1. 熱阻rth
晶元表面每耗散1w的功率，晶元pn結點的溫度與連線的支架或鋁基板的溫度之間的溫差就稱為熱阻rth，單位為℃/w（熱阻是沿熱流通道上的溫度差與耗散功率之比）對於led來說：一般是指pn結到熱沉上的熱阻。
2. 影響熱阻大小的因數
a. 與led晶元本身的結構與材料有關
b. 與led晶元粘結所用的材料的導熱性能及粘結時的質量有關
c. 與熱沉的材料以及散熱面積有關
3. 熱阻的測量方法
rt h =( tj-tx)/p
tj為施加大小為p的加熱功率脈衝後測得的led結溫；tx為熱沉鋁基板上的溫度。
由於pn結的結溫不能直接測量，而且恆定電流下led的正向電壓與溫度具有很好的線性關係，因此通常採用正向電壓法測量led的熱阻。
4. 正向電壓法測量led的熱阻
a. 輸入電壓隨溫度的變化關係vt j=vt o +k(tj-to) （1）
b. 熱阻是沿熱流通道上的溫度差與耗散功率之比rt h =( tj-tx)/p （2）
將（1）和（2）合併為rth =δvf/k·p （3）
將開關先打到1，穩定後，測得led的電壓為vf1，再將開關打到2，穩定後，再將開關打回到1，測得led的電壓為vf2，根據公式（3）即可測出熱阻。
5. 導致pn結溫度公升高的4種原因
a. 元件不良的電極結構，視窗層襯底或結區的材料以及導電銀膠等均存在一定的電阻值，這些電阻相互壘加，構成led元件的串聯電阻。當電流流過p—n結時，同時也會流過這些電阻，從而產生焦耳熱，引致晶元溫度或結溫的公升高。
b. 由於p—n結不可能極端完美，元件的注人效率不會達到100％，也即是說，在led工作時除p區向n區注入電荷(空穴)外，n區也會向p區注人電荷(電子)，一般情況下，後一類的電荷注人不會產生光電效應，而以發熱的形式消耗掉了。即使有用的那部分注入電荷，也不會全部變成光，有一部分與結區的雜質或缺陷相結合，最終也會變成熱。
c. 出光效率的限制是導致led結溫公升高的主要原因。目前，先進的材料生長與元件製造工藝已能使led極大多數輸入電能轉換成光輻射能，然而由於led晶元材料與周圍介質相比，具有大得多的折射係數，致使晶元內部產生的極大部分光子(>90％)無法順利地溢位介面，而在晶元與介質介面產生全反射，返回晶元內部並通過多次內部反射最終被晶元材料或襯底吸收，並以晶格振動的形式變成熱，促使結溫公升高。
d. led元件的熱散失能力是決定結溫高低的又乙個關鍵條件。散熱能力強時，結溫下降，反之，散熱能力差時結溫將上公升。
由於環氧膠是低熱導材料，因此p—n結處產生的熱量很難通過透明環氧向上散發到環境中去，大部分熱量通過襯底、銀漿、管殼、環氧粘接層， pcb與熱沉向下發散。因此，相關材料的導熱能力將直接影響元件的熱散失效率。
6. 降低led結溫的5種途徑
a. 減少led本身的熱阻
b. 良好的二次散熱機構
c. 減少led與二次散熱機構安裝介面之間的熱阻
d. 控制額定輸入功率
e. 降低環境溫度
總結：led的輸入功率是元件熱效應的唯一**，能量的一部分變成了輻射光能，其餘部分最終均變成了熱，從而抬公升了元件的溫度。顯然，減小led溫公升效應的主要方法，一是設法提高元件的電光轉換效率（又稱外量子效率），使盡可能多的輸入功率轉變成光能，另乙個重要的途徑是設法提高元件的熱散失能力，使結溫產生的熱，通過各種途徑散發到周圍環境中去。
7. led的光衰
a. led產品本身品質問題：1、採用的led晶元體質不好，亮度衰減較快。
2、生產工藝存在缺陷，led晶元散熱不能良好的從pin腳匯出，導致led晶元溫度過高使晶元衰減加劇。
b. 使用條件問題：1、led為恆流驅動，有部分led採用電壓驅動原因使led衰減過來。
2、驅動電流大於額定驅動條件。
總結：其實導致led產品光衰的原因很多，最關鍵的還是熱的問題。
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