本方法可以測的最低壽命值為10μs,而最高可測壽命值主要取決於試樣的尺寸和拋光的表面。所要求的試樣尺寸和最高可測壽命值如下：
表1 少子壽命分析試樣標準尺寸型別
表2 光電導衰減法可測的最高壽命值
4. 晶棒直徑
gb/t12962-2005規定矽單晶直徑及其允許的偏差為：200±0.3mm (指加工後的矽片標稱直徑，未經滾圓的單晶棒的直徑和允許的偏差由供需雙方商定)
5．抽樣方案：
1）gb/t12962-2005中規定對單晶棒抽樣方案為：每批產品隨機抽取20%的試樣。5根～9根晶棒/錠抽取兩個試樣，5根以下抽取乙個試樣。
2）導電型別、晶向和外形尺寸3項為全檢專案，若有一項不合格即為不合格。
3）檢驗氧含量時應在晶棒頭部切取試樣，檢驗碳時應在尾部取樣。當不能區分晶棒的頭尾或分析別的引數時可隨機取樣。
6．四探針法測矽單晶的電阻率
gb/t1551-2009中規定用四探針法測矽單晶的電阻率有效範圍為1.0×10-3～3.0×103ω·cm。
試樣要求：試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端間距應大於探針間距的4倍。四探針法也可以測量直徑大於探針間距10倍、厚度小於探針間距4的矽單晶圓片。
環境要求：溫度為23±1℃，相對溫度≤65%。
單晶矽廠安全隱患
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