晶體矽太陽電池基礎知識
目的：紮實技術員、新加入研發工程師以及本人的晶體矽太陽能電池的基礎。
及本人的晶體矽太陽能電池的基礎
方式：講課+ 提問+ 討論，三者缺不可。討論，三者缺一不可。時間：周
二、四，6:30‐8:30pm
第一章半導體及pn結
夏正月2010.05
重要性：
1. 太陽能電池的根基
2. 新南威爾斯大學花兩年的時間學這一章
介紹太陽電池和其他電子器件的關係非常緊密。
太陽電池和其他電子器件的關係非常緊密本章主要講解作為光伏器件核心的半導體
材料及物理機制的基礎部分。這些物理機
制可以用來解釋太陽電池的核心‐pn結的工作原理。
第一節第節基礎知識半導體矽(si)的基本結構
能帶間隙
半導體的能帶間隙是指使電子從束縛態到自由態（可參與導電）所需的最小能量。低能量態叫做價帶高能量導帶
低能量態叫做價帶，高能量態叫做導帶。中間部分稱為禁帶
eg 能帶間隙。鍺的禁帶寬度為0.785ev ；矽的禁帶寬度為1.12ev ；砷化鎵的禁帶寬度為1.424ev 。禁帶非常窄就成為金屬了，價帶
反之則成為絕緣體。
絕對零度下矽能帶示意圖
動畫本徵載流子
本徵載流子：因熱激發將載流子從價帶激發到導帶，而在兩帶中留下的自由載流子，定義為n i.本徵半導體：沒有引入任何雜質而導致載流子濃度發生變化。
112v112v 提問：n i與eg、t
1.12ev 1.12ev的關係？
摻雜p型，n型？
少子多子？
少子，多子？
動畫平衡載流子濃度
平衡載流子濃度：無附加偏壓的情況下導帶和價帶上載流子的數目。
提問&討論
半導體基礎知識
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