三極體的工作原理

三極體的作用三極體工作原理

三極體是一種控制項，主要用來控制電流的大小，以共發射極接法為例（訊號從基極輸入，從集電極

輸出，發射極接地），當基極電壓ub有乙個微小的變化時，基極電流ib也會隨之有一小的變化，受基極

電流ib的控制，集電極電流ic會有乙個很大的變化，基極電流ib越大，集電極電流ic也越大，反之，基

極電流越小，集電極電流也越小，即基極電流控制集電極電流的變化。但是集電極電流的變化比基極電流

的變化大得多，這就是三極體的放大作用。ic 的變化量與ib變化量之比叫做三極體的放大倍數β（β=δic

/δib, δ表示變化量。），三極體的放大倍數β一般在幾十到幾百倍。

三極體在放大訊號時，首先要進入導通狀態，即要先建立合適的靜態工作點，也叫建立偏置，否則會放

大失真。

在三極體的集電極與電源之間接乙個電阻，可將電流放大轉換成電壓放大：當基極電壓ub公升高時，ib變大，

ic也變大，ic 在集電極電阻rc的壓降也越大，所以三極體集電極電壓uc會降低，且ub越高，uc就越低，

δuc=δub。僅供參考，請參考有關書籍。

三極體的作用一設計反相器管

我們知道三極體相當於一條通道，在這條通道上電流出發的那一端叫做源極，而電流到達的那一端叫做漏極，控制電流通斷的那個電極叫做柵極，那麼柵極需要帶上什麼樣的電壓才表示通道導通呢？一般情況下，柵極對源極的電壓為0v時，表示關斷，柵極上帶 0.7v以上的電壓時，表示導通，應該注意柵極電壓是對源極而言的。

上述的 mos三極體我們叫它 n型 mos管，對應的，還有一種 p型 mos 管， p型 mos管的特性正好完全相反，電流從漏極出發到達源極，柵極帶上比漏極低於0.7v以下的電壓時， mos管導通。

如果規定只能用一種型別的 mos管，我們也能設計出積體電路來，想當初的半導體工藝只適合於做 n型

一種型別的 mos管，那時侯的積體電路大部分是nmos積體電路，我們熟悉的早期的 z80、8048等，都是用 nmos工藝製造的。後來，發展了在同乙個晶元上做兩種不同型別 mos管的工藝，叫做cmos工藝，現在已是半導體行業的主流工藝。

n 管和 p管的版圖設計並沒有什麼不一樣，只要對其型別做乙個標記就可以了，這個標記用來通知製造積體電路的人把這些管子做成某一型別的管子，在下圖中我們把 p管用虛框圈起來作為標記。

三極體的作用二設計積體電路

設計積體電路也很簡單，不過就是把那些三極體連線起來，用什麼來連線呢？總不至於用電烙鐵和焊錫絲之類的方法吧？在積體電路裡不用這種方法，用的是類似於雙面線路板的方法，雙面線路板上的過孔將線路板的兩面連線了起來，在積體電路了也用了過孔，兩層導電材料分別是鋁和多晶矽，鋁可以越過各種區域通到任何地方而不受限制，但多晶矽可不可以呢？

好象可以，可是，的多晶矽越過有源區時，有源區變成了乙個受多晶矽控制的電流通路：乙個多餘的三極體，這不是我們所希望的，所以，我們在這裡增加一條規則：多晶矽不能跨越有源區。

按這樣的規則連線兩各三極體，我們就設計了乙個含有乙個反相器的簡單的積體電路。

三極體的工作原理

三極體的作用三極體工作原理

三極體的工作原理

三極體的工作原理

相關推薦