暗電流：電池片在反偏壓條件下,沒有入射光時產生的反向直流電流。
暗電流：電池片在反偏壓條件下,沒有入射光時產生的反向直流電流。
反向飽和電流：p-n結加反向電壓時，反向電流幾乎與電壓無關，稱為p-n結反向飽和電流。
漏電流：電池模型中有乙個併聯電阻，通過該併聯電阻損失的電流即為漏電流。故漏電的測試可以通過rsh（併聯電阻）來衡量。
似乎有乙個簡單關係： 暗電流＝反向飽和電流＋漏電流
補充首先，什麼是暗電流？看定義：在沒有光照的條件下，給pn結加反偏電壓（n區接正，p區接負），此時會有反向的電流產生，這就是所謂的暗電流，對單純的二極體來說，暗電流其實就是反向飽和電流，但是對太陽能電池而言，暗電流不僅僅包括反向飽和電流，還包括薄層漏電流和體漏電流
所謂反向飽和電流，是指給pn結加一反偏電壓時，外加的電壓使得pn結的耗盡層變寬，結電場（即內建電場）變大，電子的電勢能增加，p區和n區的多數載流子（p區多子維空穴，n區多子為電子）就很難越過勢壘，因此擴散電流趨近於零，但是由於結電場的增加，使得n區和p區中的少數載流子更容易產生漂移運動，因此在這種情況下，pn結內的電流由起支配作用的漂移電流決定。漂移電流的方向與擴散電流的方向相反，表現在外電路上有乙個留入n區的反向電流，它是由少數載流子的漂移運動形成的。由於少數載流子是由本徵激發而產生的，在溫度一定的情況下，熱激發產生的少子數量是一定的，電流趨於恆定。
漏電流：我們都知道，太陽能電池片可以分3層，即薄層（即n區），耗盡層（即pn結），體區（即p區），對電池片而言，始終是有一些有害的雜質和缺陷的，有些是矽片本身就有的，也有的是我們的工藝中形成的，這些有害的雜質和缺陷可以起到復合中心的作用，可以虜獲空穴和電子，使它們復合，復合的過程始終伴隨著載流子的定向移動，必然會有微小的電流產生，這些電流對測試所得的暗電流的值是有貢獻的，由薄層貢獻的部分稱之為薄層漏電流，由體區貢獻的部分稱之為體漏電流。
測試漏電流的目的：（1）防止擊穿如果電池片做成元件時，電池片的正負極被接反，或者元件被加上反偏電壓時，由於電池片的暗電流過大，電流疊加後會迅速的將電池片擊穿，不過這樣的情況很少發生，所以測試暗電流在這方面作用不是很大。（2）監控工藝當電池片工藝流程結束後，可以通過測試暗電流來觀察可能出現的工藝的問題，前面說過，暗電流是由反向飽和電流和薄層漏電流以及體漏電流組成的，分別用 j1,j2,j3表示，當我們給**加反偏電壓時，暗電流隨電壓的公升高而公升高，分3個區，1區暗電流由j2起支配作用，2區由j3起支配作用，3區由j1 起支配作用，3個區的分界點由具體的測試電壓而決定的。
為什麼暗電流會隨電壓公升高而增大呢？大家知道當有電壓加在**上時，對矽片有了電注入，電注入激發出非平衡載流子，電壓越大激發的非平衡載流子越多，形成的暗電流越大，暗電流的增長速度隨電壓電壓越大而變慢，直到**被擊穿。一般我們測試暗電流的標準電壓為12v，測得的曲線和標準的曲線相比後，可以的出**的基本情況。
如在1區我們發現暗電流過大則對應的薄層區出了問題，2區暗電流過大，說明問題出在體區，同樣3區出現問題，說明我們的結做的有問題，擴散，絲網印刷，溫度等引數都會影響暗電流，只要我們知道哪齣了問題，就可以根據這去找出問題的原因，所以測試暗電流對工藝的研究是很有用的。
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