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1、目的：規範製造二部黃光工藝返工和蝕刻後晶元清洗作業
2、清洗流程圖：
有機洗流程：
無機洗流程：
3、有機溶液清洗（主要用於黃光返工片去膠清洗）
1)將一燒杯中倒入2000ml丙酮溶液；再於另一燒杯中倒入2000ml異丙醇
溶液，記錄溶液更換日期
2)將需去膠的晶元用花籃盛放並將其置放於丙酮有機槽中，計時5分鐘。
並記錄溶液累計使用片數
3)將花籃提出，沖水5-10分鐘
4)將花籃置於異丙醇中清洗5-10分鐘，記錄溶液累計使用片數；沖水5-10分鐘
5)將晶元倒入甩乾機專用卡塞中，甩乾機旋幹；
4、無機溶液清洗(用於刻蝕後晶元清洗作業和頑固性汙漬清洗)
1)將放有晶元的花籃置於已配製好的硫酸和雙氧水溶液中，計時10分鐘，並記錄溶液使用累計片數；如果溶液不是新配溶液，需向溶液中加入150ml雙氧水溶液，並用加熱槽加熱至70℃—100℃使用效果更佳
2)10分鐘後，將花籃取出沖水10分鐘
3)將晶元倒入旋干機專用卡塞中，選擇程式，旋幹
4)檢查每片表面光刻膠去除是否乾淨，不乾淨應新清洗。
5、有機+無機清洗（主要用於icp蝕刻後去膠及清洗）
1)丙酮清洗5分鐘後沖水5-10分鐘
2)熱（硫酸+雙氧水）溶液清洗10分鐘，取出沖水10鐘
3)srd甩乾（甩乾機專用卡塞）
6、注意事項：
1)如有頑固汙漬可用棉籤蘸異丙醇拭擦晶元再進行清洗作業；晶元沖水前需將水槽注滿水。
2)丙酮、異丙醇均為有毒物質，操作前的準備工作一定要做好。操作時一定要戴好口罩和手套。
3)溶液的配置一定要按相應的比例和容量。保證晶元完全浸泡在溶液中
4)未經培訓，不得進行硫酸溶液配製作業；硫酸溶液使用及廢液**需遵循《硫酸溶液安全使用規範》
培訓半導體
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