四川理工學院試卷（2010至2011學年第2學期）
課程名稱： 材料現代分析方法
命題教師： 唐杰
適用班級： 材料08級；高分子08級
考試200 年月日共 4 頁
注意事項：
1、 滿分100分。要求捲麵整潔、字跡工整、無錯別字。
2、 考生必須將姓名、班級、學號完整、準確、清楚地填寫在試卷規定的地方，否則視為廢卷。
3、 考生必須在簽到單上簽到，若出現遺漏，後果自負。
4、 如有答題紙，答案請全部寫在答題紙上，否則不給分；考完請將試卷和答題卷分別一同交回，否則不給分。
試題一、填空（20分，每空1分）
1．由en=-z2r/n2可知：主量子數n值越大，則原子軌道能量越高；主量子數n值越大，相鄰原子軌道能量差越小；具有相同主量子數n的原子軌道，原子序數z越大，則原子軌道能量越低；其中裡得伯常數r為13.6ev。
2 x射線頻率為3×1014~3×1010mhz，對應於原子內層軌道能級躍遷。紅外線頻率為4.0×108~6.0×106 mhz，對應於分子振動能級躍遷。
3量子數n, l, m共同表徵電子的軌道運動，而s, ms表徵電子的自旋運動。
4干涉指數是對晶面空間方位與晶面間距的標識，所表示的晶面不一定是晶體的真實原子面。
5 與某一晶向[uvw]平行的所有（hkl）晶面屬於同一晶帶，稱為[uvw]晶帶。
6 共振線是指電子在基態與任一激發態之間直接躍遷所產生的譜線。
7各種分析方法的分析檢測過程均可大體分為訊號發生，訊號檢測，訊號處理及訊號讀出等幾個步驟。
8 x射線衍射分析法用於材料結構分析，x射線螢光分析法用於材料成分分析。
9電子顯微分析方法以材料微觀形貌，結構與成分分析為基本目的。
10電子探針（epa或epma）的技術基礎與x射線螢光光譜分析相似，主要區別是以電子束代替x光子為激發源。
第1頁二、判斷（10分，每小題1分）
1費公尺能級是材料中電子的乙個真實能級。(x)
2只有偶極矩發生改變的分子振動才能產生紅外吸收。(v)
3 在x射線源與樣品之間放置特定材料薄片以吸收kβ射線從而保證kα射線純度，稱為濾波。 (v)
4 對於多相物質，其衍射花樣由各組成相的衍射花樣干涉疊加而成。(x)
5掃瞄電鏡作表面形貌觀測時是收集二次電子成像的。(v)
6 透射電子顯微鏡配置選區電子衍射裝置，使得薄膜樣品的結構分析與形貌觀察有機結合，是x射線衍射無法比擬的優點。(v)
7 二維倒易點陣陣點在垂直於點陣平面的方向上延伸為連續直線，稱為倒易杆。(v)
8 原子光譜分析儀中的原子化器的作用是把樣品原子汽化為單個原子，並將其外層電子激發到高能態。(v)
9 像襯度是影象上不同區域間明暗程度的差別。(v)
10色譜分析法具有能解決那些物理常數相近、化學性質相似的同系物、異構體等複雜組成混合物分析問題的特點。(v)
三、簡答（20分，每題5分）
1.指出光譜項nmlj中各字母的意義和m與j之間的關係。
答：n：主量子數；l：總角量子數；j：內量子數（或總量子數）；m：譜線多重性符號。m為j的取值個數。
2．簡述倒易陣點與正點陣晶面的對應關係。
答：正點陣中每一（hkl）對應乙個倒易點，該倒易點的倒易座標即為hkl；反之，乙個陣點指數為hkl的倒易點對應於正點陣中的一組（hkl）晶面，（hkl）的方位與晶面間距由倒易點相應的r*hkl決定。
3. 簡述「布拉格方程只是衍射產生的必要條件」的含義。
答：此話包含兩個意思 ：一是在非反射方向上，可能存在干涉部分加強而形成的較弱的衍射線。二是在滿足「選擇反射」條件的方向上也不一定有反射線(衍射線)存在。
4.衍射花樣指數標定。
答：即確定衍射花樣中各線條相應晶面的干涉指數，並以之標識衍射線條，又稱為衍射花樣指數化。
第2頁四、選擇你認為合適的分析方法。（10分，每小題1分，選答一種即可）
1．鋼液中的mn, s, p等元素的快速定量分析。（aes）
2．區別feo, fe2o3和fe3o4。( xrd)
3．測定ag的點陣常數。( xrd)
4．**製品含金量的無損檢測。
5．淬火鋼中殘留奧氏體質量分數的測定。( xrd)
6．固體表面元素定性及定量分析。(axp)
7．幾種高聚物組成的混合物的定性定量分析。(gc-ms)
8．鎳鉻合金鋼回火脆斷口晶界上微量元素銻的分布。(ap-fim)
9．淬火鋼中孿晶馬氏體與位錯馬氏體的形貌觀察。(sem)
10．推斷分子式c8h10o的化合物結構。(uv)
五、綜合題（40分）
1.計算初速為0，被900v電場加速的運動電子的的布羅意波長，並判斷屬於高能電子還是低能電子。（10分）
解：λ=1.225/√900=0.04nm (5分)
答：初速為0，被900v電場加速的運動電子的的布羅意波長為0.04nm，屬於低能電子。（5分）
2.cukα射線（λkα=0.154nm）照射cu樣品，已知cu點陣常數a=0.361nm，計算（200）反射的θ角。（10分）
解：由2dhklsinθ=λ，和dhkl=a/√(h2+k2+l2) 得：sinθ=λ√(h2+k2+l2)/2a（5分），代入資料算得sinθ=0.
427，θ=arcsin0.427（3分）
答：（200）反射的θ角為arcsin0.427。（2分）
3.氯化銫晶體晶胞為氯原子形成簡單立方結構，銫原子位於晶胞體心位置，假定氯原子的散射因子與銫原子相同，f(cl)=f(cs)=f，
1 畫出氯化銫晶胞示意圖；(5分)
2寫出該晶體（100）和（211）晶面反射線的f2值。（15分）
解：1 晶胞示意圖見圖所示。(5分)
2 如圖建立座標系(2分)，則氯原子位於(0,0,0)，銫原子位於(1/2,1/2,1/2)(2分)。
f= f(cl)*(-1)2(0+0+0)+ f(cs)*(-1)2(h/2+k/2+l/2)=f[1+(-1)(h+k+l)](4分)
f2(100)=f2[1+(-1)(1+0+0)]2=0（1分）;
f2(211)=f2[1+(-1)(2+1+1)]2=4f2（1分）。
四川理工學院試卷（2010至2011學年第2學期）
課程名稱： 材料現代分析方法
命題教師： 唐杰
適用班級： 材料08級；高分子08級
考試200 年月日共 3 頁
注意事項：
5、 滿分100分。要求捲麵整潔、字跡工整、無錯別字。
6、 考生必須將姓名、班級、學號完整、準確、清楚地填寫在試卷規定的地方，否則視為廢卷。
7、 考生必須在簽到單上簽到，若出現遺漏，後果自負。
8、 如有答題紙，答案請全部寫在答題紙上，否則不給分；考完請將試卷和答題卷分別一同交回，否則不給分。
試題一、填空（20分，每空1分）
1光譜項nmlj中各字母的意義是：n主量子數；l總角量子數；j內量子數（或總量子數）；m譜線多重性符號。。
四川理工學院人簡歷模版十三
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