09年報考上海交大材料學,下面是今年材料科學基礎四道大題題目:
1,求_mm處滲碳濃度為_的時間(_為具體數字),其中誤差函式對應的值給出,擴散係數需要通過題目中給的溫度和擴散常數計算.(20分)
2.標註晶面及晶向,寫出位錯反應(大體內容,原題還有條件).(20分)
3.合金和純金屬凝固過程(凝固條件,凝固組織)的異同.(15分)
4.5%的過共晶白口鑄鐵室溫平衡凝固組織中各種型別滲碳體的含量.(20分)
小題共25題,每題3分
我參加了2023年的考研，報考的是上海交通大學材料學，很遺憾，數學沒考好，調劑去了上海大學，把10年交大的專業課題大概整理了一下.
交大專業課不是很難，但一定要複習的仔細。
把前幾年的真題好好做做。
希望對大家會有幫助。
一，選擇題（3*25）
1，固溶強化可以提高：a，屈服強度 b，抗拉強度 c，斷裂強度
2，兩個韌型位錯相交_____形成割接 a，一定能 b，不一定能 c，一定不能
3，下列是熱塑型材料的是
4，下列是外延生長的是 a，二維 b，三維 （這個選項記不清了，是氣象沉積那一節的）
5，下列致密度最高的是 a，al b，zn c，乙個體心的，忘了具體是什麼了
6，再結晶後長大過程中d與t的關係
7，三元相圖中平衡反應有幾相
8，金屬材料的顏色與____有關 abc，反射，投射，吸收什麼的
9，回覆階段主要影響 （答案是電導率，選項記不清了，有乙個干擾項）
二，大題：
1 晶體結構的，就是最一般的那種，畫體心和麵心的圖和它要求的晶面，晶向
2畫鐵碳相圖，寫出平衡反應時的反應式
3擴散題，最基礎那種，2004-2007真題中的幾乎一樣，其中涉及擴散距離與時間的關係了
4 位錯只是加晶體學知識考核，（可以畫圖也可以純計算，個人感覺畫圖簡單些），就是告訴你位錯型別和位錯線方向然後求這個位錯的各種引數和半原子面什麼的，最後是寫出分解成肖克利位錯的反應式
5說明金屬，半導體，絕緣體的導電性差異的原因（十章內容，用價帶理論解釋那種題）
上海交通大學
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