出現過一種降級的電池片，是由於刮刀有缺口，造成三根主柵上都有一條突起的刮痕，容易引起包裝碎片和焊接碎片，希望各班引以為戒，發現相似的問題，及時更換刮條。
g檔分類
1、擴散麵放反：
uoc:0.57—0.60 isc：1左右 rs:100-200左右 rsh:10以內，約為1
ff：50以內（30-40） irve1:12（也有正常的） ncell:2%左右
主要引數特徵：irev1>12,rs>100,isc=1左右。
解釋：擴散時下面和背面都成n型，但背面n型擴散的結淺，擴散麵放反後，原下面的n型被al摻雜為p型，原背面的淺結很容易被燒穿。
2、部分擴散：
uoc:0.58—0.60 isc:3—4 rs:10—20 rsh:10以內
ff：50-60左右 irev1接近12 ncell:10%左右
主要引數特徵：isc減小，rsh<5,η=10
解釋：與上乙個情況類似，下面有很多淺的結（被遮住的部分），形成區域性燒穿漏電。
3、正面粘有鋁漿
uoc 0.1左右 isc:3左右 rs負的 rsh:0 irev1>12
ncell<1% ff:24—25
主要引數特徵：rs=-30mω, rsh=0, irve1>12
4、n型片或高度補償
uoc 0.02-0.06 isc:5左右 rs-20左右 rsh:0
ncell：2-3% ff:100—200
主要引數特徵：rs<0, rsh=0, ff>100, irev1=0.03
解釋：n型片背面印刷鋁漿後成為p+型，下面擴散後形成n+型，從而產生電流。
5、方塊電阻偏大
uoc 0.60-0.61 isc:4左右 rs:20左右 rsh:10-20
ncell：10%左右 ff:50—60 irev1接近1
主要引數特徵：rs偏大, isc偏小, rsh偏小
解釋：方塊電阻不均的直接影響就是薄層電阻，此外應為方塊電阻偏大，致使薄層電阻偏大，串聯電阻增大。
6、方塊電阻偏小
uoc 0.2左右 isc:3左右 rs:-0.07左右 rsh:0.2以下
ncell：1%左右 ff:24多一點 irev1>12
7、沒有擴散
uoc 0.0002左右 isc:0.03左右（正常偏低） rs=0或為負 rsh<10或為0
ncell：為0 ff:300-800 irev1接近12或大於12
主要引數特徵：電壓和電流基本為0，串聯電阻為0解釋：沒有p-n結。
8、銀漿混合不均勻
uoc 0.62左右 isc:4.8左右 rs=3-6 rsh：60-90
ncell：10%左右 ff:50左右 irev1<0.2
主要引數特徵：串聯電阻偏大，短路電流偏小，併聯電阻偏大
解釋：玻璃粉偏少，銀不能與矽充分結合，從而增大了串聯電阻。併聯電阻的增大是由於復合中心的減少（一般在金屬電極與矽接觸的地方會形成復合中心）。
9、刻蝕未刻透
uoc 0.57左右 isc:1左右 rs=0左右 rsh：1-2
ncell：1-2%左右 ff:30-40 irev1>12
10、刻過，將pn結腐蝕掉了。irev1很大。
11、不明原因
uoc 0.4-0.5 isc:0.6-0.8 rs:-2000左右 rsh：1-4
ncell：1左右 ff:30-40 irev1>12
主要引數特徵：rs<1000mω, irve1>12
解釋：應為嚴重燒穿。 特殊：uoc,isc,rs,rsh,η,ff,irve1>12
