微機原理和組合語言補考複習

2021-08-06 05:54:22 字數 2900 閱讀 6588

一、判斷題:(共10分)

1. 動態記憶體的工作速度較慢,但功耗較低、整合度較高,因而常用於主儲存器。( )

2. 指令xor al,offh的將al的內容按位取反( )

3. and al,ofh是將al的低四位置1( )

4. 資料傳送指令mov [bx],[si] ( )

5. 指令xor al,01h是將al的最低位取反( )

6. 指令or al,offh是將al置全1( )

7. 動態記憶體的工作速度較慢,但功耗較低、整合度較高,因而常用於主儲存器。( )

8. 靜態記憶體的功耗較大、整合度較低,但工作速度較快,因而常用於主儲存器。( )

9. 動態重新整理是指定期向存有「1」電荷的電容重新充電以補充電荷。( )

10. 邏輯右移1位和算術右移1位結果都是一樣( )

二、選擇題:

1.8086/8088中ds是( )暫存器

a、標誌暫存器 b、**段段位址暫存器 c、資料段段位址暫存器.d、堆疊段暫存器

2.儲存容量的基本單位是( )

a、位數 b、位元組數 c、儲存單元數 d、位元組數或儲存單元數*位數.

3.對於sram,容量為16kb的晶元需( )根位址線

a、10 b、12 c、13 d、14.

4.和外存相比,主存的特點是( )

a、容量大、速度快、成本低 b、容量大、速度慢、成本高

c、容量小、速度快、成本高. d、 容量小、速度快、成本低

5.在下列資料傳送方式中,( )屬於主機與外設是序列工作方式的

a、直接程式控制方式. b、程式中斷方式 c、直接儲存器訪問方式

d、其它方式

6.dma方式常應用於( )

a、主機與外設並行工作方式 b、進行實時處理和故障處理

c、高速外存的資料塊傳送. d、低速外存的資料傳送

7.堆疊資料的操作原則是( )

a、先進先出 b、後進後出 c、先進後出. d、順序進出

8.8086/8088cpu中有( ) 個段位址暫存器

a、6 b、4. c、8 d、1

9.儲存單元是指( )

a、 存放乙個二進位制資訊位的儲存單元

b、 存放乙個位元組的所有儲存單元集合.

c、 存放兩上位元組的所有儲存單元集合

d、 存放乙個機器字的所有儲存單元集合

10.十進位制數-27的補碼是( )

a、00011001 b、10011011 c、11100100 d、11100101.

11.反碼***的真值是( )

a、+58 b、-58. c、-69 d、+69

12.微機的內部只能存在著( )進製數

a、二. b、八 c、十 d、十六

13.對軟盤進行寫保護,意味著對軟盤的訪問方式為( )

a、允許讀寫 b、唯讀禁寫. c、只寫禁讀 d、禁止讀寫

14.8086/8088中fr是( )暫存器

a、標誌暫存器. b、段位址暫存器 c、指令指標暫存器 d、 資料暫存器

15.在向量中斷方式中,cpu在發出批准訊號後,( )

a、立即執行中斷處理程式 b、先執行中斷原查詢程式

c、先通過軟體判斷優先順序 d、先從中斷向量表獲得中斷處理程式入口位址.

三、填空題

1. 儲存系統通常由高速緩衝儲存器和外儲存器三個層次構成。

2. 指令mov ax,1000h中源運算元的定址方式是方式。

3. 指令mov ax,[bx]中源運算元的定址方式是方式。

4. 指令mov ax,[2000h]中源運算元的定址方式是方式。

5. 構成msam組合語言程式的三促語句是和   。

6. i/o介面按資料傳送格式分可分為兩類。

7. 中斷的主要特點是和隨機性。

8. dma方式主要特點是傳送速度快和更高的並行性。

9. dma方式一般用於批量資料傳送。

10. 外匯流排也叫

11. (255.625)102

12. (10101.11)210

13. 已知x=0.1011001  則[x]補

14. 已知x=1011001   則[x]補

15. 已知[x]原=01011001  則[x]補

廣州市輕工高階技工學校(電大輕工分校)2006/2007學年第二學期期末考試卷

(答卷)

考試科目: 計算機組成原理與組合語言程式

(考試形式: 半閉卷考試時間:90分鐘試卷頁數:共 5 頁 )

班級學號姓名

一、 判斷題 (每題1分,共10分)

二、 單項選擇題(每小題2分,共計30分)

三、 填空題(每題1分,共15分)

1234

5678

9101112

1314

15四、 簡答題(每題分別是6,7,7分,共20分)

1、半導體唯讀儲存器的分類和名稱

2、靜態儲存器和動態儲存器的的定義與區別

3、匯流排按在系統中的作用劃分為哪幾類?

五、邏輯分析設計(第一題10分,第二題15分,共計25分)

1. 設計乙個容量為4k8位的半導體儲存器,選用sram晶元2114(1k4)。位址匯流排為a15~a0,資料匯流排為d7~d0,讀寫訊號線r/w。

要求寫出設計的全過程並畫出電路圖。

2. 設計乙個容量為8k8位的半導體儲存器,其中固化區為4k位元組,選用eprom晶元2716(2k8位);工作區為4k位元組,選用sram晶元2114(1k4)。位址匯流排為a15~a0,資料匯流排為d7~d0,讀寫訊號線r/w。

要求寫出設計的全過程並畫出電路圖。

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