近期很多人都在做高方阻電池片，有一些已經到60~65左右的方阻。下面是本人在高方阻除錯中有一些經驗，可以跟大家分享，希望能夠幫到大家。
1、高方阻的意義
說到高方阻的意義，大家應該都很懂:較低的表面雜質濃度，有效降低了表面的雜質復合中心，提高了表面少子的存活率，同時增加短波的響應，如此有效的增加了isc和uoc，達到提高效率的目的；
2、問題
但是與此同時表面薄層電阻明顯增加，增大了rs，降低了ff。要使最終的效率有所提高，就需要uoc、isc的提高大於ff的降低。
3、調整步驟
高方阻工藝的除錯需要整個製程的相互配合。具體的動作如下：
（1）方阻除錯
均勻性：影響均勻性的因素很多，裝置需要注意溫度、尾氣負壓、熱排風；工藝需要注意預氧化層厚度、磷源與氧氣比例等，這些需要進行doe實驗，均勻性需要極值差小於8
高方阻的擴散方案：降溫是最直接的方式，但是你需要配合diffusion time和drive in time的調整，也需要doe實驗。
以上完成後需要進行原有製程工藝的試生產，需要看到uoc、isc明顯提公升後，才能說明高方阻的擴散工藝已經除錯成功。
（2）pecvd調整
大家可能不明白，高方阻為什麼需要pecvd調整？那就仔細往下看
表面鈍化的改善：高方阻的目的就是降低表面復合，提高短波響應，如果表面鈍化很糟糕，那isc的損失會很明顯。
反射光譜改善：高方阻是提高短波的響應，那就需要在一定的程度上減少短波的反射，需要pecvd的n和d的調整，也是doe實驗。
（3）絲網印刷
前面進行試生產的目的就是需要確認絲網的改善方向。
如果效率有提高，那只需要調節燒結爐的工藝即可，一般是在原有的工藝基礎上降低溫度，因為淺結更容易燒穿；當然不排除提高帶速增加溫度的可能。
如果效率沒有提高，或很少，那就需要變更正電極網版的設計，增加柵線、降低細柵線寬度（細線密柵原則），最好是在不增加遮光面積的前提下進行網版的設計，這是最理想的。而後進行doe實驗和燒結的除錯。
最後就是產線的磨合，要一些時間。很多國外的企業一般都已經做到80~90的方阻了，國內一般為50~60，而我們正在衝刺80~85。
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