第二章1.半導體：電導率介於金屬和絕緣體之間的材料稱為半導體。
2.本徵半導體：完全純淨的半導體稱為本徵半導體。它們是製造半導體器件的基本材料。
3.本徵激發：當t公升高或光線照射時,產生自由電子空穴對的現象稱為本徵激發。
型半導體：本徵半導體中摻入少量五價元素構成。
型半導體：本徵半導體中摻入少量三價元素構成。
6.半導體摻雜：本徵半導體中載流子數目極少，導電能力仍然很低。
但如果在其中摻入微量的雜質，所形成的雜質半導體的導電性能將大大增強。由於摻入的雜質不同，雜質半導體可以分為n型和p型兩大類。
7.內建電場：由於n型半導體中有富裕的自由電子，而p型半導體中有富裕的自由的空穴，所以當p型和n型半導體接觸時，p型半導體中的空穴就會向n型中擴散，而n型半導體中的電子向p型中擴散，結果是p型端帶負電，而n型端帶正電。
因而會形成內建電場，內建電場的方向從n型端指向p型端，從而又阻止電子和空穴的擴散。最後，依靠電子和空穴濃度梯度的擴散和內建電場的電作用達到平衡，在接觸面附近形成乙個耗盡層，即p-n結。
第三章1.自由載流子吸收：公釐波和微波
2.雜質吸收：雜質粒子的躍遷
3.聲子吸收：晶格振動引起
4.激子吸收：激子的形成
5.帶間吸收：價帶到導帶的躍遷
6.自發輻射：原子在沒有外界干預的情況下，電子會由處於激發態的高能級e2自動躍遷至低能級e1，這種躍遷稱為自發輻射。
7.受激吸收：當原子中的電子處於低能級時，吸收光子的能量後從低能級躍遷到高能級----光吸收。
8.受激輻射：當原子中的電子處於高能級時，若外來光子的頻率恰好滿足時，電子會在外來光子的誘發下向低能級躍遷，並發出與外來光子一樣特徵的光子----受激輻射。
9. 粒子數反**
10. 幫浦浦（激勵）:閃光燈或另一種雷射器以及氣體放電激勵、化學激勵、核能激勵。
11. 雷射工作物質:雷射器最重要的部分是工作物質，包括啟用離子和基質。
12. 費公尺能級:絕對零度時電子的最高能級。
13. 禁帶寬度:乙個能帶寬度(單位是電子伏特(ev))，固體中電子的能量是不可以連續取值的，而是一些不連續的能帶，要導電就要有自由電子存在，自由電子存在的能帶稱為導帶（能導電），被束縛的電子要成為自由電子，就必須獲得足夠能量從而躍遷到導帶，這個能量的最小值就是禁帶寬度。
14. 自終止躍遷方式:
第四章1.感測器：感測器是能夠感受規定的被測量並按一定規律轉換成可用輸出訊號的器件或裝置。
2.電阻-應變效應：電阻-應變效應是指金屬導體的電阻在導體受力產生變形（伸長或縮短）時發生變化的物理現象。
當金屬電阻絲受到軸向拉力時，其長度增加而橫截面變小，引起電阻增加。反之，當它受到軸向壓力時則導致電阻減小。
3.壓阻效應：壓阻效應指當半導體受到機械力作用時，由於載流子遷移率的變化，使其電阻率發生變化的現象。
4.壓電效應：壓電效應某些電介質，在一定方向上受到外力作用而變形時，內部會產生極化現象，同時在其表面上會產生電荷。當外力去掉後，又重新回到不帶電狀態的現象。
5.熱電效應：將兩種不同材料的導體a和b串接成乙個閉合迴路，當兩個接點溫度不同時，在迴路中就會產生熱電勢，形成電流，此現象稱為熱電效應。
6.熱釋電效應：熱釋電效應當一些晶體受熱時，在晶體兩端會產生數量相等而符號相反的電荷，從而產生電極化的現象。
7.外光電效應：在光的作用下，物體內的電子逸出物體表面向外發射的現象。向外發射的電子稱為光電子。如光電管、光電倍增管等。
8.內光電效應：半導體材料受到光照時會產生電子-空穴對,使其導電性能增強,光線愈強，阻值愈低，這種光照後電阻率發生變化的現象,稱為內光電效應。
如光敏電阻、光敏二極體、光敏三極體等。
9.光電導效應：內光電效應又分光電導效應和光生伏特效應。
在入射光的作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態過渡到自由狀態，從而引起材料電導率變化的現象，稱為光電導效應。光生伏特效應是利用半導體pn結在光的照射下產生光電動勢的現象。當大於禁帶寬度的光子照射到pn結後，電子會被激發並在內建電場作用下形成光電動勢。
10.本徵光電導：由帶間吸收形成的載流子產生的電導稱為本徵光電導。
11.非本徵光電導：當入射光子能量小於材料的禁帶寬度時，束縛在雜質能級上的電子和空穴也可能被激發到導帶或價帶上形成自由載流子並產生電導，這種電導稱為非本徵光電導。
12.光生伏特效應：光生伏特效應是指半導體在受到光照射時產生電動勢的現象。
13.霍爾效應：定義1：
在物質中任何一點產生的感應電場強度與電流密度和磁感應強度之向量積成正比的現象。定義2：通過電流的半導體在垂直電流方向的磁場作用下，在與電流和磁場垂直的方向上形成電荷積累和出現電勢差的現象。
第五章1.磁化曲線：定義1：表示物質磁感應強度、磁極化強度或磁化強度作為磁場強度函式的曲線。定義2：表示某種鐵磁物質的磁感應強度隨磁場強度變化的曲線。
2.磁滯迴線：當磁場強度週期性變化時，表示鐵磁性物質或亞鐵磁性物質磁滯現象的閉合磁化曲線。相對於座標原點對稱的磁滯迴線稱為「正常磁滯迴線」。
3.磁泡：p76
4.巨磁電阻效應：p76
第六章1.光纖尺寸：2.
