隨機訪問儲存器 RAM

班級:10級電子資訊工程二班

組長:陶宇

摘要: ram（random access memory）隨機儲存器。儲存單元的內容可按需隨意取出或存入，且訪問的速度與儲存單元的位置無關的儲存器。

這種儲存器在斷電時將丟失其儲存內容，故主要用於儲存短時間使用的程式。按照儲存資訊的不同，隨機儲存器又分為靜態隨機儲存器（static ram,sram)和動態隨機儲存器（dynamic ram,dram)。

關鍵字: 隨機訪問儲存器（ram）

一、靜態隨機訪問儲存器(sram)

1、電路組成

2. sram 的工作模式

二、同步靜態隨機訪問儲存器（ssram）

1.電路圖

2. ssram的使用特點

在由ssram構成的計算機系統中，由於在時鐘有效沿到來時，位址、資料、控制等訊號被鎖存到ssram內部的暫存器中，因此讀寫過程的延時等待均在時鐘作用下，由ssram內部控制完成。此時，系統中的微處理器在讀寫ssram的同時，可以處理其他任務，從而提高了整個系統的工作速度。

三．動態隨機訪問儲存器

四、學習總結

1、提問總結

⑴、一般情況下，dram的整合度比sram的整合度高，為什麼？

⑵、靜態隨機儲存器和動態隨機儲存器的區別?

解答:⑴、sram儲存單元有個mos管構成，所用的管子數目多功耗大，整合度受到限制，dram的儲存單元有乙個mos管，和容量較小的電容構成。

⑵、sram靜態的隨機儲存器：特點是工作速度快，只要電源不撤除，寫入sram的資訊就不會消失，不需要重新整理電路，同時在讀出時不破壞原來存放的資訊，一經寫入可多次讀出，但整合度較低，功耗較大。sram一般用來作為計算機中的高速緩衝儲存器(cache)。

dram是動態隨機儲存器(dynamic random access memory)：它是利用場效電晶體的柵極對其襯底間的分布電容來儲存資訊，以儲存電荷的多少，即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」。dram每個儲存單元所需的場效電晶體較少，常見的有4管，3管和單管型dram。

因此它的整合度較高，功耗也較低，但缺點是儲存在dram中的資訊__場效電晶體柵極分布電容裡的資訊隨著電容器的漏電而會逐漸消失，一般資訊儲存時間為2ms左右。為了儲存dram中的資訊，必須每隔1～2ms對其重新整理一次。因此，採用 dram的計算機必須配置動態重新整理電路，防止資訊丟失。

dram一般用作計算機中的主儲存器。

五．組員資訊