報告報告簡介：
砷化鎵（gaas）半導體材料與傳統的矽材料相比，它具有很高的電子遷移率、寬禁帶、直接帶隙，消耗功率低的特性，電子遷移率約為矽材料的5.7倍。因此，廣泛應用於高頻及無線通訊中製做ic器件。
所製出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，通常應用於雷射器、無線通訊、光纖通訊、移動通訊、gps 全球導航等領域。砷化鎵除在i c產品應用以外，也可加入其它元素改變能帶隙及其產生光電反應，達到所對應的光波波長，製作成光電元件。還可與太陽能結合製備砷化鎵太陽能電池。
全報告共分為六部分，分別從砷化鎵產品的特點、品種、市場，世界及我國gaas材料生產廠家、發展前景、市場現狀、下游生產企業現狀、技術發展趨勢、發展gaas材料產業的建議等方面，均進行了全面、詳細的綜述。
報告編寫的內容、資料、資料等方面，是中國電子材料行業協會根據最新開展行業、市場調研情況及資料編寫而成，客觀反應了國內外砷化鎵行業情況。希望能對關注及有意發展gaas材料的企業及個人提供參考幫助。
該報告的提綱目錄如下:
第一章砷化鎵概述
1.1 砷化鎵產品介紹
1.2 砷化鎵材料的主要特性
1.3 砷化鎵材料與矽材料的特性對比
1.4 砷化鎵應用
1.5 砷化鎵材料的分類
1.5.1 按照應用領域不同分類
1.5.2 按照工藝方法不同的分類
第二章砷化鎵單晶、晶元以及外延片工藝技術
2.1 砷化鎵單晶製備工藝法概述
2.1.1 單晶製備方法之比較
2.1.2 水平布里奇曼法（hb）
2.1.3 液封直拉法（lec）
2.1.4 溫度梯度凝固法（vgf）
2.1.5 蒸氣壓控制直拉法（vcz）
2.1.6 國內外技術質量水平對照
2.2 砷化鎵晶元的加工
2.3 砷化鎵外延片的加工
2.3.1 砷化鎵外延片的工藝法
2.3.2 砷化鎵外延材料的效能要求
第三章砷化鎵市場及產業分析
3.1 砷化鎵產業關聯度分析
3.1.1 積體電路產業
3.1.2 太陽能產業
3.1.3 半導體照明產業
3.2 國際市場分析
3.2.1 國際市場概述
3.2.2 全球砷化鎵市場規模
3.4 全球產業總況
3.5 境外砷化鎵單晶材料產業狀況及生產
3.5.1 日本
3.5.2 美國
3.5.3 台灣
第四章國內砷化鎵材料技術的發展
4.1 國內砷化鎵總體情況
4.2 國內砷化鎵出口情況
4.3 國內砷化鎵拋光片生產情況
4.4 國內砷化鎵企業生產情況
4.5 國內砷化鎵單晶材料產業及企業概況
4.6 國內砷化鎵材料主要生產廠家的情況
4.7 國內砷化鎵材料技術現狀及發展趨勢
第五章砷化鎵器件及電路市場及產業
5.1 砷化鎵器件及電路市場
5.2 砷化鎵在積體電路領域的應用及市場現狀
5.2.1 砷化鎵積體電路器件市場總況
5.2.2 無線通訊市場需求
5.2.3 光通訊市場需求
5.2.4 無線區域網（wlan）市場需求
5.2.5 汽車電子產品市場需求
5.2.6 軍事電子產品市場需求
5.3 境外砷化鎵積體電路產業現狀
5.3.1 日、美砷化鎵積體電路生產廠家
5.3.2 台灣砷化鎵積體電路生產廠家
5.3.3 國內砷化鎵積體電路生產廠家
5.4 砷化鎵在光電子領域的應用及市場現狀
5.4.1 砷化鎵在led方面應用
5.4.2 我國砷化鎵在led方面市場
5.4.3 我國led的主要生產廠家情況
5.5 砷化鎵太陽能生產
5.5.1 砷化鎵太陽能概述
5.5.2 砷化鎵太陽能技術發展
第六章中國砷化鎵材料產業發展建議及戰略發展思路
6.1 發展砷化鎵材料政策資源
6.2 砷化鎵材料產業發展特點
6.3 砷化鎵材料產業特點
6.4 發展砷化鎵材料產業的戰略思路
報告中圖表目錄:
圖1-1：化合物半導體材料主要應用領域
圖1-2：砷化鎵單晶產品
圖1-3：gaas應用領域
圖1-4：砷化鎵器件的應用領域
圖2-1：早期gaas晶體生長方法
圖2-2：hb法設各及爐溫分布示意圖
圖2-3：lec法單晶生長示意圖
圖2-4：vgf法裝置示意圖
圖2-5：砷化鎵單晶元切磨拋工藝流程圖
