2009-2010學年上學期材料化學期末試卷（a）
一、填空題（1×30=30分）
1. 某位錯的柏氏向量與其位錯線平行，則該位錯為________；若柏氏向量與其位錯線垂直，則該位錯為________。
2. 已知ral3+=0.054nm，rti4+=0.061nm，則al2o3-tio2二元體系生成______型固溶體。（填有限或無限）
3. 典型金屬的晶體結構主要有和
3. 聚合物在不同條件下得到的結晶有多種形態，包括其中的力學強度最高。
4 高分子液晶根據液晶分子的聚集排列方式不同，可分為和______三類；以製備方法分，高分子液晶一般都屬於______液晶體系。
5 按照點陣的對稱性，可將自然界的晶體劃分為____大晶系，在這些晶系中，只可能有____種布拉菲點陣。
6. pvd法包括和三種。
7. 晶體中形成乙個弗蘭克爾缺陷後將出現乙個_____和乙個_______。
8. 聚偏氯乙烯分子鏈的鏈柔性______聚氯乙烯，聚乙烯分子鏈的鏈柔性_____聚異戊二烯。（填大於、小於或等於）
9. 矽酸鹽晶體的的基本結構為
10. 按照取向的範圍不同，聚合物的取向可分為和
11. 在自由基反應機理的氣相聚合中，鏈終止的方式分為_______和________。如果提高聚合溫度，則有利於________。
二、單項選擇題（2×10=20分）：
1. 材料科學的核心內容是：（ ）
a．成分 b．理論 c．工藝設計 d．結構與效能
2. 晶體的本質特徵是：（ ）
a．內部質點在三維空間週期排列 b．具有規則的幾何外形
c．具有對稱性d．具有各向異性
3. 金屬晶體中配位數的最大值為：（ ）
a．12 b．8 c．16 d．108
4. 為延緩高聚物的老化，以下方法不適用的是：（ ）
a. 在製備過程中加入抗氧化劑 b. 在製備過程中進行取向
c. 在製備過程中加入光穩定劑 d. 避免在高溫、陽光直射條件下使用
5. 對於金屬材料，設ρe為實驗測定密度值，ρc為計算的理論密度，若ρc<ρe，則固溶體為（ ）
a．填隙固溶體 b．置換固溶體 c．連續固溶體 d．不連續固溶體
6. 燒結的過程是體系吉布斯自由能（ ）的過程。
a．公升高 b．降低 c．不變 d．變化無規律
7. 高分子晶體的基本結構單元是（ ）
a．原子 b．分子 c．離子 d．分子鏈鏈段
8. 下列關於矽酸鹽晶體結構特徵描述錯誤的是：（ ）
a. si-o鍵是典型的半離子半共價鍵
b. 矽酸鹽晶體的的基本結構為矽氧四面體[sio4]
c. 矽酸鹽晶體中的矽氧四面體可通過共頂點、共稜、共面等形式結合在一起
d. 矽氧四面體在矽酸鹽晶體中可呈島狀、組群狀、鏈狀、層狀、骨架狀
9. 某粉體的粒度頻度分布圖中d97 =29nm，這說明（ ）
a．該粉體中粒徑大於29nm的粒子佔97%，小於29nm的粒子佔3%
b．該粉體中粒徑小於29nm的粒子佔97%，大於29nm的粒子佔3%
c．該粉體中97%的粒子粒徑為29nm
d．該粉體的平均粒徑為29nm
10. 以下關於基體材料在複合材料中的作用的說法不對的是：（ ）
a．保護增強材料不受環境影響 b．把增強材料粘合在一起
c．分配增強材料間的載荷 d．提高增強材料的強度
三、簡述題（5×6=30分）：
1. 簡述形成固溶體後對晶體性質的影響。
2. 簡述非晶態材料與晶態材料之間的轉化關係。
3. 什麼是組元？什麼是相？相與組元之間有什麼區別？
4. 簡述單晶製備的常用方法及其特點。（至少兩種）
5. 簡述高分子的共聚方式。
6. 簡述改善陶瓷材料強度、韌性的措施。
四、論述題（10×2=20分）：
1. 以乙烯單體為例，敘述自由基加聚反應的歷程，並結合各基元反應的特點論述聚合過程中工藝的控制對聚乙烯效能的影響。
2. 敘述以鈦酸四丁酯為原料，採用sol-gel法製備奈米二氧化鈦的簡要工藝流程以及其中涉及的化學原理，並簡要討論各因素對產物的影響。
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