mos管的工藝，叫做cmos工藝，
現在已是半導體行業的主流工藝。
n 管和 p管的版圖設計並沒有什麼不一樣，只要對其型別做乙個標記就可以了，這個標記用來通知製造
積體電路的人把這些管子做成某一型別的管子，在下圖中我們把 p管用虛框圈起來作為標記。
三極體的作用二設計積體電路
設計積體電路也很簡單，不過就是把那些三極體連線起來，用什麼來連線呢？總不至於用電烙鐵和焊錫
絲之類的方法吧？在積體電路裡不用這種方法，用的是類似於雙面線路板的方法，雙面線路板上的過孔
將線路板的兩面連線了起來，在積體電路了也用了過孔，兩層導電材料分別是鋁和多晶矽，鋁可以越過
各種區域通到任何地方而不受限制，但多晶矽可不可以呢？好象可以，可是，的多晶矽越過有源區時，
有源區變成了乙個受多晶矽控制的電流通路：乙個多餘的三極體，這不是我們所希望的，所以，我們在
這裡增加一條規則：多晶矽不能跨越有源區。按這樣的規則連線兩各三極體，我們就設計了乙個含有一
個反相器的簡單的積體電路。
三極體工作原理
結構與操作原理 三極體的基本結構是兩個反向鏈結的pn接面，如圖1所示，可有pnp和npn 兩種組合。三個接出來的端點依序稱為射極 emitter,e 基極 base,b 和集 極 collector,c 名稱 和它們在三極體操作時的功能有關。圖中也顯示出 npn與pnp三極體的電路符號，射極特別被標...
三極體工作原理
結構與操作原理 三極體的基本結構是兩個反向鏈結的pn接面，如圖1所示，可有pnp和npn 兩種組合。三個接出來的端點依序稱為射極 emitter,e 基極 base,b 和集 極 collector,c 名稱 和它們在三極體操作時的功能有關。圖中也顯示出 npn與pnp三極體的電路符號，射極特別被標...
三極體工作原理
結構與操作原理 三極體的基本結構是兩個反向鏈結的pn接面，如圖1所示，可有pnp和npn 兩種組合。三個接出來的端點依序稱為射極 emitter,e 基極 base,b 和集 極 collector,c 名稱 和它們在三極體操作時的功能有關。圖中也顯示出 npn與pnp三極體的電路符號，射極特別被標...