2019分析方法試卷答案

2021-03-04 09:51:25 字數 2847 閱讀 2167

四川理工學院試卷(2012至2013學年第1學期)

課程名稱: 材料現代分析方法

命題教師: 唐杰

適用班級: 材料;高分子

考試200 年月日共 3 頁

注意事項:

1、 滿分100分。要求捲麵整潔、字跡工整、無錯別字。

2、 考生必須將姓名、班級、學號完整、準確、清楚地填寫在試卷規定的地方,否則視為廢卷。

3、 考生必須在簽到單上簽到,若出現遺漏,後果自負。

4、 如有答題紙,答案請全部寫在答題紙上,否則不給分;考完請將試卷和答題卷分別一同交回,否則不給分。

試題一、填空(20分,每空1分)

1光譜項nmlj中各字母的意義是:n主量子數;l總角量子數;j內量子數(或總量子數);m譜線多重性符號。。

2可見光頻率為7.5×108~4.0×108mhz,對應於原子外層軌道電子躍遷。遠紅外頻率為6.0×106~105mhz,對應於分子轉動能級躍遷。

3干涉指數是材料衍射分析中常用的引數之一,它能同時標識出晶面的空間方位和晶面間距。

4過倒易座標原點o*的倒易平面稱為零層倒易平面。

5不同物質的粒子能態(能級結構,能量大小等)各不相同,因而具有表明自己獨有特徵的各類光譜。

6各種分析方法的分析檢測過程均可大體分為訊號發生,訊號檢測,訊號處理及訊號讀出等幾個步驟。

7靈敏線是原子光譜中最容易產生的譜線,一般主共振線即為靈敏線。

8 x射線衍射分析法用於材料結構分析,x射線螢光分析法用於材料成分分析。

9電子顯微分析方法以材料微觀形貌,結構與成分分析為基本目的。

10電子探針(epa或epma)的技術基礎與x射線螢光光譜分析相似,主要區別是以電子束代替x光子為激發源。

11結構因子f值只與晶胞所含的原子數及原子位置有關而與晶胞形狀無關。

第1頁二、判斷(10分,每小題1分)

1 x射線螢光分析範圍為ppm至100%。(v)

2 晶體尺寸越大,散射主峰有強度範圍越窄。 (v)

3 x光管輸入能量絕大部分轉化成了熱。 (v)

4 對於多相物質的衍射花樣由各組成相的衍射花樣簡單疊加而成。(v)

5有關x射線衍射必要條件的各種表示式完全適用於電子衍射分析。 (v)

6 掃瞄電鏡配置俄歇電子能譜,能在樣品表面形貌觀察基礎上分析表面元素分布。(v)

7 衍射儀是以特徵x射線照射多晶樣品,用輻射探測器記錄衍射資訊的衍射實驗裝置。(v)

8 電子能譜分析中,用x光照射獲得樣品芯層能級光電子譜;用紫外光照射獲得樣品價層能級光電子譜。(v)

9 像襯度是影象上不同區域間明暗程度的差別。(v)

10電子顯微分析方法的最大特點具備材料的微觀形貌分析和結構分析於一體。(v)

三、簡答(20分,每題5分)

1. 公式=1.225/v成立的前提條件

答:自由電子的初速為0,電場作功全部轉化為電子動能。

2.輻射的吸收。

答:是指輻射通過物質時,其中某些頻率的輻射被組成物質的粒子(原子、離子或分子等)選擇性地吸收而使輻射強度減弱的現象。

3. 簡述(hkl)與(hkl)的對應關係。

答:干涉指數可以看成是帶有公約數的晶面指數。即廣義的晶面指數。將干涉指數按比例化為互質整數時(n=1),不論晶面間距如何,干涉指數均還原為晶面指數(hkl)。

4.衍射花樣指數標定。

答:即確定衍射花樣中各線條相應晶面的干涉指數,並以之標識衍射線條,又稱為衍射花樣指數化。

第2頁四、選擇你認為合適的分析方法。(10分,每小題1分,選答一種即可)

1.青銅熔液中的sn的快速定量分析。 aes

2.區別nacl, kcl。 xfs

3.測定al的點陣常數。 xrd

4.鉑金飾品成分的無損檢測。 xfs

5.淬火鋼中殘留奧氏體質量分數的測定。 xrd

6.石膏粉的定性及定量分析。 xfs

7.混紡布成分的定性定量分析。 gc-ms

8.鎳鉻合金鋼回火脆斷口晶界上微量元素銻的分布。ap-fim

9.淬火鋼中孿晶馬氏體與位錯馬氏體的形貌觀察。sem

10.一種粘合劑的成分推測。 ir

五、綜合題(40分)

1.線光譜頻率由什麼因素決定?計算頻率6.0×106mhz的遠紅外線光子能量值。

(10分)

解:線光譜頻率由產生光子的原子躍遷軌道能量差決定。 (3分)

e=hv=6.62610-346.0×106×106=4×10-21j(5分)

答:頻率6.0×106mhz的遠紅外線光子能量值為4×10-21焦耳。(2分)

2.布拉格父子用cukα射線(λkα=0.154nm)照射nacl(晶格常數a=0.

57nm)晶體表面,在θ=15°和θ=32°時記錄到反射線。請解釋此現象並標出兩條反射線指數。(sin15°=0.

26,sin32°=0. 53)(30分)

解:由2dhklsinθ=λ(3分),得:

dhkl(a) =0.154/2/0.26=0.296 nm。(3分)

dhkl(b) =0.154/2/0.53=0.145nm。(3分)

nacl為簡立方複式晶格(2分),晶格常數標稱值a=0.57nm指[100]晶向同類離子間距(2分),(100)面間距應為0.57nm的一半,即0.285nm(2分)。

由dhkl=a/√(h2+k2+l2) (3分),和衍射花樣標定方法知:

(h2+k2+l2) (a)=(a/dhkl)2=(0.285/0.296)2≈1,即:

(hkl)(a)應為(100)。(4分)

(h2+k2+l2) (b)=(a/dhkl)2=(0.285/0.145)2≈4,即:

(hkl)(b)應為(200)。(4分)

根據以上分析可知:15°反射線為100線(2分),32°反射線為200線(2分)。第3頁

usp371224分析方法轉移

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