常見儲存器概念辨析：ram、sram、sdram、rom、eprom、eeprom、flash儲存器可以分為很多種類，其中根據掉電資料是否丟失可以分為ram（隨機訪問儲存器）和rom（唯讀儲存器），其中ram的訪問速度比較快，但掉電後資料會丟失，而rom掉電後資料不會丟失。
rom和ram指的都是半導體儲存器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統停止供電的時候仍然可以保持資料，而ram通常都是在掉電之後就丟失資料，典型的ram就是計算機的記憶體。
ram 又可分為sram（static ram/靜態儲存器）和dram（dynamic ram/動態儲存器）。sram 是利用雙穩態觸發器來儲存資訊的，只要不掉電，資訊是不會丟失的。dram是利用mos（金屬氧化物半導體）電容儲存電荷來儲存資訊，因此必須通過不停的給電容充電來維持資訊，所以dram 的成本、整合度、功耗等明顯優於sram。
sram速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的一級緩衝，二級緩衝。dram保留資料的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，但從**上來說dram相比sram要便宜很多，計算機記憶體就是dram的。
而通常人們所說的sdram 是dram 的一種，它是同步動態儲存器，利用乙個單一的系統時鐘同步所有的位址資料和控制訊號。使用sdram不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的資料傳輸。在嵌入式系統中經常使用。
rom也有很多種，prom是可程式設計的rom，prom和eprom（可擦除可程式設計rom）兩者區別是，prom是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而eprom是通過紫外光的照射擦出原先的程式，是一種通用的儲存器。另外一種eeprom是通過電子擦出，**很高，寫入時間很長，寫入很慢。
flash也是一種非易失性儲存器（掉電不會丟失），它擦寫方便，訪問速度快，已大大取代了傳統的eprom的地位。由於它具有和rom一樣掉電不會丟失的特性，因此很多人稱其為flash rom。flash儲存器又稱快閃儲存器，它結合了rom和ram的長處，不僅具備電子可擦出可程式設計（eeprom）的效能，還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料（nvram的優勢），u盤和***裡用的就是這種儲存器。
在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用rom（eprom）作為它們的儲存裝置，然而近年來flash全面代替了rom（eprom）在嵌入式系統中的地位，用作儲存bootloader以及作業系統或者程式**或者直接當硬碟使用（u盤）。
目前flash主要有兩種nor flash和nadn flash。nor flash的讀取和我們常見的sdram的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在nor flash裡面的**，這樣可以減少sram的容量從而節約了成本。nand flash沒有採取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一快的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的flash比較廉價。
使用者不能直接執行nand flash上的**，因此好多使用nand flash的開發板除了使用nand flah以外，還作上了一塊小的nor flash來執行啟動**。
一般小容量的用nor flash，因為其讀取速度快，多用來儲存作業系統等重要資訊，而大容量的用nand flash，最常見的nand flash應用是嵌入式系統採用的doc（disk on chip）和我們通常用的「閃盤」，可以**擦除。目前市面上的flash 主要來自intel，amd，fujitsu和toshiba，而生產nand flash的主要廠家有samsung和toshiba。
rom和ram指的都是半導體儲存器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統停止供電的時候仍然可以保持資料，而ram通常都是在掉電之後就丟失資料，典型的ram就是計算機的記憶體。
ram有兩大類，一種稱為靜態ram（static ram/sram），sram速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的一級緩衝，二級緩衝。另一種稱為動態ram（dynamic ram/dram），dram保留資料的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，但從**上來說dram相比sram要便宜很多，計算機記憶體就是dram的。
dram分為很多種，常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這裡介紹其中的一種ddr ram。
ddr ram（date-rate ram）也稱作ddr sdram，這種改進型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在於它可以在乙個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使得資料傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的記憶體，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了intel的另外一種記憶體標準－rambus dram。在很多高階的顯示卡上，也配備了高速ddr ram來提高頻寬，這可以大幅度提高3d加速卡的畫素渲染能力。
記憶體工作原理：
記憶體是用來存放當前正在使用的（即執行中）的資料和程式，我們平常所提到的計算機的記憶體指的是動態記憶體（即dram），動態記憶體中所謂的"動態"，指的是當我們將資料寫入dram後，經過一段時間，資料會丟失，因此需要乙個額外設電路進行記憶體重新整理操作。
具體的工作過程是這樣的：乙個dram的儲存單元儲存的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是資料丟失的原因；重新整理操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持資料的連續性。
rom也有很多種，prom是可程式設計的rom，prom和eprom（可擦除可程式設計rom）兩者區別是，prom是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而eprom是通過紫外光的照射擦出原先的程式，是一種通用的儲存器。另外一種eeprom是通過電子擦出，**很高，寫入時間很長，寫入很慢。
舉個例子，手機軟體一般放在eeprom中，我們打**，有些最後撥打的號碼，暫時是存在sram中的，不是馬上寫入通過記錄（聯絡歷史儲存在eeprom中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓使用者忍無可忍的。
flash儲存器又稱快閃儲存器，它結合了rom和ram的長處，不僅具備電子可擦除可程式設計（eeprom）的效能，還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料（nvram的優勢），u盤和***裡用的就是這種儲存器。在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用rom（eprom）作為它們的儲存裝置，然而近年來flash全面代替了rom（eprom）在嵌入式系統中的地位，用作儲存bootloader以及作業系統或者程式**或者直接當硬碟使用（u盤）。
目前flash主要有兩種nor flash和nadn flash。
nor flash的讀取和我們常見的sdram的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在nor flash裡面的**，這樣可以減少sram的容量從而節約了成本。
nand flash沒有採取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的flash比較廉價。使用者不能直接執行nand flash上的**，因此好多使用nand flash的開發板除了使用nand flah以外，還作上了一塊小的nor flash來執行啟動**。
一般小容量的用nor flash，因為其讀取速度快，多用來儲存作業系統等重要資訊，而大容量的用nand flash，最常見的nand flash應用是嵌入式系統採用的doc（disk on chip）和我們通常用的"閃盤"，可以**擦除。目前市面上的flash 主要來自intel，amd，fujitsu和toshiba，而生產nand flash的主要廠家有samsung和toshiba。
nand flash和nor flash的比較
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。緊接著，2023年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升級。
但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清nor和nand快閃儲存器。
相"flash儲存器"經常可以與相"nor儲存器"互換使用。許多業內人士也搞不清楚nand快閃儲存器技術相對於nor技術的優越之處，因為大多數情況下快閃儲存器只是用來儲存少量的**，這時nor快閃儲存器更適合一些。而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。
nor是現在市場上主要的非易失快閃儲存器技術。nor一般只用來儲存少量的**；nor主要應用在**儲存介質中。nor的特點是應用簡單、無需專門的介面電路、傳輸效率高，它是屬於晶元內執行(xip, execute in place)，這樣應用程式可以直接在（nor型）flash快閃儲存器內執行，不必再把**讀到系統ram中。
在1～4mb的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。nor flash佔據了容量為1～16mb快閃儲存器市場的大部分。
nand結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用nand的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。
1、效能比較:
flash快閃儲存器是非易失儲存器，可以對稱為塊的儲存器單元塊進行擦寫和再程式設計。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。nand器件執行擦除操作是十分簡單的，而nor則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為1。
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