填空題1、單胞是基本的、不唯一的單元。（ x）
2、電子所處能級越低越穩定v ）
3、無論是自由電子還是晶體材料中的電子，他們在某處出現的機率是恆定不變的。（ x ）
4、ⅲ、ⅴ族雜質在si、ge晶體中為深能級雜質。（x
5、受主雜質向價帶提供空穴成為正電中心。（x）
6、空穴佔據費公尺能級的概率在除絕對零度外各種溫度下總是1/2。（v
7、對不同的半導體材料，費公尺能級位置較高，說明有較多的能量較高的量子態上有電子。（v
8、按半導體結構來分，應用最為廣泛的是（金剛石型）。
9、寫出三種立方單胞的名稱，並分別計算單胞中所含的原子數。
簡立方、體心立方、面立方 1、2、4
10、計算金剛石型單胞中的原子數。6*1/2+8*1/8=3+1=4
11、雜質處於兩種狀態：（中性態）和（離化態）。
12、空位表現為（ 受主 ）作用，間隙原子表現為（施主）作用。
13、以si在gaas中的行為為例，說明ⅳ族雜質在ⅲ—ⅴ化合物中可能出現的雙性行為.
答：si取代gaas中的ga原子則起施主作用； si取代gaas中的as原子則起受主作用。導帶中電子濃度隨矽雜質濃度的增加而增加，當矽雜質濃度增加到一定程度時趨於飽和。
矽先取代ga原子起施主作用，隨著矽濃度的增加，矽取代as原子起受主作用。
14、實際情況的半導體材料與理想的半導體材料有何不同？
答：（1）理想半導體：假設晶格原子嚴格按週期性排列並靜止在格點位置上，實際半導體中原子不是靜止的，而是在其平衡位置附近振動。
（2）理想半導體是純淨不含雜質的，實際半導體含有若干雜質。
（3）理想半導體的晶格結構是完整的，實際半導體中存在點缺陷，線缺陷和面缺陷等。
15、為什麼電子分布在導帶底，空穴分布在價帶頂？
16、能量為e的乙個量子態被乙個空穴佔據的概率為
答案是1-f(e)。
第一章1．設晶格常數為a的一維晶格，導帶極小值附近能量ec(k)和價帶極大值附近能量ev(k)分別為：
（1）禁帶寬度;
（2）導帶底電子有效質量;
（3）價帶頂電子有效質量;
（4）價帶頂電子躍遷到導帶底時準動量的變化
解： （1）
2. 晶格常數為0.25nm的一維晶格，當外加102v/m，107 v/m的電場時，試分別計算電子自能帶底運動到能帶頂所需的時間。
解：根據： 得
7. 銻化銦的禁帶寬度eg=0.18ev，相對介電常數r=17，電子的有效質量
=0.015m0, m0為電子的慣性質量，求施主雜質的電離能，施主的弱束縛電子基態軌道半徑。
8. 磷化鎵的禁帶寬度eg=2.26ev，相對介電常數r=11.
1，空穴的有效質量m*p=0.86m0,m0為電子的慣性質量，求受主雜質電離能；受主束縛的空穴的基態軌道半徑。
解：相比較300k時si的 eg=1.12ev
所以假設本徵費公尺能級在禁帶中間合理，特別是溫度不太高的情況下。
（1）設n型矽單晶襯底是摻銻的，銻的電離能為0.039ev，300k時的ef位於導帶下面0.026ev處，計算銻的濃度和導帶中電子濃度。
（2）設n型外延層雜質均勻分布，雜質濃度為4.61015cm-3,計算300k時ef的位置及電子和空穴濃度。
（3）在外延層中擴散硼後，硼的濃度分布隨樣品深度變化。設擴散層某一深度處硼濃度為5.21015cm-3,計算300k時ef的位置及電子和空穴濃度。
（4）如溫度公升到500k，計算中電子和空穴的濃度（本徵載流子濃度數值查圖3-7）。
半導體材料 短篇
半導體基礎知識 張光春2006.3 一 半導體材料 1.1固體材料按其導電性能可分為三類 絕緣體 半導體及導體，它們典型的電阻率如下 1.2半導體又可以分為元素半導體和化合物半導體，它們的定義如下 元素半導體 element 由一種材料形成的半導體物質，如矽和鍺。半導體器件與物理工藝 化合物 com...
半導體材料 複習
0 緒論 1.半導體的主要特徵 1 電阻率在10 3 109 cm 範圍 2 電阻率的溫度係數是負的 3 通常具有很高的熱電勢 4 具有整流效應 5 對光具有敏感性，能產生光伏效應或光電導效應 2.半導體的歷史 第一代 20世紀初元素半導體如矽 si 鍺 ge 第二代 20世紀50年代化合物半導體如...
半導體材料複習
半導體材料概述 從電學性質上講 主要指電阻率 絕緣體1012 1022 cm 半導體10 6 1012 cm 良導體 10 6 cm 正溫度係數 對電導率而言 負溫度係數 對電阻率而言 半導體材料的分類 按化學組成分類 1 無機物半導體 元素半導體 ge,si 化合物半導體 二 六族，三 五族。2 ...