符號英文單詞引數
中文引數說明o
單位國標規定通態平均電流為閘流體在環境溫度為40c和規定的冷卻狀態下，穩定結溫不超過額定結溫時所允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標稱其額定電
it(**)
**erage on-statecurrent
流的引數。同電力二極體一樣，這個引數是按照正向電流
通態平均電流
造成的器件本身的通態損耗的發熱效應來定義的。因此在a使用時同樣應按照實際波形的電流與通態平均電流所造成的發熱效應相等，即有效值相等的原則來選取閘流體的此項電流定額，並應留一定的裕量。一般選取其通態平均電流為按此原則所得計算結果的1.
5-2倍。
指器件通過規定正向峰值電流ifm(整流管)或通態峰值電
vtmpeak on-statevoltage drop
通態峰值電壓
流itm(閘流體)時的峰值電壓也稱峰值壓降該引數直接反映了器件的通態損耗特性影響著器件的通態電流額定能力。
maximum forward or
idrm
reverse leakagecurrent
irrmidsmvto
maximum reverseleakage current
斷態重複峰值漏電流為閘流體在阻斷狀態下承受斷態重複峰值電壓vdrm和反向ma
重複峰值電壓vrrm時流過元件的正反向峰值漏電流該引數在器件允許工作的最高結溫tjm下測出。
v反向重複峰值漏電流ma
門極斷路時，在額定結溫下對應於斷態不重複峰值電壓下
斷態不重複平均電流a
的平均漏電流。檻電壓
on state threshold門voltageon-state rms
-vit(rms)current (full sine通態電流均方值w**e)
non-repetitive
-浪湧電流是指由於電路異常情況引起的使結溫超過額定
aitsm
peak on-statecurrent
通態浪湧電流(通態不重複峰值電流)門極峰值電流
結溫的不重複性最大正向過載電流。浪湧電流有上下兩個a級，這個引數可用來作為設計保護電路的依據。
igmit
2forward peak gatecurrentcircuit fusingconsideration
--aases
2週期電流平方時間積
當雙向可控矽或閘流管在門極電流觸發下導通，門極臨近
repetitive rate ofrise of on-state
dit/dt
current aftertriggering(igt1~igt3)
處立即導通，然後迅速擴充套件至整個有效面積。這遲後的時間有乙個極限，即負載電流上公升率的許可值。過高的
dit/dt可能導致區域性燒毀，並使t1-t2短路。假如過程
通態臨界電流上公升率a/μs
中限制dit/dt到一較低的值，雙向可控矽可能可以倖存。
因此，假如雙向可控矽的vdrm在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出或導通時的dit/dt有可能被超出，可在負載上串聯乙個幾μh的不飽和（空心）電感。
vdrm
repetitive peakoff-state voltage
斷態重複峰值電壓
斷態重複峰值電壓是在門極斷路而結溫為額定值時，允許重複加在器件上的正向峰值電壓.國標規定重複頻率為
v50h，每次持續時間不超高10ms。規定斷態重複峰值電壓drm為斷態不重複峰值電壓（即斷態最大瞬時電壓）udsm的90%.斷態不重複峰值電壓應低於正向轉折電壓bo，所留裕量大小由生產廠家自行規定。
uuvrrmvpp
反向重複峰值電壓
在門極斷路而結溫為額定值時，允許重複加在器件上的反向峰值電壓。-
vnon repetitive line最高不重複線路峰值peak pulse voltage電壓 isolation
visol
voltage from allexternal heatsink
引腳到外殼最大絕緣
three terminals to電壓
-vpg(**)pgmpg(**)tj
**erage gate power
門極平均散耗功率
dissipationpeak gate power
門極最大峰值功率
---為了長期可靠工作，應保證
www**erage gate power門極平均功率operating junction
工作結溫
temperature rangestorage
temperature
貯存溫度
rth j-a足夠低，維持tj不高於80%tjmax ,其值相應於℃可能的最高環境溫度。
tstg-℃
tltemperature forsoldering purposes
引腳承受焊錫極限溫度
-℃thermal resistance
