大家都知道，igbt單管相當的脆弱，同樣電流容量的igbt單管，比同樣電流容量的mosfet脆弱多了，也就是說，在逆變h橋裡頭，mosfet上去沒有問題，但是igbt上去，可能開機帶載就炸了。這一點很多人估計都深有體會。當時我看到做魚機的哥們用fgh25n120and這個，反映很容易就燒了，當時不以為然。
只到我在工作中遇到，一定要使用igbt的時候，我才發現我錯了，當初我非常天真的認為，乙個irfp460,20a/500v的mosfet，我用個sgh40n60ufd40a/600v的igbt上去怎麼樣也不會炸的吧，實際情況卻是，帶載之後，突然加負載和撤銷負載，幾次下來就炸了，我以為是電路沒有焊接好，然後同樣的換上去，照樣炸掉，這樣白白浪費了好多igbt。
後來發現一些規律，就是採用峰值電流保護的措施就能讓igbt不會炸，下面我就會將這些東西一起詳細的說一說，說的不好請大家見諒，這個帖子會慢慢更新，也希望高手們多多提出意見。
我們將這個問題看出幾個部分來解決：
1，驅動電路；
2，電流採集電流；
3，保護機制；
一、驅動電路
這次採用的igbt為ixys的，ixgh48n60b3d1，詳細規格書如下：ixgh48n60b3d1
驅動電路如下：
這是乙個非常典型的應用電路，完全可以用於igbt或者mosfet，但是也有些不一樣的地方。
1，有負壓產生電路，
2，隔離驅動，
3，單獨電源供電。
首先我們來總體看看，這個電路沒有保護，用在逆變上100%炸，但是我們可以將這個電路的實質摸清楚。
先講講重點：
1：驅動電阻r2，這個在驅動裡頭非常重要，圖上還有d1配合關閉的時候，讓igbt的cge快速的放電，實際上看需要，這個d1也可以不要，也可以在d1迴路裡頭串聯乙個電阻做0ff關閉時候的柵極電阻。
下面發幾個波形**，不同的柵極電阻，和高壓hv+400v共同產生作用的時候，上下2個igbt柵極的實際情況。
上面的圖，是在取消負壓的時候，上下2管之間的柵極波形，柵極電阻都是在10r情況下。
上面的圖是在不加dc400v情況下測量2管g極波形，下圖是在dc400v情況下，2管的柵極波形。
為何第二個圖會有乙個尖峰呢。這個要從igbt的內部情況說起，簡單來說，igbt的ge上有乙個寄生的電容，它和另外的cgc乙個寄生電容共同組成乙個水池子，那就是qg，其實這個和mosfet也很像的。
那麼在來看看為何400v加上去，就會在下管上的g級上產生尖峰。借花獻佛，抓個**來說明：
如上圖所示，當上官開通的時候，此時是截止的，由於上官開通的時候，這個時候要引入dv/dt的概念，這個比較抽象，先不管它，簡單通俗的說就是上管開通的時候，上管等效為直通了，+dc400v電壓立馬加入到下管的c級上，這麼高的電壓立刻從igbt的寄生電容上通過產生乙個感應電流，這個感應電流上圖有公式計算，這個電流在rg電阻和驅動內阻的共同作用下，在下管的柵極上構成乙個尖峰電壓，如上面那個示波器的截圖所示。到目前為止，沒有引入公尺勒電容的概念，理解了這些，然後對著規格書一看，公尺勒電容是什麼，對電路有何影響，就容易理解多了。
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