12、測試異常：rs值達到數千，這應該是軟體問題。重灌軟體時，db和data不用拷貝，其它檔案直接覆蓋，irev1=0，應該是反向偏壓設定錯了。
13、周邊未刻蝕。rsh<1,irev1>12
排查g檔片原因的步驟：
1、看電效能引數，然後對照g檔片原因分析表，看一下是否以前曾出現過類似情況，不過g檔片分析表只能做為參考，不應當作證據指證任何工序。
2、觀察外觀是否有異常，如下：
①背場是否有滾輪印（4條），判斷是否為rena刻蝕不透。
②觀察是否為擊穿和隱裂。
③觀察是否有邊緣漏漿的現象。
④觀察是否背電極印偏的現象。
⑤觀察是否有微晶現象（1厘公尺內的晶粒數多於10個）。
⑥觀察是否有手指印現象。
⑦觀察是否有斷柵的現象。
⑧觀察背場是否有特殊的圖形和印跡。
⑨觀察是否有刻蝕線，若沒有可以嘗試打磨。
3、觀察燒結爐是否爐溫存在異常波動，若rs偏大的**較多可以重燒。
4、觀察測試是否有異常，將g檔片放入其他線進行測試。
5、若為rs偏大，可以更換網版刮刀漿料，有可能為漿料攪拌不均勻，或被汙染或幹漿料瓶料瓶底料。
6、片源是否為試驗片，是否為板p，是否為返工片，是否前面有流程卡混亂的情況。
燒結爐進水壓力和出水壓力都在4-6之間，若有異常通知裝置人員放水，同時觀察過濾網是否有雜質附著，若堵塞，會進水，壓力》6.5，出水壓<4.
在做板式pecvd出來的矽片，將會有4個對邊分布掛痕，在絲網印刷的第一台背極印刷，放片時，要盡可能將掛痕壓在主柵線上，這樣使pecvd盡可能不影響矽片的外觀。
烘乾爐停下以後，降溫以後，再啟動容易在爐頂上凝結，有機物液滴，有可能滴到**或托盤上，需要事先擦一下，特別是背場烘乾爐。
排查g檔片原因和步驟：
一、擴散麵放反和未擴散電池片的區分（多晶）
1、電效能上，放反和未擴散是沒有差別的，均為無uoc,isc,irev1>12，這裡的無uoc,isc是指uoc原因：因為無論是未擴散還是放反，在電池片的正面都沒有形成有效的n層，即沒有pn結，所以沒有uoc,isc，又因為電池片為基片，姑子乙個p型半導體，是可以導電的，所以正面和反面短接，irev1>12.
2、外觀上，放反的電池片是在二次清洗完成以後至pe鍍膜之前，由於特殊原因造成擴散面（n型）向下，非擴散面（p型）向上，在非擴散面鍍膜，當測試時光線照在非擴散麵時，根本沒有電流產生，所以效率接近0.在外觀上，放反的電池片擴散工藝正常，二次刻蝕也正常，所以在擴散面的邊緣會有刻蝕痕跡出現，當擴散麵放反時，這些刻蝕痕跡會出現在電池片的背面，但是背面我們會印刷上背電場，在背電場的邊緣會有刻蝕痕跡。
而未擴散的電池片，由於沒有進行擴散，所以沒有形成磷矽玻璃，而磷矽與玻璃具有親水性，能夠吸附hf和磷矽玻璃以及磷矽玻璃以下的矽層反應，進而把pn結去除，如果沒有磷矽玻璃，電池片的表面呈現鈍化效果，所以阻礙了hf和矽層反應，所以此時，從外觀上看，電池片的正面和背面都沒有刻蝕痕跡。
3、p-n型。通過使用萬用表測量電池片的p-n型，也可以斷定為何種g檔片，未擴散的電池片，正反面都沒有pn結，即都不存在n型導電區域，所以在使用萬用表測量其表面電阻時，它的值應在104ω左右。而擴散麵放反的電池片，其正面也是p型區域，表面電阻為104ω左右，但背面應該存在n型區域，用萬用表測量表面電阻時，就在10ω左右。