圖2-6：液相外延裝置的示意圖
圖2-7：mbe裝置的示意圖
圖2-8：分子束外延（mbe）裝置
圖2-9：mocvd外延裝置的示意圖
圖3-1：砷化鎵ic器件製備過程
圖3-2：2007~2023年我國積體電路市場需求**
圖3-3：2007~2023年太陽能電池發展**（單位：gw）圖3-4：白光照明產業鏈
圖3-5：2010~2023年間全球gaas市場發展**
圖3-6：2006~2023年世界砷化鎵用量統計及**
圖3-7：2006~2023年世界砷化鎵市場發展
圖3-8：2006~2023年日本砷化鎵需求的發展
圖4-1：砷化鎵單晶生產線工藝方法所佔比例
圖4-2：2023年國內gaas產品內銷與出口比重
圖5-1：gaas市場鏈
圖5-2：1gbe與10gbe市場占有率
圖5-3：wlan 802.11技術演進
圖5-4：2004~2023年間全球wlan晶元市場產值
圖5-5：2007~2023年間我國wlan市場產值
圖5-6：2006~2023年間我國汽車雷達系統產量
圖5-7：我國高亮度led的應用市場結構
圖5-8：2023年我國led應用市場規模統計
圖5-9：2023年我國led 應用市場格局
圖5-10：2010~2023年間全球三結太陽能電池發電容量估算
圖5-11：砷化鎵異質結太陽能電池結構
圖5-12：砷化鎵異質結太陽能電池製備過程
表1-1：砷化鎵晶體特性
表1-2：gaas晶體的物理特性
表1-3：gaas材料與si材料的特性比較
表1-4：砷化鎵半導體的應用情況
表1-5：砷化鎵在電子系統中的應用
表1-6：由砷化鎵晶元製作的主要電子器件和光電子器件
表1-7：gaas晶體生長的各種方法的分類
表2-1：gaas單晶各種生長工藝方法優缺點的比較
表2-2：國內外技術水平對照
表2-3：砷化鎵晶元製備主要工藝引數
表2-4：砷化鎵的外延片特性
表2-5：gaasic技術與要求
表3-1：2005~2023年國內光伏發電裝機**（mwp）
表3-2：全球砷化鎵產業鏈構成
表3-3：國外gaas單晶、外延片的主要廠家採用工藝法的情況
表4-1：2023年國內gaas拋光片產值統計
表4-2：國內主要砷化鎵單晶生產廠家生產情況
表4-3：國內砷化鎵單晶材料廠家的生產開發、生產情況
表5-1：汽車雷達系統市場規模
表5-2：日、美砷化鎵ic生產廠家現狀
表5-3：台灣砷化鎵產業鏈條
表5-4：台灣砷化鎵ic生產廠家概況
表5-5：led 產品分類
表5-6：可見光led依發光顏色分類
表5-7：我國led產業鏈個環節主要廠商和產量（截至到2023年底）表5-8：砷化鎵單結太陽能電池的結構和能帶示意圖
表5-9：si與gaas太陽能電池之比較
表5-10：聚光太陽電池效率統計
表5-11：聚光太陽電池效率成本預估
2023年物聯網半導體行業分析報告
2015年10月 目錄一 從終端應用和晶元器件兩個角度看半導體產業格局 41 物聯網是the next big thing 42 感測 運算 連線 儲存四大晶元受益物聯網崛起 6二 積體電路產業持續向中國轉移 12三 國家資本支援，併購整合實現彎道超車 151 大 密集投資，開啟資本驅動產業公升級之...
2019版高考化學第6講鈉及其化合物試題
a.最後溶液變紅色 b.溶液先變紅色最後褪色 c.無明顯現象 d.因為na2o2與酚酞發生氧化還原反應而無氣泡產生 8.2014東北三校聯合模擬,8 在下列物質的溶液中分別加入一定量的na2o2固體,不會出現渾濁現象的是 a.飽和h2s溶液 溶液 稀溶液 d.飽和cacl2溶液 9.2014北京通州...
2019暑假輔導材料1 1鈉及其化合物
1.1鈉及其化合物 1 基礎知識回顧 1 知識結構 2 重要知識點 考點一 鈉的性質 na e na 化學反應中表現為性 考點二 與co2 h2o反應 1 寫出的與co2 h2o化學方程式，用單線橋之處轉移的電子數，指出氧化劑和還原劑。考點三 過氧化鈉的強氧化性。1 寫出過氧化鈉與co2和so2的反...