rth(j-mb)junctiontomounting熱阻-結到外殼
base
rth(j-a)
thermal resistance
熱阻-結到環境
junction-to-ambient
-℃/w
-為了使可控矽可靠觸發，觸發電流igt選擇25度時max
℃/wigt
triggering gatecurrent
值的α倍，α為門極觸發電流—結溫特性係數，查資料
門極觸發電流
手冊可得，取特性曲線中最低工作溫度時的係數。若對器ma件工作環境溫度無特殊需要，通常選型時α取大於1.5倍即可。
ihholding current維持電流
維持可控矽維持通態所必需的最小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則ih越小。
擎住電流是閘流體剛從斷態轉入通態並移除觸發訊號後，
latching current接入電流(第三象(igt3)
off-state leakagecurrenttriggering gatevoltage
限)/擎住電流斷態漏電流門極觸發電壓
能維持導通所需的最小電流。對同一閘流體來說，通常ilma約為ih的2--4倍。
idvgt
-—可以選擇vgt25度時max值的β倍。β為門極觸發電壓—結溫特性係數，查資料手冊可得，取特性曲線中最低
m**工作溫度時的係數。若對器件工作環境溫度無特殊需要，通常選擇時β取1~1.2倍即可。
vgdvfgmvrgmifgmvtm
non-triggering gate
門極不觸發電壓
voltage
peak forward gatevoltage
peak reverse gatevoltage
peak forward gatecurrentpeak forwardon-state voltage
門極正向峰值電壓門極反向峰值電壓門極正向峰值電流通態峰值電壓
----
它是可控矽通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為減少可控矽的熱損耗，應盡可能選擇vtm小的可控矽dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上公升斜率，這是防止誤
vvv**
critical rate of
dv/dt
觸發的乙個關鍵引數。此值超限將可能導致可控矽出現誤
導通的現象。由於可控矽的製造工藝決定了a2與g之間
rise of off-state斷態臨界電壓上公升率v/us
會存在寄生電容，如圖2所示。我們知道dv/dt的變化在
voltage
電容的兩端會出現等效電流，這個電流就會成為ig，也就
是出現了觸發電流，導致誤觸發
critical rate of
指在規定條件下，閘流體能承受而無有害影響的最大通態
電流上公升率。如果電流上公升太快，則閘流體剛一開通，便
通態電流臨界上公升率a/ms
會有很大的電流集中在門極附近的小區域內，從而造成局
部過熱而使閘流體損壞。
(di/dt)c
decrease ofcommutatingon-state current
切換電壓上公升率dvcom/dt。驅動高電抗性的負載時，負載
電壓和電流的波形間通常發生實質性的相位移動。當負載
電流過零時雙向可控矽發生切換，由於相位差電壓並不為
臨界轉換電壓上公升率v/us
零。這時雙向可控矽須立即阻斷該電壓。產生的切換電壓
上公升率（dvcom/dt）若超過允許值，會迫使雙向可控矽回覆導通狀態，因為載流子沒有充分的時間自結上撤出。dicom/dt高，則dvcom/dt承受能力下降。結面溫度tj越高，dvcom/dt承受能力越下降。
假如雙向可控矽的dvcom/dt的允許值有可能被超過，為避免發生假觸發，可
在t1和t2間裝置rc緩衝電路，以此限制電壓上公升率。通常選用47~100ω的能承受浪湧電流的碳膜電阻，0.01μf~0.
47μf的電容，閘流體關斷過程中主電流過零反向後迅速由反向峰值恢復至零電流，此過程可在元件兩端產生達正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收迴路。
tgttqrd
gate controlleddelay time
門極控制延遲時間
a/ms
commutating voltage
切換時負載電流下降率
-恢復閘流體電壓阻斷能力所需的最小電路換流反壓時間。-
ususmω
circuit commutated
週期轉換關斷時間
turn-off time
dynamic resistance
動態阻抗
( tj=125℃)
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