晶體矽光電池
晶體矽光電池有單晶矽與多晶矽兩大類，用p型（或n型）矽襯底，通過磷（或硼）擴散形成pn結成製作，生產技術成熟，是光伏市場上的主導產品。採用埋層電極、表面鈍化、強化陷光、密柵工藝、優化背電極及接觸電極等技術，提高材料中的載流子收集效率，優化抗反射膜、凹凸表面、高反射背電極等方式，光電轉換效率有較大提高。單晶矽光電池面積有限，目前比較大的為 ∮10至 20cm的圓片，年產能力46mw/a。
目前主要課題是繼續擴大產業規模，開發帶狀矽光電池技術，提高材料利用率。國際公認最高效率在am1.5條件下為24％，空間用高質量的效率在amo條件約為13.
5—18％地面用大量生產的在am1條件下多在11—18％之間。以定向凝固法生長的鑄造多晶矽錠代替單晶矽，可降低成本，但效率較低。優化正背電極的銀漿和鋁漿絲網印刷，磨圖拋工藝，千方百計進一步降成本，提高效率，大晶粒多晶矽光電池的轉換效率最高達18.
6%。非晶矽光電池
a－si（非晶矽）光電池一般採用高頻輝光放電方法使矽烷氣體分解沉積而成。由於外解沉積溫度低，可在玻璃、不鏽鋼板、陶瓷板、柔性塑料片上沉積約1μm厚的薄膜，易於大面積化（05rn×l.0m），成本較低，多採用pin結構。
為提高效率和改善穩定性，有時還製成三層pin等多層疊層式結構，或是插入一些過渡層。其商品化產量連續增長，年產能力45mw／a，10mw生產線已投入生產，全球市場用量每月在1千萬片左右，居薄膜電池首位。發展整合型a－si光電池元件，雷射切割的使用有效面積達90％以上，小面積轉換效率提高到 14.
6％，大面積大量生產的為8－10％，疊層結構的最高效率為21％。研發動向是改善薄膜特性，精確設計光電池結構和控制各層厚度，改善各層之間介面狀態，以求得高效率和高穩定性。
多晶矽光電池
p－si（多晶矽，包括微品）光電池沒有光致衰退效應，材料質量有所下降時也不會導致光電池受影響，是國際上正掀起的前沿性研究熱點。在單晶矽襯底上用液相外延製備的p－si光電池轉換效率為15.3％，經減薄襯底，加強陷光等加工，可提高到23.
7%，用cvd法製備的轉換效率約為12.6—l7.3%。
採用廉價襯底的p—si薄膜生長方法有pecvd和熱絲法，或對a—si：h材料膜進行後退火，達到低溫固相晶化，可分別製出效率9.8%和9.
2%的無退化電池。微晶矽薄膜生長與a—si工藝相容，光電效能和穩定性很高，研究受到很大重視，但效率僅為7.7％大面積低溫p—si膜與—si組成疊層電池結構，是提高比a—s光電池穩定性和轉換效率的重要途徑，可更充分利用太陽光譜，理論計算表明其效率可在28％以上，將使矽基薄膜光電池效能產生突破性進展。
銅煙硒光電池 cis（銅鎖硒）薄膜光電池己成為國際先伏界研究開發的熱門課題，它具有轉換效率高（已達到17.7％），效能穩定，製造成本低的特點。cis光電池一般是在玻璃或其它廉價襯底上分別沉積多層膜而構成的，厚度可做到2－3μrn，吸收層cis膜對電池效能起著決定性作用。
現已開發出反應共蒸法和硒化法（濺射、蒸發、電沉積等）兩大類多種製備方法，其它外層通常採用真空蒸發或濺射成膜。阻礙其發展的原風是工藝重複性差，高效電池成品率低，材料組分較複雜，缺乏控制薄膜生長的分析儀器。cis光電池正受到產業界重視，一些知名公司意識到它在未來能源市場中的前景和所處地位，積極擴人開發規模，著手組建中試線及製造廠。
多晶矽非晶矽太陽能電池的區別
太陽能電池最早問世的是單晶矽太陽能電池。矽是地球上極豐富的一種元素，幾乎遍地都有矽的存在，可說是取之不盡，用矽來製造太陽能電池，原料可謂不缺。但是提煉它卻不容易，所以人們在生產單晶矽太陽能電池的同時，又研究了多晶矽太陽能電池和非晶矽太陽能電池，至今商業規模生產的太陽能電池，還沒有跳出矽的系列。其實可...
單晶多晶非晶矽太陽能電池的區別 3
太陽電池最早問世的是單晶矽太陽電池。矽是地球上極豐富的一種元素，幾乎遍地都有矽的存在，可說是取之不盡，用矽來製造太陽電池，原料可謂不缺。但是提煉它卻不容易，所以人們在生產單晶矽太陽電池的同時，又研究了多晶矽太陽電池和非晶矽太陽電池，至今商業規模生產的太陽電池，還沒有跳出矽的系列。其實可供製造太陽電池...
非晶矽太陽能電池報告
一 太陽能電池概述 1.1 太陽能電池原理 太陽能電池是通過光電效應或者光化學效應把光能轉化成電能的裝置。太陽能電池以光電效應工作的結晶體太陽能電池和薄膜式太陽能電池為主流，而以光化學效應工作的濕式太陽能電池則還處於萌芽階段。太陽能電池工作原理的基礎是半導體pn結的光生伏特效應。所謂光生伏特效應就是...