數值孔徑：3.相對折射率差：
4.歸一化頻率：5.
截止波長：6.模式色散：
7.材料色散：8.
波導色散：9.極化色散：
10.本徵吸收：本徵吸收是指在價帶和導帶之間電子的躍遷產生與自由原子的線吸收譜相當的晶體吸收譜，它決定著半導體的光學性質.
本徵吸收最明顯的特點是具有基本的吸收邊（吸收係數陡峭增大的波長），也是半導體以及絕緣體光譜與金屬光譜的主要不同之處，它標誌著低能透明區與高能強吸收區之間的邊界。基本吸收邊由能量帶隙（晶體的導帶底和價帶頂的能量差－禁帶寬度）決定.
11.瑞利散射：定義1：
尺度遠小於入射光波長的粒子所產生的散射現象。根據英國物理學家瑞利(lord john william rayleigh，1842—1919)研究指出，分子散射強度與入射光的波長四次方成反比, 且各方向的散射光強度是不一樣的。定義2：
在介質中傳播的光波，由於材料的原子或分子結構隨距離變化而引起的散射。
第七章分立發光、復合發光、光度效率、餘輝時間、、溶致液晶、熱致液晶、向列型液晶、近晶型液晶、膽甾型液晶、
1. 發光效率: p110
2. 場致發光: 場致發光是將電能直接轉換為光能的發光現象.
由於場致發光是在電場激發下的產生的,通常將場致發光稱為電致發光,英文名稱寫為electro luminescences,簡稱el.
3. 電光效應:電光效應電光效應，是將物質置於電場中時，物質的光學性質發生變化的現象。
某些各向同性的透明物質在電場作用下顯示出光學各向異性，物質的折射率因外加電場而發生變化的現象為電光效應。電光效應包括泡克耳斯(pockels)效應和克爾(kerr)效應。電光效應是指某些各向同性的透明物質在電場作用下顯示出光學各向異性的效應。
4. 陰極射線致發光:以電子束使磷光物質激發發光，普遍用於示波管和映象管，前者用來顯示交流電波形，後者用來顯示影像。
5. 敏化劑:用以提高混合炸藥起爆感度的物質。
6. 猝滅劑:能降低螢光體發光強度的分子稱為猝滅劑。
猝滅劑有動態猝滅劑和靜態猝滅劑之分。動態猝滅是猝滅劑與螢光激發態分子之間的相互作用致使螢光強度降低的過程；靜態猝滅是指猝滅劑與基態螢光體分子形成不發光配合物來降低螢光強度的過程。失活可通過能量轉移、電子轉移或某種化學途徑。
特指一種光穩定劑，大多為鎳有機絡合物，對聚烯烴有突出的穩定效果。
7. 啟用劑:又稱活化劑。凡能提高酶活性的物質，都稱為啟用劑。其中大部分是離子或簡單的有機化合物.
8. 等離子體：等離子體又叫做電漿，是由部分電子被剝奪後的原子及原子被電離後產生的正負電子組成的離子化氣體狀物質，它廣泛存在於宇宙中，常被視為是除去固、液、氣外，物質存在的第四態。
等離子體是一種很好的導電體，利用經過巧妙設計的磁場可以捕捉、移動和加速等離子體。等離子體物理的發展為材料、能源、資訊、環境空間，空間物理，地球物理等科學的進一步發展提新的技術和工藝。
半導體材料09試題 名詞解釋
4 什麼是費公尺 狄拉克統計分布？費公尺分布有什麼特點。8 根據fermi 統計，能量為e的每個量子態被電子佔據的機率為 fermi dirac分布函式 ef是費公尺能量或化學勢 其物理意義是在體積不變的情況下，系統增加乙個電子所需的自由能，k是玻耳茲曼常量。費公尺子是自旋為半整數 n 1 2 的粒...
材料效能名詞解釋
彈性變形 材料受載後產生變形，解除安裝後這部分變形消逝，材料恢復到原來的狀態的性質 彈性比功 彈性變形過程中吸收變形功的能力 彈性極限 即彈性變形過渡到彈 塑性變形時的應力 彈性模量 工程上彈性模量被稱為材料的剛度，表徵材料對彈性變形的抗力 滯彈性 快速載入或者解除安裝後，材料隨時間的延長而產生的附...
工程材料名詞解釋
晶界 晶粒與晶粒之間的介面稱為晶界。點缺陷 點缺陷是指在三維方向上尺寸都很小的一種缺陷，包括空位，間隙原子和置換原子等。線缺陷 線缺陷是指在晶體中呈線狀分布 在乙個方向上尺寸很大，另兩個方向上尺寸很小 的缺陷，常見線缺陷的各種型別的位錯。面缺陷 是指晶體中呈面狀分布 在兩個方向上的尺寸很大，在第三個...