MOS管開關條件

場效電晶體的導通與截止由柵源電壓來控制，對於增強型場效電晶體來說，n溝道的管子加正向電壓即導通，p溝道的管子則加反向電壓。一般2v～4v就可以了。

??? 但是，場效電晶體分為增強型（常開型）和耗盡型（常閉型），增強型的管子是需要加電壓才能導通的，而耗盡型管子本來就處於導通狀態，加柵源電壓是為了使其截止。

??? 開關只有兩種狀態通和斷，三極體和場效電晶體工作有三種狀態，1、截止，2、線性放大，3、飽和（基極電流繼續增加而集電極電流不再增加）。使電晶體只工作在1和3狀態的電路稱之為開關電路，一般以電晶體截止，集電極不吸收電流表示關；以電晶體飽和，發射極和集電極之間的電壓差接近於0v時表示開。

開關電路用於數位電路時，輸出電位接近0v時表示0，輸出電位接近電源電壓時表示1。所以數字積體電路內部的電晶體都工作在開關狀態。

???? 場效電晶體按溝道分可分為ｎ溝道和ｐ溝道管（在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）。

按材料分可分為結型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強型，一般主機板上大多是絕緣柵型管簡稱ｍｏｓ管，並且大多採用增強型的ｎ溝道，其次是增強型的ｐ溝道，結型管和耗盡型管幾乎不用。

??? 場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體.由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體.它屬於電壓控制型半導體器件.

??? 場效電晶體是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而電晶體是即有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件.

??? 有些場效電晶體的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比電晶體好.

什麼叫場效電晶體？

???? fet是field-effect-transistor的縮寫，即為場效應電晶體。一般的電晶體是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型電晶體，而fet僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型電晶體。

fet應用範圍很廣，但不能說現在普及的雙極型電晶體都可以用fet替代。然而，由於fet的特性與雙極型電晶體的特性完全不同，能構成技術效能非常好的電路。

pmos增強型管：ug-us<0 , 且 |ug-us|>|ugs(th)| ， ugs|th|是開啟電壓；

nmos增強型管：ug-us>0，且 |ug-us|>|ugs(th)| ，ugs|th|是開啟電壓；

pmos導通是在g和s之間加g負s正電壓。nmos相反。