單晶知識求解

2021-03-04 04:46:01 字數 1999 閱讀 5532

8等徑時人不要用力踩在托板上面**爐內情況,**時盡量不要碰爐子

9.等徑引數設定或者人為干涉引數溫度拉速變動太大等等, 主要是要經驗者拉晶,出事少,長晶率高。

or液面抖動有可能是一下幾個方面因素導致的,1.石墨託杆沒有擰緊 2.氬氣流速和氣壓

抖動就是有震源造成的,而震源可能是外部(如裝置震動、地面震動等)也可能是內部造成的(如坩堝沒有在石墨托上坐穩,坩堝橢圓等)。

拉製單晶時斷稜的原因有哪些?

縮頸、放肩、轉肩時的溫度拉速導致的位錯,吃渣,機械,氬氣,堝跟比等。

單晶為什麼會斷稜?怎麼做會能降低斷稜機率?

肩後200以內可考慮拉細頸放肩收肩的操作問題,中下部壞可考慮熱場梯度的問題,稜不同時斷百分百的雜質點,稜同時斷,熔體內存在高熔點雜質微粒。幾乎所有斷稜都和雜質有關,因為單晶的生長力是很強的,除非有外來異向晶核的侵入晶體生長前沿和晶體內產生了較大熱內應力(超出晶體彈性形變的範疇,產生範性形變)才會破壞單晶的無位錯生長。生長稜線被破壞的形態和異向晶核所帶有的波壞能量不同(雜質成分、幾何尺寸、質量大小、在生長前沿的位置、侵入的瞬間)而不同(當然也包括晶體內應力的大小)。

講個問題過程較複雜考慮因素較多,但在實際中蘇說也簡單,盡量選用好的矽原料,不用或少用堝底料,選用優質塗鋇坩堝,原料化腐清洗處理的好,爐子排氣排的好,工藝操作做的細,斷稜現象肯定會大大降低。大多數廠家用的熱場基本不存在多大的問題,因為都是互相套搬的,根據使用情況稍加調整即可。

拉單晶棒時老是掉渣什麼原因

矽料裡有雜質,或熱場沒弄乾淨,或鋼絲繩老化掉渣,或重錘氧化過度表面脫皮,或坩堝有問題,還有可能是排氣孔沒對好。

單晶拉製中晶向和楞數有什麼關係

單晶生長稜線的數目與單晶取向有關。根據矽單晶柱面上的生長稜線的數目及其對稱性,可以判定單晶的取向。

單晶體表面的稜線是由傾斜密排面所引起的.

對〈100〉取向的矽單晶,由於有四個面和圓柱形晶體傾斜相交,所以在晶體柱面上形成四條對稱分布的生長稜線.

對〈111〉取向的矽單晶,由於有三個面和圓柱形晶體傾斜相交,所以在晶體柱面上形成三條對稱分布的生長稜線。

對〈110〉取向的矽單晶,由於有二個面和圓柱形晶體傾斜相交,所以在晶體柱面上形成二條對稱分布的生長稜線。

單晶黑心片產生的原因是什麼?如何解決?

黑晶元就是在電磁片擴散後el**中心成黑圓形

我曾經見過單晶元在從多線切割機切割完後,在放入熱水槽中進行清洗和下片的過程中,因為操作不當(例如水溫和時間沒有掌控好、還有就是在後續的清洗過程中清洗劑沒有把握好)而造成的產生黑點或者花斑的情況。

你可以嘗試改變水溫、水的ph值等方法來解決

單晶電池片轉換效率低是什麼原因

有很多原因!

1、一次清洗絨面沒做上(這種可能小)!

2、擴散磷沒擴散上。導致沒形成pn結(這種可能小)

3、刻蝕沒刻乾淨,導致pn結短路(會出現,但不會批量出現,反向電流會大)

4、印刷時銀鋁線斷線

5、燒結時燒穿(燒穿可能是擴散方塊太大或pe做膜膜厚不夠或燒結爐沒調好導致)!!!

影響單晶矽片的轉換效率有哪些因素?

1) 陽光照射角度、陽光強度

2)單晶矽片表面處理方式,如清洗過程、制絨過程、絲網印刷等等

3)天氣溫度導致矽片表面溫度的變化

4)發電過程中,太陽能板表面的清潔程度等等

太陽能的瓦數如何計算?

太陽能的瓦數?是太陽能元件的功率,還如何計算太陽能發電系統

太陽能電池組件由多片晶矽片串聯加併聯而成,串聯增加容量(功率),併聯增加電壓,根據矽片的併聯和串聯可以算出太陽能元件的大概功率,前提是清楚小矽片的功率引數,然後有太陽能元件功率測試儀測試出精確的功率。

單晶銅單晶銅(簡稱occ)用於音響線材的製作,是近年音響線材製造業的一項重大突破。科學實驗證明:單晶銅是一種高純度無氧銅,其整根銅杆僅由乙個晶粒組成,不存在晶粒之間產生的「晶界」(「晶界」會對通過的訊號產生反射和折射,造成訊號失真和衰減),因而具有極高的訊號傳輸效能。

與之相比,被廣泛用於音響線材製作的無氧銅(簡稱ofc),其內部晶粒數量眾多,「晶界」造成訊號失真和衰減,以至訊號傳輸效能比單晶銅遜色。

準單晶物質

直拉單晶矽相關知識彙總

本方法可以測的最低壽命值為10 s,而最高可測壽命值主要取決於試樣的尺寸和拋光的表面。所要求的試樣尺寸和最高可測壽命值如下 表1 少子壽命分析試樣標準尺寸型別 表2 光電導衰減法可測的最高壽命值 4.晶棒直徑 gb t12962 2005規定矽單晶直徑及其允許的偏差為 200 0.3mm 指加工後的...

單晶爐實習

實習目的 1 掌握單晶爐的長晶原理 2 單晶爐的結構及基本操作 3 單晶爐操作流程 4 單晶爐常見異常處理方法 5 單晶檢測 實習時間 2011.7.20 2011.8.2 實習地點 江西賽維ldk矽片事業部新餘公司 實習部門 單晶部2 廠房 實習內容 1 單晶爐的長晶原理 首先,把高純度的多晶矽原...

直拉單晶工藝培訓

直拉單晶工藝試卷 一 填空題 1.自然界的物質通常以三種形態存在 固體 液體和氣體。根據物質粒子排列結構,物質又可以分為晶體和非晶體。而晶體又可以分為單晶和多晶。2.矽晶體是金剛石結構,晶胞是正方體。單位晶胞占有的原子數為 8 個,原子配位數為 3.晶體具有規則的外形,一定的熔點和各向異性。4.人工...