1、測量led正常發光的電流範圍；
2、測量各種led正嚮導通電壓。
3、測量各種led燒毀的最小電流。
1、萬用表；
2、10 /0.25w電阻1個，5k 電位器（502）1個；
3、φ3mm紅、黃、綠、蘭、白led各1個；
4、φ10mm紅、黃、綠、蘭、白led各1個；
5、直流電壓源（+5v）。
1、led簡介
發光二極體簡稱為led（light-emitting diode）。它是半導體二極體的一種，可以把電能轉化成光能。發光二極體與普通二極體一樣是由乙個pn結組成，也具有單向導電性；當給發光二極體加上正向電壓後，從p區注入到n區的空穴和由n區注入到p區的電子，在pn結附近分別與n區的電子和p區的空穴復合，產生自發輻射的可見或非可見輻射光。
不同的半導體材料中禁帶寬度不同，因而電子和空穴復合時釋放出的能量多少不同，釋放出的能量越多，則發出的光的波長越短。由鎵（ga）與砷（as）、磷（p）的化合物製成的二極體，當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來製成發光二極體。紅色發光二極體的波長一般為650~700nm，黃色發光二極體的波長一般為585 nm左右，綠色發光二極體的波長一般為555~570 nm。
圖1 pn結的電致發光 （a）零偏壓，（b）外加正向偏壓vf
圖2 磷化鎵發光二極體
（a）管芯截面圖 （b）封裝後的磷化鎵發光二極體
按其使用材料可分為磷化鎵(gap)發光二極體、磷砷化鎵(gaasp)發光二極體、砷化鎵(gaas)發光二極體、磷銦砷化鎵(gaasinp)發光二極體和砷鋁化鎵(gaalas)發光二極體等多種。按其封裝結構及封裝形式除可分為金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝、樹脂封裝和無引線表面封裝外，還可分為加色散射封裝（d）、無色散射封裝（w）、有色透明封裝（c）和無色透明封裝（t）。
2、led引數
發光二極體的兩根引線中較長的一根為正極，應按電源正極。有的發光二極體的兩根引線一樣長，但管殼上有一凸起的小舌，靠近小舌的引線是正極。按發光管出光面特徵分圓型、方型、矩型、面發光管、側向管、表面安裝管等。
最為常見為圓型，其直徑有：分為φ3mm3mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm等。
國外通常把φ3mm的發光二極體記作t-1；把φ5mm的記作t-1（3/4）；把φ4.4mm的記作t-1（1/4）。
發光二極體的反向擊穿電壓約5伏；最大工作電流與發光二極體的尺寸大小有關，φ3mm的發光二極體，最大工作電流為20ma；φ4.4mm的發光二極體，最大工作電流為40ma；φ7.8mm的發光二極體，最大工作電流為120ma；發光二極體伏安特性如圖3所示。
圖3 導通壓降與顏色和電流的關係
從圖3可見，紅色發光二極體正嚮導通壓降最低，約為1.8v~2.0v左右；黃色的正向壓降次之，約為2.0~2.2v，綠色的壓降為3.0~3.2v。
它的正向伏安特性曲線很陡，使用時必須串聯限流電阻以控制通過管子的電流，否則電流過大會燒毀led。限流電阻r可用下式計算：
式中e為電源電壓，vf為led的正向壓降，if為led的工作電流。
led（發光二極體）是pn結，led具有非線性伏安特性（i-v特性）；還具有單向導電性，即外加正偏壓表現低電阻，反偏壓為高電阻。
led伏安特性測試電路
發光二極體正嚮導通，當達到導通電流時，二極體發光，當電流過大，發光二極體會燒毀。實驗原理圖如圖4所示：
圖4 實驗原理圖
1、將rw1電阻調至最大，按圖4連線，圖中led使用紅色發光二極體。觀察紅色發光二極體是否發光，將此時流過led的電流和led兩端的電壓記錄在表1中。
2、將rw1緩慢調小，進行測試，資料填入表1中。注意記錄剛亮、亮、極亮、燒毀五個狀態的電流電壓值。
表1 φ3mm 的led v-i特性和發光狀況
表2 φ10mm 的led v-i特性和發光狀況
分析：由實驗資料表得出，
綜上所述。。。。
LED發光二極體
更新時間 2006 9 12 3 15 43 作者 佚名 全網電子 半導體發光器件包括半導體發光二極體 簡稱led 數碼管 符號管 公尺字管及點陣式顯示屏 簡稱矩陣管 等。事實上，數碼管 符號管 公尺字管及矩陣管中的每個發光單元都是乙個發光二極體。一 半導體發光二極體工作原理 特性及應用 一 led...
發光二極體概論
發光二極體，是一種固態的半導體器件，能直接高效率地把電轉化為光，又簡稱為led light emitting diode led 是由 族化合物，如gaas 砷化鎵 gap 磷化鎵 gaasp 磷砷化鎵 等半導體製成的，其核心是pn結，因此它具有一般p n結的特性，即正嚮導通，反向截止 擊穿特性等。...
發光二極體的簡介
它是半導體二極體的一種，可以把電能轉化成光能 常簡寫為led。發光二極體與普通二極體一樣是由乙個pn結組成，也具有單向導電性。當給發光二極體加上正向電壓後，從p區注入到n區的空穴和由n區注入到p區的電子，在pn結附近數微公尺內分別與n區的電子和p區的空穴復合，產生自發輻射的螢光。不同的半導體材料中電...