由前面的電壓電流曲線可以看到一般的應用中ic的驅動可以直接驅動mosfet，但是考慮到通常驅動走線不是直線，感量可能會更大，並且為了防止外部干擾，還是要使用rg驅動電阻進行抑制。考慮到走線分布電容的影響，這個電阻要盡量靠近mosfet的柵極。
表可以看到l對上公升時間的影響比較小，主要還是rg影響比較大。上公升時間可以用2*rg*cgs來近似估算，通常上公升時間小於導通時間的二十分之一時，mosfet開關導通時的損耗不致於會太大造成發熱問題，因此當mosfet的最小導通時間確定後rg最大值也就確定了 ，一般rg在取值範圍內越小越好，但是考慮emi的話可以適當取大。
以上討論的是mosfet on狀態時電阻的選擇，在mosfet off狀態時為了保證柵極電荷快速瀉放，此時阻值要盡量小，這也是rsink
圖實際使用中還要考慮mosfet柵漏極還有個電容cgd的影響，mosfet on時rg還要對cgd充電，會改變電壓上公升斜率，off時vcc會通過cgd向cgs充電，此時必須保證cgs上的電荷快速放掉，否則會導致mosfet的異常導通。
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