引起rs偏大的原因：1、若發現某個時間以後，突然整體偏大，或是間斷性出現rs偏大，是很有可能為印刷效果不好造成柵線和矽片之間沒有形成合金層，有空隙，造成rs偏大，而此時的印刷效果與壓力很相關，將壓力增大，然後再等一會，觀察效果，一般會好轉。2、一般uoc,isc偏低的rs大的g檔片，有可能為燒結原因造成的。
而uoc,isc偏高的rs大的g檔片有可能為方塊電阻偏高的原因造成的。
高串聯電阻片：
燒結後的電池片，經測試，串聯電阻高達10uω以上。
原因：一是燒結溫度與正電極漿料不匹配；二是正電極漿料被汙染；三是由於正電極印刷不良；四是方塊電阻異常。
處理方法：首先停止正電極印刷後矽片的流出，檢查燒結工藝是否有報警，然後用調墨刀把正電極網版底部的漿料鏟出去，新增新漿料試印刷5片流下去看效果，如果串聯電阻還是比較高，重新換掉網版試印刷5片流下去看效果，問題還沒有解決的話重新開一瓶新漿料。測方塊電阻，取3片rs>10mω，再取rs正常的2片電池片去測量方塊電阻進行對比，若有差異（即rs偏大與方塊電阻的數值偏大正相關），則說明這是由於方塊電阻異常偏大所導致的rs偏大，通知擴散工藝員。
需要我們對前道工藝有所了解。（比如各個中心方阻控制在多少，是雙面擴還是單面擴，大絨面和小絨面，酸制絨和鹼制絨，幹刻和溼刻都需要了解清楚）
如果測試機有問題，先走標片，再走重複性，最後互測，觀察是哪乙個引數有異常，如果是串聯電阻互測偏差較大（大於0.5mω）引起填充因子的偏差，就需要通知裝置人員到場解決。
如果燒結爐有問題，爐溫波動較大（溫度波動超過6℃）公升高爐溫或是降低爐溫觀察一下效果。
第三台絲印機有問題，先更換漿料觀察效果，再調節印刷引數觀察效果。然後再排查一下前兩台印刷機是否有問題。
工藝員的處理原則：
先搞清楚問題是否真的發生。
問題為什麼發生。
善後和避免此類問題再次發生
排查異常情況的原因時最常用的，最有說服力的方法就是對比實驗：
測試系統的互測（10片）
燒結爐的精確對比（20片）
絲印+燒結的精確對比（20片）
絲印整條線的精確對比（100-200片）
在遇到突發的異常情況時：
先看一下從其他線拿幾片電池片在出現異常的生產線測試一下，排查一下測試
在看一下燒結爐溫影象是否有異常
再看一下正電極是否剛加入漿料。
分析異常電池的方法有：
電效能/資料趨勢分析
外觀（包括測試柵線寬度）
el測試
方塊電阻
TPM知識點彙總
1 tpm定義 全員參加的生產性保全活動。2 tpm特點 全系統 全效率 全員參加。3 tpm的目標 零事故 零差錯 零故障 零浪費 零缺陷 零庫存。4 tpm核心思想 立足於現場，直面現實，改善！改善！再改善！5 tpm兩大基礎 裝置6s管理 全面目視管理。6 tpm活動的八大支柱 自主保全 專業...
分式知識點彙總
一 分式的概念 形如 a b是整式，且b中含有字母，b 0 的式子，叫做分式其中a叫做分式的分子,b叫做分式的分母.整式和分式統稱有理式,即有 有理式整式，分式.2 分式的意義 分式有意義 分母不為0 分式無意義 分母為0 分式值為0 分子為0且分母不為0 分式值為正或大於0 分子分母同號 或 分式...
土建知識點彙總
第二章工程構造 工業與民用建築工程的分類 組成及構造 建築物按使用性質分生產性建築和民用建築。工業建築分類 1 按層數分單層廠房多層廠房混合層數廠房有流程的 按用途分生產廠房 主要工藝流程的廠房。鑄工車間電鍍車間熱處理車間機械加工和裝配車間 生產輔助廠房 修理車間工具車間 動力用廠房倉儲建築倉儲用建...