據場效電晶體的上述特點，利用雙極型三極體與場效電晶體的電極對應關係，即b→g，e→s，c→d，即可在單管共射放大電路的基礎上，組成共源極放大電路。
上圖是乙個由n溝道增強型mos場效電晶體組成的單管共源極放大電路的原理電路圖。為了使場效電晶體工作在恆流區以實現放大作用，對於n溝道
增強型mos管來說，應滿足以下條件：
ugs＞ut
uds＞ugs-ut
其中ut為n溝道增強型mos場效電晶體的開啟電壓。
一、靜態分析
為了分析共源極放大電路的靜態工作點，可以利用近似估算法或**法。
（一）近似估算法
在上圖中，由於mos場效電晶體的柵極電流為零，因此電阻rg上沒有電壓降，則當輸入電壓等於零時
ugsq＝vgg （2．7．1）
由上圖可得
udsq＝vdd－idqrd （2．7．4）
（二）**法
為了用**法確定靜態工作點，應先畫出直流負載線。由上圖電路的漏極迴路可列了以下方程：
uds＝vdd－idrd
根據以上方程，在場效電晶體的輸出特性曲線上畫出直流負載線，如下圖所示。直流負載線與ugs=ugsq＝vgg的一條輸出特性的交點即是靜態工作點q。由圖可得靜態時的idq和udsq，見下圖。
二、動態分析
同樣可以利用微變等效電路法對場效電晶體放大電路進行動態分析。
首先討論場效電晶體的等效電路。由於漏極電流id是柵源電壓ugs和漏源電壓ugs的函式,根據式（2．7．8）可畫出場效電晶體的微變等效電路，如下圖所示。圖中柵極與源極之間雖然有乙個電壓ugs，但是沒有柵極電流，所以柵極是懸空的。
d、s之間的電流源gmugs也是乙個受控源，體現了ugs對id的控制作用。
等效電路中有兩個微變引數：gm和rds。它們的數值可以根據式（2．7．6）和（2．7．7）中的定義，在場效電晶體的特性曲線上通過作圖的方法求得。
一般gm的數值約為0.1至20ms。rds的數值通常為幾百千歐的數量級。當漏極負載電阻rd比rds小得多，可認為等效電路中的rds開路。
2．7．2 分壓－自偏壓式共源放大電路
靜態時，柵極電壓由vdd經電阻r1、r2分壓後提供，靜態漏極電流渡過電阻rs產生乙個自偏壓，場效電晶體的靜態偏置電壓ugsq由分壓和自偏壓的結果共同決定，因此稱為分壓－自偏壓式共源放大電路。引入源極電阻rs也有利於穩定靜態工作點，而旁路電容cs必須足夠大，以免影響電壓放大倍數。接入柵極電阻rg的作用是提高放大電路的輸入電阻。
一、靜態分析
（一）近似估算法
根據圖2．7．7的輸入迴路可求得
udsq＝vdd－idq（rd＋rs） （2．7．13）
（二）**法
為了分析分壓－自偏壓式共源放大電路的靜態工作點，也可心在場效電晶體轉移特性和漏極特性上利用作圖的方法求解。
表示式可用一條直線表示，見上圖（a）。另外，id與ugs之間又必須滿足轉移特曲線的規律，所以二者的交點即是靜態工作點q。根據轉移特性上q點的位置可求得靜態的ugsq和idq值，見上圖（a）。
電路的漏極迴路可列出以下方程：
uds＝vdd—id(rd＋rs)
由此可在漏極特性曲線上畫出直流負載線，見上圖（b）。直流負載線與ugs＝ugsq一條漏極特性的交點確定了漏極特性曲線上q點的位置。由此可找到靜態時的udsq和idq值。
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